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24LC32AT-I/SNG
單電源操作時電壓降至1.8V；低功率CMOS工藝：典型有源電流：1mA，最大待機電流：1μA（－40～＋85℃）；4塊8K位（32K位）組成；2線串行接口總線，I2CTM兼容；可級聯(lián)8個裝置；輸出斜率控制以避免地彈；施密特觸發(fā)器抑制噪聲；兼容100kHz（＜2.5V）和400kHz（≥2.5V）；自定時擦/寫周期；頁寫入緩沖區(qū)32字節(jié)；典型頁寫入時間周期：2ms；硬件寫保護；可以用作一個串行的ROM；可用的工廠模式編程（QTP）；ESD靜電保護＞4000V；1000000次的擦/寫操作；數(shù)據(jù)保留＞200年；標準和無鉛的引腳鍍層；可用溫度范圍：－40～＋85℃/－40～＋125℃；VCC范圍：2.5～5.5V；最大時鐘頻率：400kHz；引腳鍍層：純錫（Sn）；溫度范圍：－40～＋85℃

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