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第1步 選擇r3, 在觸發(fā)點(diǎn)流經(jīng)r3的電流為(vref - vout)/r3?？紤]到輸出的兩種可能狀態(tài), r3由如下兩式求得： r3 = vref/ir3和r3 = (vcc - vref)/ir3. 取計(jì)算結(jié)果中的較小阻值, 例如, vcc = 5v, ir3 = 0.2μa, 使用max9117比較器(vref = 1.24v), 則計(jì)算結(jié)果為6.2m和19m, 選則r3為6.2m。 最后, 開(kāi)漏結(jié)構(gòu)的比較器內(nèi)部滯回電壓為4mv (max9016、max9018、max9020), 需要外接上拉電阻, 如圖11所示。外加滯回可以通過(guò)正反饋產(chǎn)生, 但是計(jì)算公式與上拉輸出的情況稍有不同。滯回電壓 = vthr - vthf = 50mv。按如下步驟計(jì)算電阻值： 第1步 選擇r3,
mosfetsi7633dp和si7135dp。這次推出的器件采用so-8封裝，具有±20v柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 現(xiàn)有的同類(lèi)so-8封裝器件額定電壓下導(dǎo)通電阻僅低至24mω ，而vishay的si7633dp具有3.3mω(在10v時(shí))及5.5mω(在4.5v時(shí))的超低導(dǎo)通電阻。這些值比最接近的同類(lèi)30v器件低27%(在10v時(shí))和28%(在4.5v時(shí))，比最接近的同類(lèi)25v so-8器件分別低28%和15%。30-v si7135dp的導(dǎo)通電阻為 3.9mω(在10v時(shí))和6.2mω(在4.5v時(shí))，比最接近的同類(lèi)器件分別低13%(在10v時(shí))和19.5%(在4.5v 時(shí))。 這次推出的兩款mosfet均采用powerpak so-8封裝，可容許比其它so-8封裝器件高60%的最大漏電流和高75%的最大功率損耗。 這兩款新型器件可用作適配器切換開(kāi)關(guān)，用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。適配器切換開(kāi)關(guān)(在適配器/墻壁電源和電池電源間切換)一直處于導(dǎo)通狀態(tài)，消耗電流。si7633dp 和si7135dp的低導(dǎo)通電阻能耗低，節(jié)省電力并延長(zhǎng)兩次充電間的電池
較器設(shè)計(jì)用于電壓擺幅為vcc和0v的單電源系統(tǒng)?？梢园凑找韵虏襟E, 根據(jù)給定的電源電壓、電壓滯回(vhb)和基準(zhǔn)電壓(vref), 選擇并計(jì)算需要的元件：第1步 選擇r3, 在觸發(fā)點(diǎn)流經(jīng)r3的電流為(vref - vout)/r3?？紤]到輸出的兩種可能狀態(tài), r3由如下兩式求得：r3 = vref/ir3和r3 = (vcc - vref)/ir3.取計(jì)算結(jié)果中的較小阻值, 例如, vcc = 5v, ir3 = 0.2μa, 使用max9117比較器(vref = 1.24v), 則計(jì)算結(jié)果為6.2m和19m, 選則r3為6.2m。最后, 開(kāi)漏結(jié)構(gòu)的比較器內(nèi)部滯回電壓為4mv (max9016、max9018、max9020), 需要外接上拉電阻, 如圖11所示。外加滯回可以通過(guò)正反饋產(chǎn)生, 但是計(jì)算公式與上拉輸出的情況稍有不同。滯回電壓 = vthr - vthf = 50mv。按如下步驟計(jì)算電阻值： 第1步選擇r3, 在in_+端的漏電流小于2na, 所以通過(guò)r3的電流至少為0.2μa, 以減小漏電流引起的誤差。r3可由r3 = vref/ir3或r3 = [(vcc - vref)/i
2262和2272的震蕩電阻2262和2272的震蕩電阻是配對(duì)的！編碼發(fā)射芯片 pt2262 pt2260 sc2260 sc2262 cs5211 1.2m 無(wú) 3.3m 1.1m 1.3m 1.5m 無(wú) 4.3m 1.4m 1.6m 2.2m 無(wú) 6.2m 2m 2.4m 3.3m 無(wú) 9.1m 3m 3.6m 4.7m 1.2m 12m 4.3m 5.1m 編碼接收芯片 pt2272/sc2272/cs5212 200k 270k 390k 680k 820k
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