Catalyst / ON Semiconductor
電可擦除可編程只讀存儲器
4 Kbit
512 x 8
100 yr
0.1 MHz
3 mA
1.8 V, 6 V
+ 85 C
SMD/SMT
TSSOP-8
3500 ns
I2C
- 40 C
Tube
100
5.5 V
1.8 V
400kHz 12C總線兼容;工作電壓:1.8~6.0V;低功耗CMOS技術(shù);寫保護功能:在WP為VIH時對頂部1/4陣列保護;16字節(jié)頁寫緩沖區(qū);寫入時自動清除存儲器內(nèi)容;1000000次編程/擦除周期;100年數(shù)據(jù)保留時間;封裝:8引腳的SOIC和TSSOP封裝;商業(yè)級、工業(yè)級和汽車級溫度范圍;工作溫度范圍:工業(yè)級溫度- 40~85℃;工作電壓范圍:1.8~5.5V