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是否有可能為3g手機制造一種低成本cmos pa？對于這個問題，法國acco半導體公司相信他們已經(jīng)找到了實現(xiàn)途徑。 但觀察人士仍然質(zhì)疑masmos技術是否能夠兌現(xiàn)承諾。一位分析師認為cmos pa可能沒有實際意義，因為市場上已經(jīng)涌現(xiàn)出了封裝在一起的前端模塊。雖然cmos技術一直用于gsm手機功率放大器，但gaas或類似技術迄今為止都是必不可少的。 “gaas技術與cmos技術之間的主要區(qū)別在于器件的擊穿電壓，”acco的denis masliah解釋道?！霸陲柡头糯笃髦校瑢τ跇O高效率的方式而言，在偏置電壓為3v的情況下，通過器件的電壓可達12v或更高。而在線性放大器中，由于遠離飽和區(qū)，故必需一個等效電壓偏移來限制最高功率等級時的失真?！?“此外，還必須承受（阻抗）與器件天線的失配問題。這可能在器件上產(chǎn)生很大的電壓，若其電壓能力過低，就可能造成器件的損壞，”他還指出：“acco的masmos技術可以解決目前rf的擊穿問題。的擊穿電壓一般可在14v以上?！?masliah透露，acco公司正在為其cmos功率放大器概念“申請一系列專利”，但他不愿意詳細談及acco是如何提高cm
企業(yè)信息管理層it技術有機地融為一體，同時又完全保留了profibus現(xiàn)有的開放性。 profinet現(xiàn)場總線體系結(jié)構如圖10所示，從圖中看出，該方案支持開放的、面向?qū)ο蟮耐ㄐ?，這種通信建立在普遍使用的ethernet tcp/ip基礎上，優(yōu)化的通信機制還可以滿足實時通信的要求?；趯ο髴玫膁com通信協(xié)議是通過該協(xié)議標準建立的。以對象的形式表示的profinet組件根據(jù)對象協(xié)議交換其自動化數(shù)據(jù)。自動化對象即com對象作為pdu以dcom協(xié)議定義的形式出現(xiàn)在通信總線上。連接對象活動控制（acco）確保已組態(tài)的互相連接的設備間通信關系的建立和數(shù)據(jù)交換。傳輸本身是由事件控制的，acco也負責故障后的恢復，包括質(zhì)量代碼和時間標記的傳輸、連接的監(jiān)視、連接丟失后的再建立以及相互連接性的測試和診斷。 圖10 type10 profinet現(xiàn)場總線體系結(jié)構 profibus可以通過代理服務器(proxy)很容易地實現(xiàn)與其它現(xiàn)場總線系統(tǒng)的集成，在該方案中，通過代理服務器將通用的profibus網(wǎng)絡連接到工業(yè)以太網(wǎng)；通過以太網(wǎng)tcp/ip訪問profibus設備是由proxy使用遠方程序調(diào)用
射頻系統(tǒng)小型化。 圖3：通過使用集成模塊替代多個分立模塊，手機制造商可以節(jié)省大量空間用于功能設計， 如wi-fi、gps、藍牙、照相機以及收音機等。 雖然cmos在具成本效益的整合方面有許多顯著優(yōu)點，但在手機應用中，cmos功率放大器一直無法匹敵或超過砷化鎵(gaas)pa的性能。javelin semiconductor的營銷副總裁patrick morgan解釋說，“axiom microdevices開發(fā)出基于分布式有源變換器(dat)的2g pa架構，dat是一種模擬技術。acco semiconductor開發(fā)出一種用于pa的稱為masmos的新晶體管技術?？傊?，各公司試圖解決cmos pa的挑戰(zhàn)的方法主要有以下三種：數(shù)字信號處理；新型的模擬架構衍生；對標準cmos工藝流程進行重大變革?！?針對w-cdma和hspa無線通信推出的jav5001 pa，是采用標準cmos工藝實現(xiàn)的。jav5001整合了基帶和收發(fā)器。在3×3mm封裝內(nèi)，它集成了功率調(diào)節(jié)、pa偏置、輸入和輸出匹配以及功率控制電路。jav5001采用單電源供電。在w-cdma調(diào)制時，其線性輸出功率可達2
是否有可能為3g手機制造一種能效與功能可媲美砷化鎵功率放大器(gaas pa)的低成本cmos pa？對于這個問題，法國acco半導體公司相信他們已經(jīng)找到了實現(xiàn)途徑。 但觀察人士仍然質(zhì)疑該公司的masmos技術是否能夠兌現(xiàn)承諾。一位分析師認為，面向3g手機的cmos pa可能沒有實際意義，因為市場上已經(jīng)涌現(xiàn)出了越來越多將功放、濾波和cmos控制器封裝在一起的前端模塊。雖然cmos技術一直用于gsm手機功率放大器，同時也用于滿足藍牙和無線局域網(wǎng)(wlan)的功放要求，但對于調(diào)制方案更復雜、頻率更高的演進型3g(evolved 3g)及wimax而言，gaas或類似技術迄今為止都是必不可少的。 “目前功放所用的gaas技術與cmos技術之間的主要區(qū)別在于器件的擊穿電壓，”acco的創(chuàng)始人兼首席技術官denis masliah解釋道?！霸陲柡头糯笃髦校瑢τ跇O高效率的方式而言，在偏置電壓為3v的情況下，通過器件的電壓可達12v或更高。而在線性放大器中，由于遠離飽和區(qū)，故必需一個等效電壓偏移來限制最高功率等級時的失真。” “此外，還必須承受(阻抗)與器件天線的失配問題。這可能在器
是否有可能為3g手機生產(chǎn)一種cmos功率放大器(pa)，具有和砷化鎵(gaas)pa一樣的功率效率和魯棒性？法國公司acco semiconductor相信，它已找到了通向上述目標的途徑，并希望利用它手中的專利應用在這個數(shù)十億美元的市場中大賺一筆。 acco自1994年以來一直在rf ic領域從事設計服務。許多打著系統(tǒng)廠商和半導體廠商品牌銷售的大量高頻芯片，實際上都是由denis masliah組織的團隊開發(fā)出來的。denis masliah是acco的創(chuàng)建者及首席技術官。 masliah表示，該公司最近在把cmos用于功率放大器方面取得“突破”。masliah找上了英國風險投資公司pond venture partners ltd.，他相信該技術帶來了絕好的機會，可以使他的公司從設計服務轉(zhuǎn)型為無廠半導體公司。 經(jīng)過13年的發(fā)展，該公司已擴大到46人，其中約有40人是設計工程師。 pond被acco及其cmos pa深深打動，與partech international聯(lián)手向其提供了1000萬美元的風險投資。其中一半是在2007年初提供給
由于快速的電子遷移率特別適合于高頻高速信號的處理，目前大部分手機中的功放(pa)都采用gaas來制造。不過這種材料居高不下的成本也一直為業(yè)界所詬病。最理想的辦法是在12英寸晶圓上采用cmos工藝來大規(guī)模量產(chǎn)這種射頻前端器件，而研究人員也已在實現(xiàn)這一目標方面投入了大量工作，但時至今日在高頻高速性能的pa領域仍然還沒有其他可量產(chǎn)的工藝可與gaas相媲美。 不過來自法國的acco半導體卻在不久前宣布，他們已經(jīng)找到了通往上述目標的方法。acco創(chuàng)始人兼首席技術官denis masliah表示，他們利用cmos硅工藝制造的pa有望在2009年進入手機應用。他宣稱，cmos擊穿問題一直都是阻礙上述進程的最大障礙，而由其開發(fā)的masmos工藝可以解決目前rf所用的從180nm到65nm所有cmos技術的擊穿問題，masmos具有相當于gaas器件的增益能力，擊穿電壓14v以上，并可從90nm升級到65nm甚至45nm，適合于任何代工廠，可在絕緣硅(soi)上實現(xiàn)(詳見本刊9b)。 intel也披露了其在實現(xiàn)cmos pa方面的最新進展。intel技術與制造部器件研究總監(jiān)mike mayb
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