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集成運(yùn)算放大器:制造工藝對(duì)其性能影響
點(diǎn)是di電路比p-n結(jié)隔離的等效電路需要更大的幾何面積，結(jié)果要求稍大一點(diǎn)的芯片尺寸。四、bifet工藝 bifet工藝使用離子注入，在同時(shí)包含標(biāo)準(zhǔn)的雙極型器件的芯片上，制作高擊穿電壓的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（jfet），可以把這樣一對(duì)jfet管用作運(yùn)放的輸入器件，通常是以犧牲失調(diào)電壓、漂移、cmr和噪聲指標(biāo)來(lái)獲得其它一些性能。較新的設(shè)計(jì)為工廠修正bifet運(yùn)放的失調(diào)電壓和漂移提供了可能。一些精密的bifet型放大器的實(shí)例有ad542、ad544、ad547和雙運(yùn)放ad642、ad644、ad647。五、bi-mos工藝由于jfet能被用作高阻抗的輸入級(jí)，人們可能很想考慮把mosfet管用于同一目的，某些廠商開發(fā)出能使mosfet包含在雙極型集成電路上的生產(chǎn)工藝。理想狀態(tài)mosfet管僅有氧化物漏流而沒(méi)有jfet中的結(jié)漏流。這一漏流低得多，可能使輸入偏置電流降低，然而，mosfet是種esd敏感器件，它要求在輸入級(jí)上有二極管保護(hù)，常常是這些二極管呈現(xiàn)的漏流至少像jfet輸入放大器的輸入偏置電流一樣大，而且在音頻頻譜內(nèi)，mosfet往往是比jfet更多

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