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ADP3419JRMZ-REEL
2190
MSOP/2024+
原廠渠道團(tuán)隊(duì)，終端實(shí)力商家
ADP3419JRM-REEL
9000
MSOP10/23+
找現(xiàn)貨，找原裝，找好價(jià)格，就找寶芯創(chuàng)BOM配單
ADP3419JRMZ-REEL
2190
MSOP/22+
原裝
ADP3419JRMZ-REEL
3000
SOP16/22+
原裝
ADP3419JRMZ
500
MSOP10/06+
現(xiàn)貨
ADP3419
9000
SOP/25+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
ADP3419
8000
SOP/2023+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
ADP3419
20000
SOP/2024+
13%原裝
ADP3419
5000
Micro10/22+
只做原裝
ADP3419
8000
SOP/2024+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
ADP3419
3588
-/-
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
ADP3419
92700
SOP8/23+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單服務(wù)
ADP34190091RMZR
68786
MSOP10/20+/25+
原裝優(yōu)勢(shì)大量現(xiàn)貨，歡迎咨詢(xún)
ADP34190091RMZR
16000
MSOP10/25+
歡迎咨詢(xún)，力挺實(shí)單
ADP34190091RMZR
5847
TSSOP/23+
只做原裝,專(zhuān)注海外現(xiàn)貨訂購(gòu)20年
ADP34190091RMZR
65200
-/21+
一級(jí)代理/放心采購(gòu)
ADP34190091RMZR
65428
MSOP/22+
只做現(xiàn)貨，一站式配單
ADP34190091RMZR
9000
MSOP/-
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
ADP34190091RMZR
8000
MSOP/25+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
ADP34190091RMZR
7300
-/23+
原裝現(xiàn)貨
ADP3419
Dual Bootstrapped, High Voltage MOSF...
AD
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ADP3419-D
Dual Bootstrapped, High Voltage MOSF...
ON Semiconductor
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ADP3419JRM-REEL
Dual Bootstrapped, High Voltage MOSF...
AD
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Dual Bootstrapped, High Voltage MOSF...
AD [Analog Devices]
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ADP3419JRMZ-REEL1
Dual Bootstrapped, High Voltage MOSF...
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ADP3419JRMZ-REEL1
Dual Bootstrapped, High Voltage MOSF...
AD [Analog Devices]
ADP3419JRMZ-REEL1PDF下載
，而且控制器的反饋環(huán)路的帶寬必須足夠高，以確保響應(yīng)的快速性。不幸的是，老式的控制器的帶寬有限。提高開(kāi)關(guān)頻率并無(wú)裨益，因?yàn)楹苷膸捪拗屏谁h(huán)路響應(yīng)。電感不能提供很大的電流階躍，因此需要更多的大電容。這種設(shè)計(jì)的成本和尺寸非常大，而且限制了實(shí)時(shí)輸出電壓的階躍響應(yīng)。 新型多相同步控制器可以解決這些問(wèn)題。它們穩(wěn)定而高速的反饋回路可以實(shí)現(xiàn)尺寸更小、成本更低的設(shè)計(jì)。有些控制器還支持在較低開(kāi)關(guān)頻率下單相工作，從而大大提高低電流和間歇電流條件下的效率。 圖1：當(dāng)使用兩相電源，adp3207a和adp3419對(duì)負(fù)載階躍的響應(yīng)。 若得到恰當(dāng)?shù)难a(bǔ)償，高帶寬控制器可以應(yīng)對(duì)最大的負(fù)載階躍而不會(huì)產(chǎn)生振蕩?？刂破骺梢酝ㄟ^(guò)電感提供更多電流，因此從大電容上取走的電荷量更少。新型的控制器可以快速響應(yīng)電流瞬態(tài)，并同時(shí)導(dǎo)通多個(gè)相，增加可用的負(fù)載電流而無(wú)需增加大電容?？刂破骺梢蕴幚砗艽蟮呢?fù)載階躍，從而讓電感、電容和mosfet的選擇簡(jiǎn)單易行。 確定電感值 每相數(shù)百khz的開(kāi)關(guān)頻率可以保證設(shè)計(jì)在開(kāi)關(guān)損耗、紋波和輸出濾波器的尺寸等方面取得良好平衡。輸出濾波器中的電感值取決于紋波要求而非輸出電壓。
sfet便成了唯一選擇。來(lái)自主電流和紋波電流的功率耗散是同步mosfet功率損耗的主要組成部分。 如果逆?zhèn)鬏旊娙菰陂_(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)變?yōu)楦唠娖綍r(shí)將足夠多的電荷耦合到柵極上，同步mosfet可能會(huì)意外導(dǎo)通。這會(huì)導(dǎo)致主器件和同步器件同時(shí)導(dǎo)通的直通現(xiàn)象(shoot-through)。為防止這種情況出現(xiàn)，可以使用一個(gè)反饋電容，并使它與同步器件上輸入電容的比值為1:10或者更低。 同步mosfet的關(guān)斷時(shí)間應(yīng)該小于每相的mosfet驅(qū)動(dòng)器的非重疊死區(qū)時(shí)間(dead time)。舉例來(lái)說(shuō)，adi公司的adp3419 mosfet驅(qū)動(dòng)器的輸出阻抗為1.5ω，其典型的死區(qū)時(shí)間為45ns。如果使用一個(gè)典型柵電阻為1ω的mosfet，并讓rc時(shí)間常數(shù)小于45ns，則總的柵電容值的上限為9,000pf。當(dāng)使用兩個(gè)并聯(lián)mosfet時(shí)，每個(gè)柵電容應(yīng)該小于4,500pf。 高壓端的mosfet要求能承受導(dǎo)通電流和開(kāi)關(guān)損耗所產(chǎn)生的功耗。開(kāi)關(guān)損耗來(lái)自于開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通和關(guān)斷，因此這些fet的輸入電容值必須小于同步mosfet的輸入電容值。 需要注意的另一問(wèn)題是每一相驅(qū)動(dòng)電路的損耗。每個(gè)驅(qū)動(dòng)器的總待機(jī)功耗加上提供柵電
全合一同步降壓驅(qū)動(dòng)器；1個(gè)PWM信號(hào)產(chǎn)生2個(gè)驅(qū)動(dòng)器；抗傳導(dǎo)保護(hù)電路；輸出禁用功能；斷路器控制；同步倍率控制；欠壓鎖定
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