帶有此標記的料號：
1. 表示供應商具有較高市場知名度，口碑良好，繳納了2萬保證金，經維庫認證中心嚴格審查。
2. 供應商承諾此料號是“現(xiàn)貨” ，如果無貨或數量嚴重不足(實際數量不到顯示數量一半)，投訴成立獎勵您500元。
8
PLCC32/97+
全新原裝現(xiàn)貨熱賣
帶有此標記的料號：
1. 表示供應商具有較高市場知名度，口碑良好，繳納了2萬保證金，經維庫認證中心嚴格審查。
2. 供應商承諾此料號是“現(xiàn)貨” ，如果無貨或數量嚴重不足(實際數量不到顯示數量一半)，投訴成立獎勵您500元。
1000
TSOP32/1444+
進口原裝現(xiàn)貨
552
NA/1+
全新原裝現(xiàn)貨，實單來談
AM29F040B-90JC
3658
PLCC32/19+
全新進口原裝，價格優(yōu)勢
AM29F040B-70JF
3000
PLCC32/16+
-
AM29F040B-90JC
9582
PLCC32/2122+
軍工單位指定合供方/只做原裝,自家現(xiàn)貨
AM29F040B-70JF
6003
PLCC32/22+
只售原裝，假一罰十。
AM29F040B-70EF
80000
TSOP32/23+
原裝現(xiàn)貨
AM29F040B-70JI
203060
NA/24+
一手渠道 假一罰十 原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667
AM29F040-150JC
146
-/-
-
AM29F040B-70EF
1000
+/TSOP32
原裝現(xiàn)貨，支持實單
AM29F040B-120EF
5000
TSSOP/08
進口原裝優(yōu)勢熱賣中
AM29F040B-120JI
3168
PLCC32/23+
原裝假一賠十QQ373621633
AM29F040B-120JI
1076
PLCC32/22+
原裝現(xiàn)貨，正規(guī)渠道，一站式配單
AM29F040B-70EF
1600
TSOP32/11+
全新現(xiàn)貨
AM29F040B-120PC
300
-/2015+
公司現(xiàn)貨庫存,原裝
AM29F040B-120PC
300
-/2015+
公司現(xiàn)貨庫存,原裝
AM29F040B-70JF
3562
PLCC32/22+
原裝現(xiàn)貨
AM29F040B-55JC
31
PLCC32/05+
現(xiàn)貨庫存快速報價/質量保證，量大可供
AM29F040B-70JF
2200
2013+/NA
支持實單 只做原裝
AM29F040
4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0...
AMD
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AM29F040
4 Megabit (524,288 x 8-Bit) CMOS 5.0...
AMD [Advanced Micro Devices]
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AM29F040B
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 V...
ETC
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Am29F040B
4 Mbit (512 K x 8-Bit)
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AM29F040B-1
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 V...
AMD
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AM29F040B-1
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 V...
AMD [Advanced Micro Devices]
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Advanced Micro Devices [4 Megabit (...
AMD
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AM29F040B-70
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 V...
AMD
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AM29F040B-70
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 V...
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AM29F040B-90
4 Megabit (512 K x 8-Bit) CMOS 5.0 V...
AMD
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f1ash存儲器在tms320c3x系統(tǒng)中的應用 武漢大學 李愛武 陳光大 劉湘明以基于tms320c32 dsp開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹amd公司的flash存儲器am29f040摘 要 的原理和應用；利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在f1ash存儲器內的特 性，結合tms320c3x提出實現(xiàn)dsp系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導的方法。 關鍵詞 flash存儲器 tms320c32 自動引導 am29f040引 言在對電力系統(tǒng)斷路器的狀態(tài)監(jiān)測過程中，需要對故障數據進行保存，以便于查看；而在故障期間難免會出現(xiàn)停機的現(xiàn)象，因此，如何在斷電的狀態(tài)下保存數據，就成為一個關鍵問題。對于故障出現(xiàn)的監(jiān)測裝置必須滿足兩個基本的特性--實時性和快速性。這兩種特性都需要以快速處理大量的數據信息為基礎，所以我們采用數據信號處理dsp來滿足這方面的要求?，F(xiàn)在，閃存(flash memory)已經成為dsp系統(tǒng)的一個基本的配置。 這里flash存儲器主要用來存放用戶程序代碼。一般來說，將用戶需要的程序代碼裝入f1ash存儲器有三種方法：一種是在存儲器出廠前將數據寫入；一種是用戶使用編程器自己編程；最后一
摘要：以基于tms320c32 dsp開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹amd公司的flash存儲器am29f040的原理和應用；利用它操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在flash存儲器內的特性，結合tms320c3x提出實現(xiàn)dsp系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導的方法。 關鍵詞：flash存儲器 tms320c32 自動引導 am29f040 引言 在對電力系統(tǒng)斷路器的狀態(tài)監(jiān)測過程中，需要對故障數據進行保存，以便于查撲克；在則故障期間難免會出現(xiàn)停機的現(xiàn)象，因此，如何在斷電的狀態(tài)下保存數據，就成為一個關鍵問題。對于故障出現(xiàn)的監(jiān)測裝置必須滿足兩個基本的特性——實時性和快速性。這兩種特性都需要以快速處理大量的數據信息為基礎，所以我們采用數據信號處理dsp來滿足這方面的要求。現(xiàn)在，閃存（flash memory）已經成為dsp系統(tǒng)的一個基本的配置。 這里flash存儲器主要用來存放用戶程序代碼。一般來說，將用戶需要的程序代碼裝入flash存儲器有三種方法：一種是在存儲器出廠前將數據寫入；一種是用戶使用編程器自己編程；最后一種是將存儲器安裝在用戶電路板后進行編程。隨著芯片制造工藝的提高，
sp的下位機應用程序均存在于唯一的flash中，即在讀取自身程序的同時對自身進行擦寫等操作，這顯然是不可能的，必須使用其他的獨特方法才能實現(xiàn)下位機的軟件編程操作。硬件設計為了使68mc376具有isp能力，首先需要圍繞該芯片設計flash rom擴展電路硬件和串口的收發(fā)電路。圖2中包括兩部分電路的設計，即flash擴展電路的設計和串口設計。flash擴展電路主要包括地址總線(address)、數據總線(dada bus)以及讀寫和片選信號的連接。由于68mc376外部數據總線為16位，故選擇兩片am29f040作為外部擴展flash。該flash芯片單片容量為4mbit，所以擴展的只讀存儲器共計1mbyte。由于使用68mc376的csboot連接了兩片flash的片選端，所以圖2所連接的flash rom可以實現(xiàn)硬件自啟動功能。為實現(xiàn)此功能，需要對其物理地址進行配置。在本設計中，flash的地址被配置在0x80000的位置。圖2中的串口電路為使用了光電隔離措施的串口驅動電路。由于該電路可能工作在電磁兼容環(huán)境比較惡劣的場合，所以使用6n137設計光隔電路，以免外界干擾對單片機產生影響。 軟件設計軟件設
線的32位risc處理器，處理器結構為馮·諾依曼load/store。該cpu具有兩種指令集，即arm和thumb指令集。arm指令集是32位，它可以利用cpu最大性能；而thumb指令集則是16位指令集。 arm7tdmi內核方塊圖如圖1所示。2 系統(tǒng)硬件圖 該系統(tǒng)主要以s3c4510b為核心，外圍集成了以太網卡、sdram、flash、uart以及hdlc等。圖2是以s3c4510b為核心的最小系統(tǒng)設計圖。 sdram選用hy57v653220（8mbyte）、兩片flash分別為am29f040（存放bootrom）和t28f160bt（作為文件系統(tǒng)用）。 3 vxworks操作系統(tǒng)下bsp構建 在完成板上基本硬件的測試后，下面我就開始對vxworks操作系統(tǒng)下bsp進行開發(fā)，開發(fā)前需要做一些準備工作，如準備開發(fā)工具等。 ① 開發(fā)工具用的是tornado2.2 for arm； ② 參考資料有bsp kit、s3c4510b datasheet； ③ 參考tornado2.2 for arm下自帶的wrsbcarm7 bsp； ④ 燒寫程序采用編程器。 通常在開發(fā)bsp的
am29f010引腳的分組如圖所示。am29f040只是地址總線增加到18根，沒有nc引腳，其他方面與am29f010完全相同。閃速存儲器的操作與地址、數據、ce、oe、we的組合如表所示。 圖 am29f01o的引腳分組 表 am29f010a的操作模式 1. vcc／vss 這是電源引腳。因為am29f010和am29f040都是＋5v單一電源工作的flashrom，因此，給vcc加上＋5v電壓，vss作為標準電位為0v。 2. a0～a16（地址） a0～a16是地址引腳。雖然am29f010是容量為1m位的閃速存儲器，但由于是以dq0～dq7的8位為單位進行數據輸入輸出，因此地址就是1m位÷8位＝128k，具有17根地址線。 3. dq0～dq7（數據） 這是與外部進行數據傳輸的引腳。因為am29f010通常是以8位為單位進行輸人輸出的，所以數據通常是以8位為單位進行讀取與寫人的。 4. ce（芯片使能） 這是器件的選擇信號。只有該引腳為低電平時，下面所描述的de及we信號才有效。當與cpu等連接時，對cpu的高位
幫個忙好嗎!at80c52寫 am29f040寫不了??at89c52晶振22.1184m, 寫 am29f040寫不了??sbit a18=p1^2;//分別對應am29f040地址線a18,a17,a16sbit a17=p1^1;sbit a16=p1^0;void writeflash(){ unsigned idata char i=0; a18=0; a17=0; a16=0; xbyte[0x5555]=0xaa; xbyte[0x2aaa]=0x55; xbyte[0x5555]=0xa0; for(i=0;i<0xff;i++ ) { xbyte[i]=i; } //延遲20ms; }//上面的程序寫不進去,但下面不對的程序能寫進去,到底是什么原因???////////////////////////////////////////////////sbit a18=p1^2;//分別對應am29f040地址線a18,a17,a16sbit a17=p1^1;sbit a16=p1^0;void writeflash(){ unsigned
請教!!通過單片機向am29f040寫數據 前段時間做了個單片機學習板，板子拿回來后，逐個部分焊元件調試，在調到通過單片機向片外ram(flash)寫數據時，遇到了問題，怎么也寫不進去，用萬用表測板子該連的都連上了。 我用的是am29f040，部分連接電路如圖所示，地址線和單片機對應管腳連好，簡單的匯編程序也附上。用keil編譯后生成hex文件可以通過isp下載線燒到單片機中，但發(fā)現(xiàn)片外ram(flash)內容沒變，全是ff ff ff.... 請各位高手指點指點，問題到底出在哪？電路不對還是我寫的程序不對？該怎么弄呢？ 謝謝?。。。。?---------------------------------------------------------------------;本程序僅用于調試片外flash,將am29f040b中的8段64k空間填上 00h......ffh.....00h;;-------------------------------------------------------------------- org 0000h clr p1.3
也可以用了am29f040代替也可以用了am29f040代替
誰有am29f040的pdf？
樓主的偷工減料了,肯定寫不了~~~ atmel at29c040a winbond w29c040 sst 28sf040a sst 39sf040a mxic mx29f040 tms tms29f040 (未測試) amd am29f040b.html">am29f040b (未測試) amd am29f040 (未測試) fujitsu mbm29f040 (未測試) ti tms29f040 (未測試) sst 29sf040 (未測試) stm m29f040b (未測試) bright bm29f040 (未測試)
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