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ma的表頭,則最小b時(shí)的滿量程基極電流將達(dá)0.375 ma。從集電極電流中減去基極電流會(huì)產(chǎn)生2.5%的誤差。 但是,假如你使用一個(gè)滿量程偏轉(zhuǎn)只要150ma 的動(dòng)圈表頭,則測(cè)量誤差將大大增加,因?yàn)楫?dāng)集電極電流減小時(shí),b也在減小。對(duì)bc182來說,當(dāng)集電極電流從數(shù)毫安降至 200ma 時(shí),電流增益b也會(huì)降低 0.6倍,因而影響到表頭讀數(shù)的準(zhǔn)確性。 530)this.width=530"> 為解決這一問題,改進(jìn)電路的準(zhǔn)確性,可以用一支 n 溝道 mosfet 代替 bc182,如 bsn254(圖 1)。由于 mosfet 管不需要柵極電流,因此它吸入的電流id 就等于其源極電流is。當(dāng)為這個(gè)電路選擇 mosfet 管時(shí),要注意管子的柵-源閾值電壓應(yīng)盡可能低。例如,bsn254在室溫下的柵-源閾值電壓范圍為0.8v至2v。電路的其余部分的處理與原設(shè)計(jì)實(shí)例相同,即要在 r1 上獲得最大1v電壓降,就要按下列方法計(jì)算rsense2:rsense2 = (1v/imeter),其中 rsense的單位為歐姆,1v表示r1 上的壓降,imeter 為電表滿量程讀數(shù),單位為安培。注意,1kω阻
0.3A/250V