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與mpc8250以60x總線相連，大小為64/128kb。⑩epld：給出必須的邏輯控制信號(hào)、時(shí)序調(diào)整信號(hào)、譯碼片選信號(hào)等，要用altera、xilinx等公司的產(chǎn)品。5 mpc8250與flash的接口設(shè)計(jì)在接入路由器的設(shè)計(jì)中，要求兼容8/16/32mb不同大小的flash插卡，即在驅(qū)動(dòng)程序中應(yīng)能檢測出不同大小的flash插卡，而flash插槽的數(shù)據(jù)總線寬度為32位。因此使用4片16位的flash，以存儲(chǔ)器擴(kuò)展的方式完成mpc8250與flash的接口設(shè)計(jì)，如圖3所示。chip1、chip3、chip2、chip4為4片flash芯片。其中chip1與chip3、chip2與chip4分別對應(yīng)數(shù)據(jù)線的低16位和高16位，chip1與chip2、chip3與chip4分別構(gòu)成2個(gè)存儲(chǔ)器bank，對應(yīng)mpc8250的2個(gè)片選cs3和cs4。由于構(gòu)成的是32位flash插卡，最大32mb，因此使用mpc8250的地址線a[8～29]與flash插槽的a[21～0]相連，假設(shè)flash的地址空間為0xf0000000～0xf1ffffff，那么當(dāng)分別使用8/16/32mb大小的flash插卡時(shí)，以in
耗散的功率在ansys中用生熱率hgen來表示，其計(jì)算公式如下： 其中：p為功耗，v為元件的體積2.3 ansys有限元熱模擬流程 本文通過ansys軟件創(chuàng)建幾何模型，以底向上和自頂向下方法創(chuàng)建實(shí)體模型。在創(chuàng)建實(shí)體模型過程中，由于電子元件結(jié)構(gòu)復(fù)雜，為了網(wǎng)格劃分方便及結(jié)果的準(zhǔn)確性，可以簡化實(shí)體模型，選用適合不規(guī)則形狀單元?jiǎng)澐值膕olid87 10節(jié)點(diǎn)單元。 3、有限元求解溫度場3.1 二維溫度場實(shí)例分析 布局1：chip1 ，chip2并排一側(cè)邊，chip3緊靠chip1一側(cè)。 最高溫度為101.5℃，最低溫度為92.7℃。 布局2：chip1 ，chip2并排一側(cè)邊，chip3在pcb板另一側(cè)。最高溫度為90℃，最高溫度為70.7℃。 3.2比較分析 1、比較兩個(gè)最終模擬溫度場的分析結(jié)果，可以明顯發(fā)現(xiàn)布局2的最高溫度和最低溫度均得到很大程度的降低（約10∽20℃），這個(gè)數(shù)值對電子的熱可靠性是非常可觀的。例如,統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表明,民航的電子設(shè)備每降低1℃,其失效率將下降4%,可見溫升的控制(熱設(shè)計(jì)
不好意思，說得不全，現(xiàn)在補(bǔ)充一下，看還需要說明什么我用的是lcd 128*64 ks0108 驅(qū)動(dòng) 用pic單片機(jī) #ifndef ks0108_cs1#define ks0108_cs1 re1 // chip1 select#endif#ifndef ks0108_cs2#define ks0108_cs2 rc2 // chip2 select#endif#ifndef ks0108_di // ___________#define ks0108_di ra3 // data/instruction#endif#ifndef ks0108_rw // _____#define ks0108_rw rc5 // read/write#endif#ifndef ks0108_e#define ks0108_e ra4 // enable#endif#i
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