大存儲(chǔ)空間高精度數(shù)字中頻面目標(biāo)模擬器設(shè)計(jì)

am。其工作過程為：第n-1觸發(fā)周期內(nèi)從flash存儲(chǔ)器讀出數(shù)據(jù)寫入a，延時(shí)時(shí)刻到達(dá)后b中的數(shù)據(jù)輸出給d／a轉(zhuǎn)換器；第n觸發(fā)周期內(nèi)從flash存儲(chǔ)器讀出數(shù)據(jù)寫入b，延時(shí)時(shí)刻到達(dá)后a中的數(shù)據(jù)輸出給d／a轉(zhuǎn)換器；依此循環(huán)往復(fù)進(jìn)行。這樣數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)存和輸出分隔開來(lái)，互不影響，只要flash存儲(chǔ)器的速度滿足在一個(gè)觸發(fā)周期內(nèi)把一條回波數(shù)據(jù)輸出完畢就可以確?；夭ㄒ来屋敵?。這就大大降低了對(duì)flash存儲(chǔ)器的要求，降低了設(shè)計(jì)成本。 基于以上思想，設(shè)計(jì)中選擇兩片intel公司大容量strata flash存儲(chǔ)器e28f256j3a-150作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。該flash芯片具有寫緩沖(write buffer)模式和異步頁(yè)讀(asynchronous page mode)模式，數(shù)據(jù)寬度可在8 bit和16 bit之間選擇。當(dāng)該芯片工作在異步頁(yè)讀模式時(shí)，其最快的單個(gè)數(shù)據(jù)平均讀出時(shí)間為56.25 ns，在脈沖重頻周期為100μs時(shí)，一個(gè)周期內(nèi)可完成1 777個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)的轉(zhuǎn)存，滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求。同時(shí)，它的寫緩沖模式使得它具有較快的寫入速度，每片高達(dá)256 mbit的容量使得i、q兩路各用1片即可存儲(chǔ)所有數(shù)據(jù)。 2.2 數(shù)據(jù)加載 數(shù)據(jù)