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SOD523/24+
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SOD523/24+
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SOD523/0945+
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ESD5Z5.0T1G
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柒號芯城跟原廠的距離只有0.07公分
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SOD523/-
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ESD5Z5.0T1G
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澤芯微售出每顆芯片只能是原裝83227865澤芯微售出每顆...
ESD5Z5.0T1G
900000
SOD523/2024+ROHS
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ESD5Z5.0T1G
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SOD523/19+
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ESD5Z5.0T1G
258600
SOD523/25+
正規(guī)一般納稅人,原裝,開16%增值票
ESD5Z5.0T1G
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SOD523/19+
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Transient Voltage Suppressors
ONSEMI
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ESD5Z5.0T1
Transient Voltage Suppressors
ONSEMI [ON Semiconductor]
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ESD5Z5.0T1G
TVS DIODE 5VWM 18.6VC SOD523
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ESD5Z5.0T1G
Transient Voltage Suppressors Micro&...
ONSEMI [ON Semiconductor]
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安森美半導體(on semiconductor)推出全新高性能、微型封裝的靜電放電(esd)保護二極管系列,專為便攜式產品和電池供電應用中電壓敏感元件提供單線保護而設計。 新系列中的五個esd5z器件包括esd5z2.5t1(2.5 v), esd5z3.3t1(3.3 v), esd5z5.0t1 (5.0 v), esd5z6.0t1(6.0 v)和esd5z7.0t1(7.0 v)。這些器件為鉗制快速上升的esd脈沖而設計,防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30 kv的輸入波形(符合 iec61000-4-2 標準)將在幾納秒鐘內被esd5z 系列器件鉗制到7v以下 。這些器件尺寸小,便于放置在esd 可進入系統(tǒng)的輸入/輸出端口附近,因此可在瞬態(tài)電壓耦合到板上其它部分之前將其抑制。在關閉狀態(tài)下,這些esd5z器件的泄漏電流僅為5 納安(na)之低,因此是極重要的節(jié)電應用的理想選擇 。這些器件也適用于保護電壓敏感元件,防止電源線上的負載開關產生瞬流,并且可以在8 x 20 微秒(μsec)的脈沖波形內耗散200 w。 esd5z 器件采用超小的sod-523
高的esd保護標準 新型esd5z器件系列為便攜式產品和電池供電應用提供單線保護,具有優(yōu)異的esd 鉗制性能,占位面積僅1.6 mm x 0.8 mm 2005年2月28日-安森美半導體(on semiconductor,美國納斯達克上市代號:onnn)推出全新高性能、微型封裝的靜電放電(esd)保護二極管系列,專為便攜式產品和電池供電應用中電壓敏感元件提供單線保護而設計。 新系列中的五個esd5z器件包括esd5z2.5t1(2.5 v), esd5z3.3t1(3.3 v), esd5z5.0t1 (5.0 v), esd5z6.0t1(6.0 v)和esd5z7.0t1(7.0 v)。這些器件為鉗制快速上升的esd脈沖而設計,防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30 kv的輸入波形(符合 iec61000-4-2 標準)將在幾納秒鐘內被esd5z 系列器件鉗制到7v以下 。這些器件尺寸小,便于放置在esd 可進入系統(tǒng)的輸入/輸出端口附近,因此可在瞬態(tài)電壓耦合到板上其它部分之前將其抑制。在關閉狀態(tài)下,這些esd5z器件的泄漏電流僅為5 納安(na)之低,因此是極重要的節(jié)電應用的理想選擇 。
產品型號:ESD5Z5.0T1G
雪崩電壓VBR Min.(V):6.200
雪崩電壓VBR Nom.(V):-
雪崩電壓VBR Max.(V):-
IT(mA):1
峰值反向工作電壓VRWM(V):5
最大反向漏電流IR(uA):0.050
最大反向電壓(鉗位電壓)VC(V):18.600
最大反向浪涌電...
安森美半導體公司(on semiconductor)日前推出一款高性能、微型封裝的靜電放電(esd)保護二極管系列產品,專為手機、pda和mp3播放器等便攜式產品和電池供電應用中電壓敏感元件提供單線保護而設計。 新系列中的五個esd5z器件包括esd5z2.5t1 (2.5v)、esd5z3.3t1 (3.3v)、esd5z5.0t1 (5.0v)、esd5z6.0t1(6.0v)和esd5z7.0t1 (7.0v)。這些器件為鉗制快速上升的esd脈沖而設計,防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30kv的輸入波形(符合iec61000-4-2標準)將在幾納秒鐘內被esd5z系列器件鉗制到7v以下。 這些器件尺寸小,便于放置在esd可進入系統(tǒng)的輸入/輸出端口附近,因此可在瞬態(tài)電壓耦合到板上其它部分之前將其抑制。在關閉狀態(tài)下,這些esd5z器件的泄漏電流僅為5納安(na),因此非常適合于節(jié)電應用。這些器件也適用于保護電壓敏感元件,防止電源線上的負載開關產生瞬流,并且可以在8×20微秒(μsec)的脈沖波形內耗散200w。 esd5z系列的性能優(yōu)于常用的多層變阻器(mlv),同時還保持
近日,安森美半導體(on semiconductor,美國納斯達克上市代號:onnn)推出全新高性能、微型封裝的靜電放電(esd)保護二極管系列,專為便攜式產品和電池供電應用中電壓敏感元件提供單線保護而設計。 新系列中的五個esd5z器件包括esd5z2.5t1(2.5 v), esd5z3.3t1(3.3 v), esd5z5.0t1 (5.0 v), esd5z6.0t1(6.0 v)和esd5z7.0t1(7.0 v)。這些器件為鉗制快速上升的esd脈沖而設計,防止對板上的電壓敏感元件造成損壞。30 kv的輸入波形(符合 iec61000-4-2 標準)將在幾納秒鐘內被esd5z 系列器件鉗制到7v以下 。這些器件尺寸小,便于放置在esd 可進入系統(tǒng)的輸入/輸出端口附近,因此可在瞬態(tài)電壓耦合到板上其它部分之前將其抑制。在關閉狀態(tài)下,這些esd5z器件的泄漏電流僅為5 納安(na)之低,因此是極重要的節(jié)電應用的理想選擇 。這些器件也適用于保護電壓敏感元件,防止電源線上的負載開關產生瞬流,并且可以在8 x 20 微秒(μsec)的脈沖波形內耗散200 w。 esd