FDFMA2P859T
20000
SPM32AAP/22+
奧利騰只做原裝正品，實單價優(yōu)可談
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20000
SOP/2024+
17%原裝.深圳送貨
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4332
-/22+
公司現(xiàn)貨，進口原裝熱賣
FDFMA2P859T
4332
-/-
公司現(xiàn)貨，進口原裝熱賣
FDFMA2P859T
7764
MicroFET(2x2)/23+
原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票
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25000
6MICROFET/22+
只有原裝原裝，支持BOM配單
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9000
6UDFN/2024+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
FDFMA2P859T
9000
6UDFN/23+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
FDFMA2P859T
25000
6MICROFET/22+
只有原裝原裝，支持BOM配單
FDFMA2P859T
8000
SPM32AAP/2024+
原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單
FDFMA2P859T
9000
6UDFN/25+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
FDFMA2P859T
10000
MicroFET(2x2)/24+
原裝現(xiàn)貨
FDFMA2P859T
15988
DPAK/25+
助力國營二十余載，一站式BOM配單
FDFMA2P859T
50000
MOSFET PCH 20V 3A MICROFET/2020+
原裝現(xiàn)貨配單
FDFMA2P859T
9000
6UDFN/22+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
FDFMA2P859T
9595
-/14+
原裝現(xiàn)貨熱賣
FDFMA2P859T
9000
6UDFN/22+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單
FDFMA2P859T
3000
6MicroFET2x2/20+
原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢渠道
FDFMA2P859T
19550
-/2018+
原裝 部分現(xiàn)貨量大期貨
FDFMA2P859T
15500
MicroFET(2x2)/23+
主營ON,原廠代理，保證
FDFMA2P859T
Fairchild
FDFMA2P859TPDF下載
3,000
分離式半導體產品
FET - 單
PowerTrench®
MOSFET P 通道，金屬氧化物
二極管（隔離式）
20V
3A
120 毫歐 @ 3A，4.5V
1.3V @ 250µA
6nC @ 4.5V
435pF @ 10V
700mW
表面貼裝
6-WDFN 裸露焊盤
6-MicroFET（2x5）
帶卷 (TR)
FDFMA2P859TTR
日前,飛兆半導體公司(farichild semiconductor)宣布其microfet現(xiàn)推出行業(yè)領先的薄型封裝版本,幫助設計人員提升其設計性能.飛兆半導體與設計工程師和采購經理合作,開發(fā)了集成式p溝道powertrench mosfet與肖特基二極管器件fdfma2p859t,利用單一封裝解決方案,滿足對電池充電和功率多工(power-multiplexing)應用至關重要的效率和熱性能需求. 相比傳統(tǒng)mosfet器件,fdfma2p859t具有出色的功率耗散和傳導損耗特性,且其封裝高度為0.55mm,比行業(yè)標準0.8mm microfet降低了30%,適用于在最新的便攜式手機、媒體播放器和醫(yī)療設備中常見的薄型設計. fdfma2p859t專為滿足客戶的設計需求而開發(fā),在緊湊的占位面積中提供了出色的熱性能,并確保肖特基二極管在vr=10v下保持1?a的極低反向泄漏電流(lr).這些特性都能夠大大提升線性模式電池充電和功率多工應用的性能和效率. fdfma2p859t是飛兆半導體廣泛的mosfet產品系列的一部分,此系列的特別設計能夠滿足當今和未來設計之效率、空
飛兆半導體公司(farichild semiconductor)宣布其microfet現(xiàn)推出行業(yè)領先的薄型封裝版本,幫助設計人員提升其設計性能.飛兆半導體與設計工程師和采購經理合作,開發(fā)了集成式p溝道powertrench? mosfet 與肖特基二極管器件fdfma2p859,利用單一封裝解決方案,滿足對電池充電和功率多工(power-multiplexing)應用至關重要的效率和熱性能需求. 相比傳統(tǒng)mosfet器件,fdfma2p859t 具有出色的功率耗散和傳導損耗特性,且其封裝高度為0.55mm,比行業(yè)標準0.8mm microfet降低了30%,適用于在最新的便攜式手機、媒體播放器和醫(yī)療設備中常見的薄型設計. fdfma2p859t專為滿足客戶的設計需求而開發(fā),在緊湊的占位面積中提供了出色的熱性能,并確保肖特基二極管在vr=10v下保持1?a的極低反向泄漏電流(lr).這些特性都能夠大大提升線性模式電池充電和功率多工應用的性能和效率. fdfma2p859t是飛兆半導體廣泛的mosfet產品系列的一部分,此系列的特別設計能夠滿足當今和未來設計之效率、空間
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