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800V N-Channel MOSFET
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800V N-Channel MOSFET
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800V N-Channel MOSFET
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MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
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,并聯(lián)的任務(wù)是使每只功率管的結(jié)溫小于極限值并工作在安全工作區(qū)內(nèi)。除采取相關(guān)措施外,并聯(lián)的功率管必須降額使用。為提高可靠性,并聯(lián)管子的數(shù)量越多,降額越大,使冗余量加大。三只管子以上并聯(lián)時(shí),每只管子應(yīng)降額25%以上。 如果受空間限制,不允許有過多的功率管并聯(lián),則需要按開通閾值vth篩選功率管,使配組使用的管子vth差別在10%以內(nèi)。這樣功率管的電流降額幅度可適當(dāng)減小。 5 實(shí)驗(yàn)結(jié)果 實(shí)驗(yàn)電路原理見圖4。移相全橋zvzcs電路中的超前臂開關(guān)管q1, q3分別采用四只fairchild公司mosfet(fqa13n80)并聯(lián),滯后臂開關(guān)管q2,q4分別采用三只ir公司igbt(irg4pf50w)并聯(lián)。圖5為主變壓器原邊電流的實(shí)測波形。電流波形的前沿尖峰是由于主變壓器副邊整流管在換流結(jié)束后的反恢復(fù)特性引起的。通過遵循第2,3節(jié)中提到的一些保證均流措施,并聯(lián)功率管的均流度可以保持在±10%范圍內(nèi)。 本文摘自《半導(dǎo)體技術(shù)》 來源:零八我的愛