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2.4G 射頻雙向功放的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
功率控制端接到rf5189功率控制端，兩片功率放大芯片采用統(tǒng)一的控制電壓信號進(jìn)行控制。它的輸入輸出阻抗并不是50ω，所以需要外加匹配電路，匹配電路中使用的電容選擇自諧振頻率與q值高，等效串連阻抗esr很小的射頻電容，以減小信號在阻抗匹配電路中的損耗。在本設(shè)計(jì)中阻抗匹配電容選擇美國技術(shù)陶瓷（atc）公司的atc100a系列陶瓷電容，它的品質(zhì)因素（q值）：>10000@1mhz應(yīng)用電路如圖3。低噪聲放大（lna）電路的設(shè)計(jì) 低噪聲放大芯片選擇hittite公司的hmc286e。hmc286e是專門為2.3ghz~2.5ghz的擴(kuò)頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)的低噪聲放大器（lna），在+3v供電情況下可以提供19db信號增益和1.7db的低噪聲系數(shù)，并且耗電僅8.5ma。在2.4ghz時(shí)的一階增益壓縮點(diǎn)（p1db）是+6dbm，三階交調(diào)截取點(diǎn)（ip3）是+12dbm。在接收低噪聲放大器（lna）輸入端加一級帶通濾波器，考慮到實(shí)際功放尺寸的限制，本設(shè)計(jì)采用表面安裝的低溫?zé)Y(jié)陶瓷（ltcc，low-temperature cofired ceramics）帶通濾波器bf2520-b2
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口的匹配電路與rf隔直電容，所以rf5189輸入輸出端直接加特性阻抗為50ω的傳輸線進(jìn)行信號的傳輸。第二級功率放大芯片采用rfmd公司的rf2126。rf2126的功率控制端接到rf5189功率控制端，兩片功率放大芯片采用統(tǒng)一的控制電壓信號進(jìn)行控制。它的輸入輸出阻抗并不是50ω，所以需要外加匹配電路，匹配電路中使用的電容選擇自諧振頻率與q值高，等效串連阻抗esr很小的射頻電容，以減小信號在阻抗匹配電路中的損耗。低噪聲放大（lna）電路的設(shè)計(jì) 低噪聲放大芯片選擇hittite公司的hmc286e。hmc286e是專門為2.3ghz~2.5ghz的擴(kuò)頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)的低噪聲放大器（lna），在+3v供電情況下可以提供19db信號增益和1.7db的低噪聲系數(shù)，并且耗電僅8.5ma。在2.4ghz時(shí)的一階增益壓縮點(diǎn)（p1db）是+6dbm，三階交調(diào)截取點(diǎn)（ip3）是+12dbm。在接收低噪聲放大器（lna）輸入端加一級帶通濾波器，考慮到實(shí)際功放尺寸的限制，本設(shè)計(jì)采用表面安裝的低溫?zé)Y(jié)陶瓷（ltcc，low-temperature cofired ceramics）帶通濾波器bf2520-b2

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