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hittite microwave公司發(fā)布兩款用于頻率范圍為3～7ghz的點對點無線電、wimax基礎設施、測試裝置和軍事應用的無源gaas mesfet i/q混頻器。 hmc620lc4是一個可在3～7ghz頻率范圍內(nèi)提供32db鏡像抑制、43db lo至rf隔離度以及+22dbm穩(wěn)定輸入ip3性能的無源i/q混頻器/irm。這個經(jīng)過精心設計的雙平衡混頻器集成電路可確保出色的振幅和相位平衡，同時將變頻損耗限制在標稱值8db。hmc620是一個工作頻率范圍相同的緊湊型芯片混頻器，可提供33db的鏡像抑制、45db的lo至rf隔離度以及+23dbm的輸入ip3性能。這兩款混頻器都具有dc～3.5ghz的出色中頻帶寬，可以用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 來源:ks99
hittite microwave公司日前發(fā)布兩款用于頻率范圍為3～7ghz的點對點無線電、wimax基礎設施、測試裝置和軍事應用的無源gaas mesfet i/q混頻器。 hmc620lc4是一個可在3～7ghz頻率范圍內(nèi)提供32db鏡像抑制、43db lo至rf隔離度以及+22dbm穩(wěn)定輸入ip3性能的無源i/q混頻器/irm。這個經(jīng)過精心設計的雙平衡混頻器集成電路可確保出色的振幅和相位平衡，同時將變頻損耗限制在標稱值8db。hmc620是一個工作頻率范圍相同的緊湊型芯片混頻器，可提供33db的鏡像抑制、45db的lo至rf隔離度以及+23dbm的輸入ip3性能。這兩款混頻器都具有dc～3.5ghz的出色中頻帶寬，可以用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 hmc620lc4采用符合rohs指令的4×4mm表面安裝封裝，指定的工作溫度范圍為-40℃～+85℃。hmc620裸片可提供混合mic和mcm組裝方式，指定的工作溫度范圍為-55℃～+85℃。
hittite microwave公司日前發(fā)布兩款用于頻率范圍為3～7ghz的點對點無線電、wimax基礎設施、測試裝置和軍事應用的無源gaas mesfet i/q混頻器。 hmc620lc4是一個可在3～7ghz頻率范圍內(nèi)提供32db鏡像抑制、43db lo至rf隔離度以及+22dbm穩(wěn)定輸入ip3性能的無源i/q混頻器/irm。這個經(jīng)過精心設計的雙平衡混頻器集成電路可確保出色的振幅和相位平衡，同時將變頻損耗限制在標稱值8db。hmc620是一個工作頻率范圍相同的緊湊型芯片混頻器，可提供33db的鏡像抑制、45db的lo至rf隔離度以及+23dbm的輸入ip3性能。這兩款混頻器都具有dc～3.5ghz的出色中頻帶寬，可以用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 hmc620lc4采用符合rohs指令的4×4mm表面安裝封裝，指定的工作溫度范圍為-40℃～+85℃。hmc620裸片可提供混合mic和mcm組裝方式，指定的工作溫度范圍為-55℃～+85℃。
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hittite microwave公司日前發(fā)布兩款用于頻率范圍為3～7ghz的點對點無線電、wimax基礎設施、測試裝置和軍事應用的無源gaas mesfet i/q混頻器。 hmc620lc4是一個可在3～7ghz頻率范圍內(nèi)提供32db鏡像抑制、43db lo至rf隔離度以及+22dbm穩(wěn)定輸入ip3性能的無源i/q混頻器/irm。這個經(jīng)過精心設計的雙平衡混頻器集成電路可確保出色的振幅和相位平衡，同時將變頻損耗限制在標稱值8db。hmc620是一個工作頻率范圍相同的緊湊型芯片混頻器，可提供33db的鏡像抑制、45db的lo至rf隔離度以及+23dbm的輸入ip3性能。這兩款混頻器都具有dc～3.5ghz的出色中頻帶寬，可以用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 hmc620lc4采用符合rohs指令的4×4mm表面安裝封裝，指定的工作溫度范圍為-40℃～+85℃。hmc620裸片可提供混合mic和mcm組裝方式，指定的工作溫度范圍為-55℃～+85℃。
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