-
-
- 手機(jī)版
-
- 芯視頻 APP
-
- 微信公眾號(hào)
-
- 維庫(kù)官方抖音
-
- 微信頭條號(hào)
-
- |
-
- |
- |
- |
IRF6665TRPBF
15656
-/22+
誠(chéng)信合作 一站配件
IRF6665TRPBF
19200
Direct FET/22+
原裝，香港/深圳可交貨
IRF6665
9000
-/2010
原裝無(wú)鉛
IRF6665
10000
DirectFET SH/25+
有上有貨原裝現(xiàn)貨可看貨，提供配單服務(wù)
IRF6665
29078
-/-
現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進(jìn)口件，服務(wù)型企業(yè)
IRF6665
6000
QFN/23+
原裝現(xiàn)貨 只做原廠原裝優(yōu)勢(shì)庫(kù)存 自家?guī)齑?/p>
IRF6665
5000
DirectFET SH/24+
優(yōu)勢(shì)渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務(wù)
IRF6665
28683
QFN8/21+
原裝現(xiàn)貨終端免費(fèi)提供樣品
IRF6665
12500
QFN/24+
100%原裝深圳現(xiàn)貨
IRF6665
48000
DirectFET SH/24+
原裝現(xiàn)貨，可開(kāi)專票，提供賬期服務(wù)
IRF6665
9000
DirectFET Isometric SH/2025+
公司原裝現(xiàn)貨庫(kù)存，支持實(shí)單
IRF6665
1542
TO220/22+
匯融科技/價(jià)格給力/實(shí)單必成
IRF6665
21403
DirectFET SH/23+
原裝現(xiàn)貨，長(zhǎng)期供應(yīng)
IRF6665
5000
DirectFET SH/23+
原裝庫(kù)存，提供優(yōu)質(zhì)服務(wù)
IRF6665
15000
QFN/23+
只做進(jìn)口原裝假一賠十
IRF6665
25000
QFN/22+
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨，專注配單
IRF6665
105000
QFN/23+
十年配單，只做原裝
IRF6665
9200
QFN/23+
只做原裝更多數(shù)量在途訂單
IRF6665
8700
DirectFET SH/23+
原裝現(xiàn)貨
IRF6665
DIGITAL AUDIO MOSFET
IRF
IRF6665PDF下載
IRF6665
DIGITAL AUDIO MOSFET
IRF [International Rectifier]
IRF6665PDF下載
IRF6665TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
IRF6665TRPBFPDF下載
IRF6665TR1PBF
MOSFET, N, DIRECTFET, 100V, SH; Tran...
International Rectifier
IRF6665TR1PBFPDF下載
片上，還配備了片上誤差放大器、模擬pwm調(diào)制器、可編程預(yù)置死區(qū)時(shí)間和先進(jìn)保護(hù)功能。 為了在不同通道之間實(shí)現(xiàn)一流的隔離，音頻驅(qū)動(dòng)器部署了已獲肯定的高壓結(jié)隔離技術(shù)和采用gen 5 hvic工藝的浮動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器。這樣就在裸片上實(shí)現(xiàn)了良好的內(nèi)部信號(hào)隔離，這使得電路可以同時(shí)處理更多通道的信號(hào)，從而把每個(gè)通道的基本噪音保持在非常低的水平，同時(shí)盡可能減小了通道之間的串?dāng)_。 接著，我們建構(gòu)了如圖2所示的4通道半橋d類音頻放大器電路，它結(jié)合了集成式d類音頻控制器和柵極驅(qū)動(dòng)器irs2093m，并搭配8個(gè)irf6665 directfet功率mosfet以及幾個(gè)無(wú)源器件。該多通道音頻放大器的每個(gè)通道都被設(shè)計(jì)成能夠提供120w的輸出功率。為便于使用，該電路包含了所有必需的內(nèi)部管理電源。 圖2：這款4通道半橋d類音頻放大器設(shè)計(jì)采用了集成式d類音頻控制器和irs2093m柵極驅(qū)動(dòng)器，以及8顆irf6665 directfet mosfet和一些無(wú)源器件。 為達(dá)到最佳整體性能，irf6665功率mosfet特別針對(duì)d類放大器設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。除了提供低通態(tài)電阻，還對(duì)功率mosfet做了改進(jìn)以獲得最小
片上，還配備了片上誤差放大器、模擬pwm調(diào)制器、可編程預(yù)置死區(qū)時(shí)間和先進(jìn)保護(hù)功能。 為了在不同通道之間實(shí)現(xiàn)一流的隔離，音頻驅(qū)動(dòng)器部署了已獲肯定的高壓結(jié)隔離技術(shù)和采用gen 5 hvic工藝的浮動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器。這樣就在裸片上實(shí)現(xiàn)了良好的內(nèi)部信號(hào)隔離，這使得電路可以同時(shí)處理更多通道的信號(hào)，從而把每個(gè)通道的基本噪音保持在非常低的水平，同時(shí)盡可能減小了通道之間的串?dāng)_。 接著，我們建構(gòu)了如圖2所示的4通道半橋d類音頻放大器電路，它結(jié)合了集成式d類音頻控制器和柵極驅(qū)動(dòng)器irs2093m，并搭配8個(gè)irf6665 directfet功率mosfet以及幾個(gè)無(wú)源器件。該多通道音頻放大器的每個(gè)通道都被設(shè)計(jì)成能夠提供120w的輸出功率。為便于使用，該電路包含了所有必需的內(nèi)部管理電源。 圖2：這款4通道半橋d類音頻放大器設(shè)計(jì)采用了集成式d類音頻控制器和irs2093m柵極驅(qū)動(dòng)器， 以及8顆irf6665 directfet mosfet和一些無(wú)源器件。 為達(dá)到最佳整體性能，irf6665功率mosfet特別針對(duì)d類放大器設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。除了提供低通態(tài)電阻，還對(duì)功率mosfet做了改進(jìn)以獲得最小柵極
片上，還配備了片上誤差放大器、模擬pwm調(diào)制器、可編程預(yù)置死區(qū)時(shí)間和先進(jìn)保護(hù)功能。 為了在不同通道之間實(shí)現(xiàn)一流的隔離，音頻驅(qū)動(dòng)器部署了已獲肯定的高壓結(jié)隔離技術(shù)和采用gen 5 hvic工藝的浮動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器。這樣就在裸片上實(shí)現(xiàn)了良好的內(nèi)部信號(hào)隔離，這使得電路可以同時(shí)處理更多通道的信號(hào)，從而把每個(gè)通道的基本噪音保持在非常低的水平，同時(shí)盡可能減小了通道之間的串?dāng)_。 接著，我們建構(gòu)了如圖2所示的4通道半橋d類音頻放大器電路，它結(jié)合了集成式d類音頻控制器和柵極驅(qū)動(dòng)器irs2093m，并搭配8個(gè)irf6665 directfet功率mosfet以及幾個(gè)無(wú)源器件。該多通道音頻放大器的每個(gè)通道都被設(shè)計(jì)成能夠提供120w的輸出功率。為便于使用，該電路包含了所有必需的內(nèi)部管理電源。 圖2：這款4通道半橋d類音頻放大器設(shè)計(jì)采用了集成式d類音頻控制器和irs2093m柵極驅(qū)動(dòng)器，以及8顆irf6665 directfet mosfet和一些無(wú)源器件。 為達(dá)到最佳整體性能，irf6665功率mosfet特別針對(duì)d類放大器設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。除了提供低通態(tài)電阻，還對(duì)功率mosfet做了改進(jìn)以獲得最小
國(guó)際整流器公司（international rectifier，簡(jiǎn)稱ir）為中等功率的d類音頻放大器推出irf6665 directfet™ mosfet。此款設(shè)計(jì)旨在改進(jìn)音頻器件的效率、總諧波失真（thd）、功率密度等性能。d類放大器應(yīng)用廣泛，從電池驅(qū)動(dòng)的便攜式產(chǎn)品到高端的專業(yè)級(jí)放大器，從樂(lè)器到汽車和家庭多媒體系統(tǒng)均能適用。 在針對(duì)應(yīng)用專門優(yōu)化的硅片上，ir的directfet™封裝技術(shù)通過(guò)降低引線電感提高了d類音頻放大器的性能，進(jìn)而改善開(kāi)關(guān)性能、降低電磁噪聲。由于效率提升，無(wú)需散熱器即可在8歐阻抗上運(yùn)行100w功率。散熱器的免除減少了電路面積和體積，設(shè)計(jì)布局更靈活，放大器成本也更低。 決定d類音頻性能的重要mosfet參數(shù)包括器件導(dǎo)通電阻rds(on)和柵電荷qg，這兩者決定放大器效率。 ir中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富表示：“ir在同步整流和功率mosfet開(kāi)關(guān)電路上的專業(yè)技術(shù)適用于d類音頻拓?fù)洹＞C合了ir獨(dú)特的directfet封裝和特殊應(yīng)用器件參數(shù)后， d類音頻性能封套將具備更高效率，更完善的emi和更佳功率密度?！?產(chǎn)品型號(hào)封裝bvd
功率管理領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司（international rectifier，簡(jiǎn)稱ir）為中等功率的d類音頻放大器推出irf6665 directfet™ mosfet。此款設(shè)計(jì)旨在改進(jìn)音頻器件的效率、總諧波失真（thd）、功率密度等性能。d類放大器應(yīng)用廣泛，從電池驅(qū)動(dòng)的便攜式產(chǎn)品到高端的專業(yè)級(jí)放大器，從樂(lè)器到汽車和家庭多媒體系統(tǒng)均能適用。 在針對(duì)應(yīng)用專門優(yōu)化的硅片上，ir的directfet™封裝技術(shù)通過(guò)降低引線電感提高了d類音頻放大器的性能，進(jìn)而改善開(kāi)關(guān)性能、降低電磁噪聲。由于效率提升，無(wú)需散熱器即可在8歐阻抗上運(yùn)行100w功率。散熱器的免除減少了電路面積和體積，設(shè)計(jì)布局更靈活，放大器成本也更低。 決定d類音頻性能的重要mosfet參數(shù)包括器件導(dǎo)通電阻rds(on)和柵電荷qg，這兩者決定放大器效率。 ir中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富表示：“ir在同步整流和功率mosfet開(kāi)關(guān)電路上的專業(yè)技術(shù)適用于d類音頻拓?fù)?。綜合了ir獨(dú)特的directfet封裝和特殊應(yīng)用器件參數(shù)后， d類音頻性能封套將具備更高效率，更完善的emi和更佳功率密度。” 產(chǎn)品型號(hào)
功率管理領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司（international rectifier，簡(jiǎn)稱ir）為中等功率的d類音頻放大器推出irf6665 directfet™ mosfet。此款設(shè)計(jì)旨在改進(jìn)音頻器件的效率、總諧波失真（thd）、功率密度等性能。d類放大器應(yīng)用廣泛，從電池驅(qū)動(dòng)的便攜式產(chǎn)品到高端的專業(yè)級(jí)放大器，從樂(lè)器到汽車和家庭多媒體系統(tǒng)均能適用。 在針對(duì)應(yīng)用專門優(yōu)化的硅片上，ir的directfet™封裝技術(shù)通過(guò)降低引線電感提高了d類音頻放大器的性能，進(jìn)而改善開(kāi)關(guān)性能、降低電磁噪聲。由于效率提升，無(wú)需散熱器即可在8歐阻抗上運(yùn)行100w功率。散熱器的免除減少了電路面積和體積，設(shè)計(jì)布局更靈活，放大器成本也更低。 決定d類音頻性能的重要mosfet參數(shù)包括器件導(dǎo)通電阻rds(on)和柵電荷qg，這兩者決定放大器效率。 ir中國(guó)及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國(guó)富表示：“ir在同步整流和功率mosfet開(kāi)關(guān)電路上的專業(yè)技術(shù)適用于d類音頻拓?fù)?。綜合了ir獨(dú)特的directfet封裝和特殊應(yīng)用器件參數(shù)后， d類音頻性能封套將具備更高效率，更完善的emi和更佳功率密度?！?/p>
死區(qū)時(shí)間、雙向過(guò)流感應(yīng)等功能可保護(hù)放大器系統(tǒng)。此外，這些特性還可以使音頻設(shè)計(jì)師簡(jiǎn)化電路并減少家庭影院娛樂(lè)系統(tǒng)、影音接收機(jī)和汽車音響系統(tǒng)中d類音頻放大器的元件數(shù)量。 內(nèi)置的可選死區(qū)時(shí)間生成電路可對(duì)穩(wěn)定性進(jìn)行熱補(bǔ)償，并具有噪聲和電源電壓波動(dòng)免疫功能，以改善總諧波失真thd。 irs20124s內(nèi)置雙向電流感應(yīng)和集成的關(guān)斷功能，在出現(xiàn)揚(yáng)聲器引線短路等過(guò)流狀況時(shí)保護(hù)輸出mosfet。 ir消費(fèi)及工業(yè)產(chǎn)品部副總裁譚仲能指出：“使用這一新型d類音頻集成電路來(lái)驅(qū)動(dòng)音頻mosfet（如irf6665），電路設(shè)計(jì)人員可以減少系統(tǒng)占板空間，改進(jìn)pcb布局，降低emi和改善熱特性?！?譚先生認(rèn)為，“d類音頻電路需要承受高頻開(kāi)關(guān)的高電壓變化，ir專門為開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的mosfet和高壓控制集成電路非常適合數(shù)字音頻系統(tǒng)的需要。其針對(duì)特殊應(yīng)用的器件具有更高的效率，能增加功率密度并具有更好的音頻性能?！?設(shè)計(jì)支持 在ir音頻網(wǎng)頁(yè)http://www.irf.com/product-info/audio/ 可訪問(wèn)相關(guān)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)表、產(chǎn)品選擇指南和d類音頻應(yīng)用筆記的鏈接。 供貨和報(bào)價(jià)
件集成的可調(diào)節(jié)死區(qū)時(shí)間、雙向過(guò)流感應(yīng)等功能可保護(hù)放大器系統(tǒng)。此外，這些特性還可以使音頻設(shè)計(jì)師簡(jiǎn)化電路并減少家庭影院娛樂(lè)系統(tǒng)、影音接收機(jī)和汽車音響系統(tǒng)中d類音頻放大器的元件數(shù)量。 內(nèi)置的可選死區(qū)時(shí)間生成電路可對(duì)穩(wěn)定性進(jìn)行熱補(bǔ)償，并具有噪聲和電源電壓波動(dòng)免疫功能，以改善總諧波失真thd。 irs20124s內(nèi)置雙向電流感應(yīng)和集成的關(guān)斷功能，在出現(xiàn)揚(yáng)聲器引線短路等過(guò)流狀況時(shí)保護(hù)輸出mosfet。 ir消費(fèi)及工業(yè)產(chǎn)品部副總裁譚仲能指出：“使用這一新型d類音頻集成電路來(lái)驅(qū)動(dòng)音頻mosfet（如irf6665），電路設(shè)計(jì)人員可以減少系統(tǒng)占板空間，改進(jìn)pcb布局，降低emi和改善熱特性?！?譚先生認(rèn)為，“d類音頻電路需要承受高頻開(kāi)關(guān)的高電壓變化，ir專門為開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化的mosfet和高壓控制集成電路非常適合數(shù)字音頻系統(tǒng)的需要。其針對(duì)特殊應(yīng)用的器件具有更高的效率，能增加功率密度并具有更好的音頻性能?！?設(shè)計(jì)支持 在ir音頻網(wǎng)http://www.irf.com/product-info/audio/ 可訪問(wèn)相關(guān)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)表、產(chǎn)品選擇指南和d類音頻應(yīng)用筆記的鏈接。 供貨和報(bào)價(jià)
聯(lián)系人：
聯(lián)系方式：
