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當(dāng)前位置：維庫電子市場網(wǎng)>IC>is42s16400 更新時間:2025-09-18 07:03:55

is42s16400供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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  • 供應(yīng)商
  • 產(chǎn)品型號
  • 服務(wù)標(biāo)識
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  • 詢價

  • IS42S16400F-7TL

  • 嚴(yán)選現(xiàn)貨

    嚴(yán)選現(xiàn)貨= 現(xiàn)貨+好口碑+品質(zhì)承諾

    帶有此標(biāo)記的料號：

    1. 表示供應(yīng)商具有較高市場知名度，口碑良好，繳納了2萬保證金，經(jīng)維庫認(rèn)證中心嚴(yán)格審查。

    2. 供應(yīng)商承諾此料號是“現(xiàn)貨” ，如果無貨或數(shù)量嚴(yán)重不足(實(shí)際數(shù)量不到顯示數(shù)量一半)，投訴成立獎勵您500元。

  • 726

  • ISSI

  • TSSOP54/09+

  • 進(jìn)口原裝現(xiàn)貨

  • IS42S16400J-7TLI-TR

  • 優(yōu)勢

  • 36078

  • ISSI

  • TSOP54/-

  • 現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進(jìn)口件，服務(wù)型企業(yè)

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is42s16400價格行情

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歷史最低報價：￥3.0000 歷史最高報價：￥8.8000 歷史平均報價：￥5.9000

is42s16400中文資料

  • DSP片外高速海置SDRAM存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    摘 要：介紹使用同步動態(tài)ram(sdram)擴(kuò)展嵌入式dsp系統(tǒng)高速超大容量外部存儲空間的設(shè)計(jì)方法；結(jié)合已成功實(shí)現(xiàn)的、基于tms320c6201的數(shù)字信號處理系統(tǒng)，論述使用is42s16400 sdram芯片設(shè)計(jì)dsp片外同步存儲系統(tǒng)的具體實(shí)現(xiàn)方案；詳細(xì)討論tms320c6201的emi與sdram的接口設(shè)計(jì)及編程方法。 在數(shù)字圖像處理、航空航天等高速信號處理應(yīng)用場合，需要有高速大容量存儲空間的強(qiáng)力支持，來滿足系統(tǒng)對海量數(shù)據(jù)吞吐的要求。通過使用大容量同步動態(tài)ram(sdram)來擴(kuò)展嵌入式dsp系統(tǒng)存儲空間的方法，選用issi公司的is42s16400高速sdram芯片，詳細(xì)論述在基于tms320c6201(簡稱c6201)的數(shù)字信號處理系統(tǒng)中此設(shè)計(jì)方法的具體實(shí)現(xiàn)。 1 is42s16400芯片簡介 is42s16400是issl公司推出的一種單片存儲容量高達(dá)64 mb(即8 mb)的16位字寬高速sdram芯片。sdram的主要特點(diǎn)是：①同步訪問，讀寫操作需要時鐘；②動態(tài)存儲，芯片需要定時刷新。is42s16400采用cmos工藝，它的同步接口和完全流水線的內(nèi)部結(jié)構(gòu)使其擁有極大的

  • DSP片外高速海量SDRAM存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    在數(shù)字圖像處理、航空航天等高速信號處理應(yīng)用場合，需要有高速大容量存儲空間的強(qiáng)力支持，來滿足系統(tǒng)對海量數(shù)據(jù)吞吐的要求，通過使用大容量同步動態(tài)ram（sdram）來擴(kuò)展嵌入式dsp系統(tǒng)存儲空間的方法，選用issi公司的is42s16400高速sdram芯片，詳細(xì)論述在基于tms320c6201（簡稱c6201）的數(shù)字信號處理系統(tǒng)中此設(shè)計(jì)方法的具體實(shí)現(xiàn)。 1 is42s16400芯片簡介 is42s16400是issi公司推出的一種單片存儲容量高達(dá)64mb（即8mb）的16位字寬高速sdram芯片。sdram的主要特點(diǎn)是：①同步訪問，讀寫操作需要時鐘；②動態(tài)存儲，芯片需要定時刷新。is42s16400采用cmos工藝，它的同步接口和完全流水線的內(nèi)部結(jié)構(gòu)使其擁有極大的數(shù)據(jù)傳輸速率，可以工作在高達(dá)133mhz時鐘頻率下，刷新頻率每64ms為4096次。該sdram芯片內(nèi)部有4個存儲體（bank），通過行、列地址分時復(fù)用系統(tǒng)地址總線，對不同存儲體內(nèi)不同頁面的具體存儲單元進(jìn)行讀寫訪問尋址。在進(jìn)行讀操作之間，必須預(yù)先激活sdram內(nèi)對應(yīng)的存儲體，并選擇存儲器的某一行，然后送入列地址讀取需要的數(shù)據(jù)。從輸

  • 片外高速海置SDRAM存儲系統(tǒng)設(shè)計(jì)

    在數(shù)字圖像處理、航空航天等高速信號處理應(yīng)用場合，需要有高速大容量存儲空間的強(qiáng)力支持，來滿足系統(tǒng)對海量數(shù)據(jù)吞吐的要求。通過使用大容量同步動態(tài)ram(sdram)來擴(kuò)展嵌入式dsp系統(tǒng)存儲空間的方法，選用issi公司的is42s16400高速sdram芯片，詳細(xì)論述在基于tms320c6201(簡稱c6201)的數(shù)字信號處理系統(tǒng)中此設(shè)計(jì)方法的具體實(shí)現(xiàn)。 1 is42s16400芯片簡介 is42s16400是issl公司推出的一種單片存儲容量高達(dá)64 mb(即8 mb)的16位字寬高速sdram芯片。sdram的主要特點(diǎn)是：①同步訪問，讀寫操作需要時鐘；②動態(tài)存儲，芯片需要定時刷新。is42s16400采用cmos工藝，它的同步接口和完全流水線的內(nèi)部結(jié)構(gòu)使其擁有極大的數(shù)據(jù)傳輸速率，可以工作在高達(dá)133 mhz的時鐘頻率下，刷新頻率每64 ms為4096次。該sdram芯片 內(nèi)部有4個存儲體(bank)，通過行、列地址分時復(fù)用系統(tǒng)地址總線，對不同存儲體內(nèi)不同頁面的具體存儲單元進(jìn)行讀寫訪問尋址。在進(jìn)行讀操作之前，必須預(yù)先激活sdram內(nèi)對應(yīng)的存儲體，并選擇存儲器

  • 基于FPGA的可重構(gòu)智能儀器設(shè)計(jì)

    。在jtag debug module 標(biāo)簽下選擇level 3，可設(shè)置2 個硬斷點(diǎn)、 2 個數(shù)據(jù)觸發(fā)、指令跟蹤和片上系統(tǒng)。整個debug 模塊將占用2400～2700 個le，4 個m4k。 （二）添加sdram 控制器內(nèi)核。在sopc builder 組件選擇欄中選擇avalon components→memory→sdram controller，加入sdram 控制器核，。在data width（數(shù)據(jù) 總線寬度）下拉列表框中選擇16bits，其余設(shè)置不變，因?yàn)槎紳M足sdram 芯片is42s16400 的參數(shù)要求。timing 選項(xiàng)卡的參數(shù)也滿足芯片要求，不必修改。 （三）添加 flash 控制器。在對硬件系統(tǒng)進(jìn)行編程控制時，flash 用于存儲應(yīng)用程序。 在sopc builder 的組件選擇欄中選擇avalon components→bridge→avalon tri-state bridge， 加入avalon 三態(tài)總線橋； 在sopc builder 的組件選擇欄中選擇avaloncomponents→memery→flash memery（common flash inter

  • 基于8086 CPU 的單芯片計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

    t6：cpu 完成讀寫操作，相關(guān)控制信號清零。 其中，done 信號用于指示是否讀寫完成，只有done 為高電平時表示讀寫完成，才能進(jìn)行下次讀寫操作。rdy 信號表示sdram 是否做好準(zhǔn)備接受cpu 的訪問,由sdram的寫請求信號（in_req =1）和讀有效信號（out_valid =1 ）共同控制，其產(chǎn)生過程偽碼如表5 所示。 根據(jù)單芯片計(jì)算機(jī)系統(tǒng)級設(shè)計(jì)的組成結(jié)構(gòu)，調(diào)用已經(jīng)編寫完成的8086 ip 軟核、8255 ip軟核、sdram 控制器、sdram 模型is42s16400、ahb 總線 ip 軟核以及譯碼器ip 軟核。 連接相應(yīng)的輸入輸出端口，同時對8086 相關(guān)的輸入端口進(jìn)行賦值，將未使用的輸出端口懸空，完成單芯片計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的rtl 級設(shè)計(jì)。 4 單芯片計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的仿真與驗(yàn)證 單芯片計(jì)算機(jī)的rtl 級設(shè)計(jì)只是全部設(shè)計(jì)流程的一部分，為保證最終設(shè)計(jì)的成功，必須對其進(jìn)行全面的軟件仿真與硬件驗(yàn)證，包括搭建測試平臺，設(shè)計(jì)測試方案以及分析仿真結(jié)果，實(shí)現(xiàn)fpga 驗(yàn)證。 4.1 測試方案的設(shè)計(jì) 在包含8255 應(yīng)用電路的單芯片計(jì)算機(jī)系統(tǒng)搭建完成

  • 如何調(diào)試SDRAM？

    如何調(diào)試sdram？4510b＋is42s16400用示波器測了一下，硬件上應(yīng)該沒什么問題，主要問題可能出在配置上，也就是dramcon0,以及refextcon兩個寄存器的設(shè)置看了看數(shù)據(jù)手冊，有ras precharge time,ras to cas delay,cas strobe time,cas precharge time,cas hold time, cas strobe time以及refresh count等眾多參數(shù)，可是在sdram（is42s16400）的數(shù)據(jù)手冊找不到其中的大多數(shù)參數(shù)值。請問這些參數(shù)對ram運(yùn)行都是必須的嗎？一般該調(diào)哪幾個參數(shù)，如何在數(shù)據(jù)手冊中找對應(yīng)值？第一次調(diào)sdram，請給點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)，謝謝

  • 調(diào)試4510b，郁悶中

    ed to set break point(s)!debug log中顯示：dbt warning 00035:too many breakpoints查了arm網(wǎng)站，解釋是arm仿真器在rom中最多只能設(shè)置2個斷點(diǎn)，多余2個斷點(diǎn)是就顯示該錯誤。調(diào)試在dram中進(jìn)行，關(guān)rom什么事？faintobey map文件后，單步運(yùn)行，程序不能執(zhí)行，debug log中顯示：rdi warning 00148: can't set point第二次做4510b板了，兩次唯一不同的地方是第一次dram用的是is42s16400a.html">is42s16400a,第二次沒買到，用了is42s16400替代（中發(fā)賣片子的大嬸說可以）。第一版正常。實(shí)在相不出來問題出在哪里，郁悶中。請給點(diǎn)提示吧！

is42s16400替代型號

IS42S16160B IS42S16100 IS42G32256 IS28F020 IS1588 IS0122P IS0102 IRU3146 IRU3037 IRT1260

IS42S16400-7T IS42S16400B IS43R32400A IS552 IS604 IS61C1024 IS61C1024L IS61C256 IS61C256AH IS61C256AH-15N

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IRLML5203 IKW25T120 ISL6524CB-T IDT7205L15J IS62LV1024LL-70T IRFB3077PBF IRF6715MTRPBF IPW60R070C6 ISL6312CRZ-T IS62WV51216BLL-55TLI

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