內(nèi)存硅片邏輯（芯片邏輯）

與我們后面介紹dimm的物理bank相區(qū)別也稱之為邏輯bank（logical bank）。由于工藝上的原因，這個(gè)陣列不可能做得太大，所以一般內(nèi)存芯片中都是將內(nèi)存容量分成幾個(gè)陣列來(lái)制造，也就是說(shuō)存在內(nèi)存芯片中存在多個(gè)邏輯bank，隨著芯片容量的不斷增加，邏輯bank數(shù)量也在不斷增加，目前從32mb到1gb的芯片基本都是4個(gè)，只有早期的16mbit和32mbit的芯片采用的還是2個(gè)邏輯bank的設(shè)計(jì)，譬如三星的兩種16mb芯片：k4s161622d （512k x 16bit x 2 bank）和k4s160822dt（1m x 8bit x 2 bank）。芯片組本身設(shè)計(jì)時(shí)在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只允許對(duì)一個(gè)邏輯bank進(jìn)行操作（實(shí)際上芯片的位寬就是邏輯bank的位寬），而不是芯片組對(duì)內(nèi)存芯片內(nèi)所有邏輯bank同時(shí)操作。邏輯bank的地址線是通用的，只要再有一個(gè)邏輯bank編號(hào)加以區(qū)別就可以了（bank0到bank3）。但是這個(gè)芯片的位寬決定了一次能從它那里讀出多少數(shù)據(jù)，并不是內(nèi)存芯片里所有單元的數(shù)據(jù)一次全部能夠讀出，下圖就是一個(gè)容量為32mb（256mbit）內(nèi)存芯片內(nèi)部邏輯bank結(jié)構(gòu)示意圖，從中你可以更清楚邏