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常工作所必須的各種控制信號;實現(xiàn)arm處理器地址總線、數(shù)據(jù)總線和外部中斷信號接入。 (3) a/d控制器 控制a/d模塊的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換。產(chǎn)生a/d轉(zhuǎn)換起始信號(/hold),檢測數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換完成信號(/eoc),產(chǎn)生fifo寫入信號,實現(xiàn)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換通道選擇。 (4) fifo存儲器 生成3個16位、數(shù)據(jù)深度為511的fifo,完成a/d轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)的存儲。2.2 arm處理器模塊 arm處理器模塊由flash、sdram和s3c2410共同構建。本系統(tǒng)選配用samsung公司的k9f1208u0a構建8位flash存儲器系統(tǒng)。k9f1208u0a單片容量為64 mb;選用兩片單片容量為32 mb,數(shù)據(jù)寬度為16位的hy57v561620ct,并聯(lián)構建32位sdram存儲器系統(tǒng),共64 mb的sdram空間可以滿足嵌入式操作系統(tǒng)和各種復雜算法的運行要求。arm處理器對各模塊的控制則是通過底層驅(qū)動控制協(xié)處理器fpga產(chǎn)生各種控制信號來實現(xiàn)。 圖2 協(xié)處理器內(nèi)部結構圖 2.3 a/d模塊 a/d轉(zhuǎn)換芯片采用ti公司的ads8364芯片,它具有以下性能: 6個獨立數(shù)據(jù)輸出
etbsd和vxworks等多種操作系統(tǒng),主要用來開發(fā)嵌入式系統(tǒng)初始化代碼bootloader。bootloader是芯片復位后進入操作系統(tǒng)之前執(zhí)行的一段代碼,完成由硬件啟動到操作系統(tǒng)啟動的過渡,為運行操作系統(tǒng)提供基本的運行環(huán)境,如初始化cpu、堆棧、初始化存儲器系統(tǒng)等,其功能類似于pc機的bios。u-boot執(zhí)行流程圖如圖1所示。 圖1 u-boot啟動流程圖nand閃存工作原理s3c2410開發(fā)板的nand閃存由nand閃存控制器(集成在s3c2410 cpu中)和nand閃存芯片(k9f1208u0a)兩大部分組成。當要訪問nand閃存芯片中的數(shù)據(jù)時,必須通過nand閃存控制器發(fā)送命令才能完成。所以, nand閃存相當于s3c2410的一個外設,而不位于它的內(nèi)存地址區(qū)。nand閃存(k9f1208u0a)的數(shù)據(jù)存儲結構分層為:1設備(device) = 4096 塊(block);1塊= 32頁/行(page/row);1頁= 528b = 數(shù)據(jù)塊 (512b) + oob塊 (16b)在每一頁中,最后16個字節(jié)(又稱oob)在nand閃存命令執(zhí)行完畢后設置狀態(tài),剩余512個字節(jié)又分為前半部
電源電壓:3.3V設各VCC=2.7~3.6V;結構:存儲器單元陣列:(64M+2048K)×8位,數(shù)據(jù)存儲器:(512+16)×8位;自動編程和擦除:頁編程:(512+16)頁,塊擦除:(16K+512)字節(jié);頁讀操作:頁尺寸:(512+16)字節(jié),隨機存?。?2μs(最大值),串行頁訪問:50ns(最小值); 快速寫周期時間:編程時間:200μs(典型值),塊擦除時間:2ms(典型值);指令/地址/數(shù)據(jù)復用I/O端口;硬件數(shù)據(jù)保護:在電源轉(zhuǎn)換過程中編程/擦除鎖定;可靠的CMOS準浮柵技術,100k次編程/擦除周期,10年的數(shù)據(jù)保留時間;指令存儲器操作;封裝:48引腳的TSOP封裝,63引腳的FBGA封裝
linux、netbsd和vxworks等多種操作系統(tǒng),主要用來開發(fā)嵌入式系統(tǒng)初始化代碼bootloader。bootloader是芯片復位后進入操作系統(tǒng)之前執(zhí)行的一段代碼,完成由硬件啟動到操作系統(tǒng)啟動的過渡,為運行操作系統(tǒng)提供基本的運行環(huán)境,如初始化cpu、堆棧、初始化存儲器系統(tǒng)等,其功能類似于pc機的bios。u-boot執(zhí)行流程圖如圖1所示。 nand閃存工作原理 s3c2410開發(fā)板的nand閃存由nand閃存控制器(集成在s3c2410 cpu中)和nand閃存芯片(k9f1208u0a)兩大部分組成。當要訪問nand閃存芯片中的數(shù)據(jù)時,必須通過nand閃存控制器發(fā)送命令才能完成。所以, nand閃存相當于s3c2410的一個外設,而不位于它的內(nèi)存地址區(qū)。 nand閃存(k9f1208u0a)的數(shù)據(jù)存儲結構分層為:1設備(device) = 4096 塊(block);1塊= 32頁/行(page/row);1頁= 528b = 數(shù)據(jù)塊 (512b) + oob塊 (16b)在每一頁中,最后16個字節(jié)(又稱oob)在nand閃存命令執(zhí)行完畢后設置狀態(tài),剩余512個字節(jié)又分
如果我是這樣做……如果我是在flash存儲中讀出,就usb發(fā)送,再讀出發(fā)送……其他的什么都不做,可以完成嗎?flash是三星的k9f1208u0a
關于nand flash的問題請問k9f1208u0a與k9f1208u0b有什么區(qū)別?請指教.