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16M x 8 Bit NAND Flash Memory
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16M x 8 Bit , 8M x 16 Bit NAND Flash...
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的非易失閃存芯片，這兩種類型的flash區(qū)別在于： nor類型flash可以按照字節(jié)訪問，所以存放在flash里的程序可以直接執(zhí)行，而nand類型flash是串行訪問的，需要先把程序讀取到內(nèi)存然后再從內(nèi)存中運行。與nor型相比，nand型閃存的優(yōu)點是容量大，但是nand型的速度比較慢，因為他的i/o端口只有8(或16)個，要完成地址和數(shù)據(jù)的傳輸就必需讓這些信號輪流傳送。nand型flash具有極高的單元密度，容量可以比較大，價格相對便宜。本文采用samsung公司的nand型flash存儲設(shè)備k9f2808u0c。 2 系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)及接口電路 2.1 arm芯片介紹 arm公司自1990年正式成立以來，在32位risc(reduced instruction set computer)cpu開發(fā)領(lǐng)域不斷取得突破，目前已經(jīng)占有75％以上的32位risc嵌入式產(chǎn)品市場。在低功耗、低成本的嵌人式應(yīng)用領(lǐng)域確立了市場領(lǐng)導(dǎo)地位。 philips公司的lpc2210是基于一個支持實時仿真和跟蹤的32位arm7tdmi-stmcpu的微控制器，片內(nèi)128位寬度的存儲器接口和獨特的加速結(jié)構(gòu)使32位代碼能夠在最大
芯片，這兩種類型的flash區(qū)別在于： nor類型flash可以按照字節(jié)訪問，所以存放在flash里的程序可以直接執(zhí)行，而nand類型flash是串行訪問的，需要先把程序讀取到內(nèi)存然后再從內(nèi)存中運行。與nor型相比，nand型閃存的優(yōu)點是容量大，但是nand型的速度比較慢，因為他的i/o端口只有8(或16)個，要完成地址和數(shù)據(jù)的傳輸就必需讓這些信號輪流傳送。nand型flash具有極高的單元密度，容量可以比較大，價格相對便宜。本文采用samsung公司的nand型flash存儲設(shè)備k9f2808u0c。 2系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu)及接口電路 2.1arm芯片介紹 arm公司自1990年正式成立以來，在32位risc(reducedinstructionsetcomputer)cpu開發(fā)領(lǐng)域不斷取得突破，目前已經(jīng)占有75％以上的32位risc嵌入式產(chǎn)品市場。在低功耗、低成本的嵌人式應(yīng)用領(lǐng)域確立了市場領(lǐng)導(dǎo)地位。 philips公司的lpc2210是基于一個支持實時仿真和跟蹤的32位arm7tdmi-stmcpu的微控制器，片內(nèi)128位寬度的存儲器接口和
dqs1 用于ddrdq[ 15: 8] ， ddr dqs0 用于ddr dq [ 7: 0 ] 。ldqs與ddr dqs0 相連， ldqs 與dq0~ dq7 上的數(shù)據(jù)相對應(yīng); u dqs 與ddr dq s1 相連， udqs 與dq8 ~dq15 上的數(shù)據(jù)相對應(yīng)。ldqs 和udqs 分別為低位和高位數(shù)據(jù)選通， 只有在不同數(shù)據(jù)選通模式通過emr 的控制位被使能時才被使用。 圖3 dm365 與w971gg6ib 接口框圖 單元中選用的nand flash 為三星公司的k9f2808u0c ， 它為一個132 mb 的閃存， 其中的內(nèi)存容量分為16m 8 b 容量和4 mb 的備用容量。該存儲器陣列包含1 024 個獨立可擦除塊， 每個數(shù)據(jù)塊包含16kb。k9f2808u0c 的8 個i/ o 引腳是地址復(fù)用的， 這樣可減少引腳數(shù)， 并方便系統(tǒng)升級， 閃存電源為3. 3 v。 dm365 與k9f2808u0c 的接口框圖如圖4 所示。 圖4 dm365 與k9f2808u0c 接口框圖 圖4 中i/ o0 ~ i/ o7 為數(shù)據(jù)輸入/ 輸出引腳， 與em
便的數(shù)據(jù)傳輸方式。基于上述原因，本文重點論述基于usb的海量存儲(usb mass storage)設(shè)備功能在arm嵌入式系統(tǒng)中設(shè)計和應(yīng)用。使用該設(shè)備功能，上位機可以像讀寫普通u盤一樣對于系統(tǒng)采集并存儲在flash中的數(shù)據(jù)進行讀寫。 1 硬件方案 l.1 器件簡介 s3c44b0x[1]是samsung公司出品的基于arm7tdmi內(nèi)核的risc型微處理器，8 kb指令和數(shù)據(jù)共享的緩存，主頻可達66 mhz，可以運行16位的thumb指令和32位的arm指令，且接口豐富，具有通用性。 k9f2808u0c[2]是samsung公司生產(chǎn)的一款nand型閃存芯片，容量為16 mb，讀寫速度快，數(shù)據(jù)保存時間長，可擦寫10萬次，在嵌入式系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用，主要是負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)存儲。 pdiusbdl2[3]是philips公司生產(chǎn)的帶有并行總線和局部dma傳輸能力的全速usb接口芯片，符合usb1.1版規(guī)范，可以與任何外部mcu／mpu實現(xiàn)并行接口，傳輸速度可達2 mb／s。該usb芯片有1個控制端點和2個普通端點。 1.2 硬件連接圖 硬件連接如圖1所示。在該系統(tǒng)中，flash芯片k9f2808u0
85 datasheet http://udpf.com.cn/datasheet/max3485_858685.html.[11]. max3232 datasheet http://udpf.com.cn/datasheet/max3232_1107769.html.[12]周立功等. arm微控制器基礎(chǔ)與實踐.北京航空航天大學(xué)出版社. 2003. 11[13]馬忠梅等. arm嵌入式處理器結(jié)構(gòu)與應(yīng)用基礎(chǔ).北京航空航天大學(xué)出版社.2002[14] samsung datasheet. "k9f2808u0c flash memory"[15] siemens. "loop detector ld4"來源:xiangxueqin
電源電壓：3.3V設(shè)備VCC＝2.7～3.6V；結(jié)構(gòu)：存儲器單元陣列：(16M+512K)×8位，數(shù)據(jù)存儲器：(512+16)×8位；自動編程和擦除：頁編程：(512+16)字節(jié)，塊擦除：(16K+512)字節(jié)；頁讀操作：頁大?。?512+16)字節(jié)，隨機存?。?0μs(最大值)，串行頁訪問：50ns(最小值)；快速寫周期時間：編程時間：200μs(典型值)，塊擦除時間：2ms(典型值)；指令/地址/數(shù)據(jù)復(fù)用I/O端口；硬件數(shù)據(jù)保護：在電源轉(zhuǎn)換過程中編程/擦除鎖定；可靠的CMOS準(zhǔn)浮柵技術(shù)，100k次編程/擦除周期，10年的數(shù)據(jù)燼留時間；指令存儲器操作；上電自動讀操作；封裝：48引腳的TSOP和WSOP封裝，63引腳的TBGA封裝
大家?guī)臀铱纯磍pc2210聯(lián)k9f2808u0c的連接是否正確？大家?guī)臀铱纯磍pc2210聯(lián)k9f2808u0c的連接是否正確？
謝謝zlgarm！謝謝幫助，可是還是有些不明白的地方。一、我開始沒有說太明白，我本來打算用bank3擴nand flash k9f2808u0c。在《arm嵌入式系統(tǒng)實驗教程（二）》中的第12頁寫了，由于對k9f2808u0c芯片操作有特定的時序要求，所以使用了atf16lv8c產(chǎn)生合適的片選信號（f_ncs)、讀使能信號（f_noe)和寫使能信號（f_nwe)。而在《教程（二）》中，bank3同時還有多個外設(shè)擴展。其余的幾個外設(shè)可能只是由a23:21地址譯碼，而flash還是要求時序轉(zhuǎn)換吧？謝謝！二***、ad數(shù)據(jù)線如果用d0到d11，作為一個bank訪問，是否要求ad的讀寫時序信號與2214的總線讀寫時序相同？包括tft屏的接口也是一樣，怎么解決？這個問題對我很關(guān)鍵，謝謝！三、為了繞開cpld，我將要擴的nand flash 改為 nor flash sst39vf160，這樣雖然口線占得多點，但不用這么復(fù)雜。但sst39vf160只有2m，感覺小了一點，請問同類型的片子還有沒有容量大的，型號是什么？四、2214的片內(nèi)flash為256k，如果我將nor flash分配為bank0，選擇boot1:0
lpc2214對k9f2808u0c驅(qū)動問題!我用的mcu是lpc2214,外部flash為k9f2808u0c,采用io模擬控制信號對flash驅(qū)動.沒有jtag調(diào)試端口(真失敗),數(shù)據(jù)是串口寫入,請問flash的讀寫時序怎么控制.我從給的例子(8051對k9f2808u0c驅(qū)動)看到,使用了nop作為一個機器周期進行時序控制,不知道對arm7的lpc2214來說.這點該怎么處理.還有的就是地址怎么寫入.我的程序是這樣寫的(以寫page為例子): pagenum=blocknum<<5+blockpagenum;(其中pagenum是頁在整個nand flash中的位置;blocknum是第幾個block;blockpagenum是所要寫入的頁在本block中的地址)接下來;連續(xù)寫入地址flash_w_address(0x00);-------行地址寫入flash_w_address(pagenum&0xff);flash_w_address((pagenum>>8)&0xff);-------列地址寫入但這樣寫好象沒有寫進去.我編寫了個檢測程序,向flash的某
按道理應(yīng)該不會那么多吧我用的2808u0c.html">k9f2808u0c，總塊數(shù)1024，聲明最少有效塊是1004，即獲得片子之后寫入擦除之前檢測的值，而開始使用之后一般也就3~5個壞塊左右。最好在使用前先檢一下壞塊，不知你用的是哪型，2808的壞塊標(biāo)志位為壞塊的第一頁或第二頁的c區(qū)第六個（頁總第517）字節(jié)不為ffh。
請教001liujie: 你好！ 我剛好也想外擴一個字庫。我的初步想法是這樣的：芯片用三星flash芯片k9f2808u0c（8mb)，因為我的應(yīng)用中有優(yōu)盤的接口，所以可以先將字庫拷到優(yōu)盤中，然后再通過板上cpu拷入flash中。不過如果你的系統(tǒng)不大的話，我建議直接用lpc2139，內(nèi)置512kb flash，可完全容納256kb字庫。 我現(xiàn)在最薄弱的地方就是對字庫不了解，望不吝賜教！
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