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電源跟蹤技術(shù)
次施加電源時，mosfet被關斷且電源被允許以其自然速率斜坡上升。當電壓穩(wěn)定下來之后，mosfet被同時接通，使得負載上的電壓相互跟蹤。這種技術(shù)需要用于驅(qū)動mosfet和監(jiān)視電源電壓的電路，而且，當電流水平上升時，mosfet中的壓降和功耗便成為了一個問題。此外，這種拓撲結(jié)構(gòu)還因為每個電源上的負載電容和負載電流可能有所不同的緣故，而使得電壓的同步斜坡下降比較難以實現(xiàn)。 ---第三種方法是利用反饋網(wǎng)絡來調(diào)節(jié)輸出電壓，以此來使電源相互跟蹤。最簡單的實現(xiàn)方法是將電流注入電源的反饋節(jié)點。在圖5中，一個ltc2923跟蹤兩個電源。生成了一個主斜坡，而且電路被連接至其他從屬電源的誤差放大器反饋節(jié)點，從而使其輸出跟隨該主斜坡。該電路還使得電壓能夠一同斜坡下降。該技術(shù)是最精巧的，因為它不需要采用串聯(lián)mosfet或鉗位二極管。然而，并不是所有的電源都具有可以使用的反饋節(jié)點，而且，雖然許多電源模塊都具有一個修整引腳，但是一般來說輸出電壓只能在一個很小的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。因此，大多數(shù)實際解決方案均要求采用了上述幾類技術(shù)的某種組合。設計實例 ---圖6中的電路在利用3.3v電源生成2.5v和1.8v電源的情況下實現(xiàn)了電源跟蹤
高電流功率轉(zhuǎn)換解決方案
a、pld、dsp和微處理器一般都在內(nèi)核與i/o電源之間布設了二極管,作為內(nèi)部esd保護組件。如果電源違反了跟蹤要求并對保護二極管施加了正向偏壓,則器件有可能受損或無法正確執(zhí)行上電操作。在其他場合,當i/o電源先于內(nèi)核電源上電時,內(nèi)核中的未定義邏輯狀態(tài)會在i/o電路中引發(fā)過大的電流。即使在系統(tǒng)的各個組件并不要求電源跟蹤或排序的情況下,整個系統(tǒng)仍然有可能要求進行電源排序,旨在實現(xiàn)正確的運作。針對電源跟蹤和排序的一種簡單而通用的解決方案（沒有因采用串聯(lián)mosfet所產(chǎn)生的缺點）可采用ltc2923來實現(xiàn)。通過選擇少量的電阻器,即可對電源進行配置,以使之按照多種電壓模式來斜坡上升或下降。許多電壓跟蹤解決方案都采用了串聯(lián)mosfet,這會導致產(chǎn)生固有壓降、額外的功耗并占用更大的pc板級空間。而ltc2923是通過把電流注入其反饋節(jié)點來控制電源的,從而避免了串聯(lián)mosfet解決方案所固有的調(diào)整組件損耗。電源穩(wěn)壓性和瞬態(tài)響應不會受到影響,這是因為注入電流在使輸出電壓產(chǎn)生偏移的時候并未改變電源控制環(huán)路的動態(tài)特性。ltc的許多dc/dc轉(zhuǎn)換器如ltc3736、ltc3828以及諸如ltc34

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