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  • 嵌入式技術(shù)在電流傳感器蓄電池中的應(yīng)用

    地址線。另外由于atmel官方提供的sam-ba燒寫程序僅支持dataflash和nandflash，因此有必要修改sam-ba的腳本文件以實(shí)現(xiàn)對norflash的燒寫 c nandflash存儲器芯片選擇三星公司的k9f1208u0b，其存儲容量為存儲容量：64m*16bit， 采用wince或者linux的操作系統(tǒng)時使用該芯片中存儲操作系統(tǒng)和應(yīng)用程序；如使用ucos之類的小型操作系統(tǒng)時，則該芯片可以省略不焊接，系統(tǒng)與boot程序存儲在norflash即可。 d sdram芯片采用mt48lc16m16a2tg-75it:d，每片容量為16m*16bit，本系統(tǒng)中采用兩片sdram構(gòu)成32數(shù)據(jù)總線。由于sdram芯片為整個嵌入式平臺的內(nèi)存，需要頻繁地與cpu進(jìn)行數(shù)據(jù)交互，為了實(shí)現(xiàn)較好的信號完整性，在靠近arm的地址和控制總線上串聯(lián)22歐姆平衡電阻吸收信號反射。當(dāng)采用小型操作系統(tǒng)時候，操作系統(tǒng)可在arm內(nèi)部的sram中運(yùn)行，sdram可以省略不焊接。 e 擴(kuò)展接口將arm芯片的所有可用接口皆擴(kuò)展出來，用于和擴(kuò)展板連接。 f 由于信號密集，同時需要將接口全部引出并保證良好的電磁兼容性效果，pcb采用六層板p

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