22890
DPAK/25+
原裝有現(xiàn)貨實單可談
12000
TO252/2025+520
--/專注替代/降本增效-
NTD3055L104T4G
50000
TO252/23+
原裝現(xiàn)貨
NTD3055L104G
100000
TO252/24+
1比1質量完美通用/包上機可供更多
NTD3055L104T4G
146
TO252/1403+
一定原裝房間現(xiàn)貨
NTD3055L104T4G
45800
NEW/NEW
一級代理保證
NTD3055L104T4G NTD3055L104G
334420
TO2522/2025+
國產南科兼容替代
NTD3055L104T4G
22890
DPAK/25+
原裝有現(xiàn)貨實單可談
NTD3055L104T4G
2400
DPAK4/-
400-800-8051
NTD3055L104T4G
45320
TO2522(DPAK)/23+
十年配單,只做原裝 不止銷售 也可回收
NTD3055L104T4G
16500
TO252/20+
全新、原裝
NTD3055L104
22500
DPAK4IPAK4/16+RoHS
保證質量質優(yōu)價好給你
NTD3055L104
2000
TO2522L/-
澤芯微售出每顆芯片只能是原裝83227865
NTD3055L104
22358
DPAK 4 LEAD Single Gauge Surface Mount/22+
房間現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢。
NTD3055L104
6607
-/2024+
現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨
NTD3055L104
168000
DPAK4LEADSINGLEG/23+
全新原裝現(xiàn)貨/實單價格支持/優(yōu)勢渠道
NTD3055L104
25000
TO252/0251+
優(yōu)勢庫存,特價出售 一站式配單服務
NTD3055L104
20000
SOT223/2024+
17%原裝.深圳送貨
NTD3055L104
29078
-/-
現(xiàn)貨十年以上分銷商,原裝進口件,服務型企業(yè)
NTD3055L104
15988
DPAK/25+
助力國營二十余載,一站式BOM配單
NTD3055L104
Power MOSFET
ONSEMI
NTD3055L104PDF下載
NTD3055L104
Power MOSFET
ONSEMI [ON Semiconductor]
NTD3055L104PDF下載
NTD3055L104G
Power MOSFET
ONSEMI
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NTD3055L104G
Power MOSFET
ONSEMI [ON Semiconductor]
NTD3055L104GPDF下載
NTD3055L104-D
Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts, Logi...
ON Semiconductor
NTD3055L104-DPDF下載
NTD3055L104T4
Power MOSFET
ONSEMI
NTD3055L104T4PDF下載
NTD3055L104T4
Power MOSFET
ONSEMI [ON Semiconductor]
NTD3055L104T4PDF下載
NTD3055L104-1G
Transistor; Transistor Type:MOSFET; ...
ON Semiconductor
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NTD3055L104T4G
Power MOSFET
ONSEMI
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NTD3055L104T4G
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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產品型號:ntd3055l104源漏極間雪崩電壓vbr(v):60源漏極最大導通電阻rds(on)(mω):104最大漏極電流id(on)(a):12通道極性:n溝道封裝/溫度(℃):dpak/-55~175描述:12a,60v邏輯電平的功率mosfet價格/1片(套):¥2.60 來源:xiangxueqin
產品型號:NTD3055L104T4G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):104
最大漏極電流Id(on)(A):12
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK 4/-55 ~150
描述:12 A, 60 V功率MOSFET
價格/1片(套):¥2.60
產品型號:NTD3055L104G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):104
最大漏極電流Id(on)(A):12
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK/-55~175
描述:12A,60V功率MOSFET
價格/1片(套):¥2.70
&nb...
產品型號:NTD3055L104-1G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):104
最大漏極電流Id(on)(A):12
通道極性:N
封裝/溫度(℃):DPAK-3/-55~175
描述:60V,12A,N溝道MOSFET
價格/1片(套):暫無
&nb...
產品型號:NTD3055L104
源漏極間雪崩電壓VBR(V):60
源漏極最大導通電阻rDS(on)(mΩ):104
最大漏極電流Id(on)(A):12
通道極性:N溝道
封裝/溫度(℃):DPAK/-55~175
描述:12A,60V邏輯電平的功率MOSFET
價格/1片(套):¥2.60