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當(dāng)前位置：維庫電子市場(chǎng)網(wǎng)>IC>psmn1r2-25yl 更新時(shí)間:2025-10-15 21:24:29

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psmn1r2-25yl中文資料

  • NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品

    恩智浦半導(dǎo)體(nxp semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)今日宣布推出全球首款n通道、1毫歐以下25v mosfet產(chǎn)品，型號(hào)為psmn1r2-25yl，它擁有最低的導(dǎo)通電阻rdson以及一流的fom 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用power-so8封裝(無損耗封裝：lfpak)中擁有最低導(dǎo)通電阻rdson的mosfet，也是恩智浦現(xiàn)有mosfet系列的延伸。最新一代mosfet器件集高性能power-s08 lfpak封裝與最新trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下提供諸多性能及可靠性優(yōu)勢(shì)，如電源or-ring、電機(jī)控制和高效同步降壓器等。 恩智浦資深國(guó)際市場(chǎng)產(chǎn)品經(jīng)理john david hughes先生表示：“在mosfet制造技術(shù)領(lǐng)域，改善性能是一場(chǎng)曠日持久的競(jìng)賽。我們?cè)谛聇rench 6工藝中采用創(chuàng)新技術(shù)，進(jìn)一步減小了導(dǎo)通電阻。對(duì)客戶而言，這一新的trench技術(shù)為他們帶來許多優(yōu)勢(shì)，例如：提高的硅技術(shù)開關(guān)效率、出色的電阻和熱阻封裝性能。恩智浦power-s08 (lfpak) 封裝與廣為使用的power so-8 pcb封裝相兼容。” 領(lǐng)先全球的恩智浦

  • NXP宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品

    恩智浦半導(dǎo)體(nxp semiconductors)日前宣布推出全球首款n通道、1毫歐以下25v mosfet產(chǎn)品，型號(hào)為psmn1r2-25yl，它擁有最低的導(dǎo)通電阻rdson以及一流的fom 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用power-so8封裝(無損耗封裝：lfpak)中擁有最低導(dǎo)通電阻rdson的mosfet，也是恩智浦現(xiàn)有mosfet系列的延伸。最新一代mosfet器件集高性能power-s08 lfpak封裝與最新trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下提供諸多性能及可靠性優(yōu)勢(shì)，如電源or-ring、電機(jī)控制和高效同步降壓器等。 領(lǐng)先全球的恩智浦trench 6 mosfet psmn1r2–25yl，采用power-s08 (lfpak)封裝時(shí)25 v mosfet的rdson是0.9毫歐(典型值)，30 v mosfet的rdson達(dá)到1.0毫歐(典型值)。 除了全球最低rdson mosfet之外，恩智浦還宣布推出面向電源、電機(jī)控制和工業(yè)市場(chǎng)的新產(chǎn)品系列。該系列產(chǎn)品的工作電壓為25 v、30 v、40 v和80 v，采用power-s08 (lfpak)和to220封裝

  • NXP推出采用Power SO8封裝MOSFET全球首款低于1毫歐

    恩智浦半導(dǎo)體(nxp semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)今日宣布推出全球首款n通道、1毫歐以下25v mosfet產(chǎn)品，型號(hào)為psmn1r2-25yl，它擁有最低的導(dǎo)通電阻rdson以及一流的fom 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用power-so8封裝（無損耗封裝：lfpak）中擁有最低導(dǎo)通電阻rdson的mosfet，也是恩智浦現(xiàn)有mosfet系列的延伸。最新一代mosfet器件集高性能power-s08 lfpak封裝與最新trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下提供諸多性能及可靠性優(yōu)勢(shì)，如電源or-ring、電機(jī)控制和高效同步降壓器等。 恩智浦資深國(guó)際市場(chǎng)產(chǎn)品經(jīng)理john david hughes先生表示：“在mosfet制造技術(shù)領(lǐng)域，改善性能是一場(chǎng)曠日持久的競(jìng)賽。我們?cè)谛聇rench 6工藝中采用創(chuàng)新技術(shù)，進(jìn)一步減小了導(dǎo)通電阻。對(duì)客戶而言，這一新的trench技術(shù)為他們帶來許多優(yōu)勢(shì)，例如：提高的硅技術(shù)開關(guān)效率、出色的電阻和熱阻封裝性能。恩智浦power-s08 (lfpak) 封裝與廣為使用的power so-8 pcb封裝相兼容?！?/p>

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