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器產品若有涉及電傳通訊者，或有參與網絡聯機者，皆必須要做"接地"以消除干擾的影響。但因板面面積不夠,因此pcb lay-out就將"接地"與"電壓"二功能之大銅面移入內層，造成四層板的瞬間大量興起,也延伸了阻抗控制的要求。而原有四層板則多升級為六層板，當然高層次多層板也因高密度裝配而日見增多.本章將探討多層板之內層制作及注意事宜. 制作流程 依產品的不同現有三種流程 a. print and etch 發(fā)料→對位孔→銅面處理→影像轉移→蝕刻→剝膜 b. post-etch punch 發(fā)料→銅面處理→影像轉移→蝕刻→剝膜→工具孔 c. drill and panel-plate 發(fā)料→鉆孔→通孔→電鍍→影像轉移→蝕刻→剝膜 發(fā)料 發(fā)料就是依制前設計所規(guī)劃的工作尺寸，依bom來裁切基材，是一很單純的步驟，但以下幾點須注意： a. 裁切方式-會影響下料尺寸 b. 磨邊與圓角的考量-影響影像轉移良率制程 c. 方向要一致-即經向對經向，緯向對緯向 d. 下制程前的烘烤-尺寸安定性考量 銅面處理 在印刷電路板制程
ce（sat）不能由一個阻抗表示，比較簡單直接的方法是將其表示為阻抗rfce串聯一個固定vfce電壓，vce（ice）=ice×rfce+vfce。 圖5中的示例僅考慮了ccm pfc電路的傳導損耗，即假定設計目標在維持最差情況下的傳導損耗小于15w。以fcp11n60 mosfet為例，該電路被限制在5.8a，而fgp20n6s2 igbt可以在9.8a的交流輸入電流下工作。它可以傳導超過mosfet 70% 的功率。 雖然igbt的傳導損耗較小，但大多數600v igbt都是pt （punch through，穿透） 型器件。pt器件具有ntc （負溫度系數）特性，不能并聯分流。igbt 在開通過程中，大部分時間是作為mosfet 來運行的，只是在漏源電壓uds 下降過程后期， pnp 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間。td（on） 為開通延遲時間， tri 為電流上升時間。實際應用中常給出的漏極電流開通時間ton 即為td （on） tri 之和。漏源電壓的下降時間由tfe1 和tfe2 組成。igbt的觸發(fā)和關斷要求給其柵極和基極之間加上正向電壓和負向電壓，柵極電壓可由
ner out－doping這兩種現象可以被用來解釋為什么晶體管的側壁位置粒子注入的摻雜濃度會不同于晶體管中心位置(通道正下方)。由于trenchrecess和corner ou－doping這兩種現象是不可避免的，所以人們嘗試了很多種方法去優(yōu)化摻雜的有效濃度分布，以期降低和消除雙峰效應。 本文將介紹一種雙峰效應的簡單*估方法，使雙峰效應的程度得以量化。并且通過對量化數字的*估，可以定性和定量地了解和確定最優(yōu)化的摻雜濃度條件。 2 實驗條件 本文分別對n型mos的vt和punch-through的粒子注入摻雜濃度進行了正交試驗。其中，vt注入的濃度分別為：4.55×1012cm－2；6.55×1012cm-2和8.55×1012cm-12。，注入能量為25 kev，雜質成分為硼(boron)；punch-through注入的濃度分別為：4.0×1012cm-2；7.13×1012cm-2和1.0×1013cm-2，注入能量為170 kev，雜質成分為銦(indium)；通過對不同注入條件的mos器件的jd-vg曲線的測量和分析，以期能得到摻雜濃度分布和雙峰效應的關系。
何存儲效應，因此，很容易實現極短的開關時間。當然，在芯片尺寸很大的器件中（高耐壓/大電流），其內部電容充放電所需的驅動電流會相當大，因為，每cm2的芯片面積上的電容約0.3μf。 這些由mosfet的物理結構所決定的電容是其最重要的寄生參數。圖3表示了它們的起源和等效電路圖。表1解釋了圖3中各種寄生電容和電阻的起源和符號。 表1 mosfet的寄生電容及電阻 1.2.2 igbt 圖4清楚地顯示了一個n溝道增強型垂直式igbt的結構和功能。圖中的igbt具有非穿通式npt（non punch through）結構，柵極為平面式。 和mosfet有所不同，在igbt的n區(qū)之下有一個p＋導通區(qū)，它通向集電極。 流經n－漂移區(qū)的電子在進入p＋區(qū)時，會導致正電荷載流子（空穴）由p＋區(qū)注入n－區(qū)。這些被注入的空穴既從漂移區(qū)流向發(fā)射極端的p區(qū)，也經由mos溝道及n井區(qū)橫向流入發(fā)射極。因此，在n－漂移區(qū)內，構成主電流（集電極電流）的載流子出現了過盈現象。這一載流子的增強效應導致了空間電荷區(qū)的縮小以及集電極－發(fā)射極電壓的降低。 盡管同mosfet的純電阻導通特性相比，igbt還需加上集電極端
件的擊穿電壓(bv)和工作電流(ion)。眾所周知，這兩個參數往往是相互影響、相互牽制的。 圖八：40v高壓pmos 器件結構圖 那么我們要怎樣做才能實現呢？讓我們先了解一下40v高壓器件的器件結構。如圖8所示，我們40v高壓器件采用的是ldmos結構，源極/漏極的offset由阱構成。在柵極多晶硅和源極/漏極之間有一段漂移區(qū) 氧化層。就pmos而言，整個pmos被nbl(n-buried layer)和n阱隔開。為了提高bv，我們首先得知道,器件的bv取決于源極/漏極穿通(punch through)還是某一個pn 結。事實上，當我們做過大量的實驗之后發(fā)現，40v pmos bv取決于漏極的p阱對nbl結的bv，因此，我們的目標就是如何提高這個結的bv。為了實現這個目標，我們可以有兩種做法： 1. 降低nbl和p阱濃度。但這里要注意，如果p阱濃度太低，由于rs增加和結深變淺會相應減小ion。另一方面，如果nbl濃度太低，則有可能導致中間的n阱同nbl接不上，從而導致hvpmos完全不工作。 2. 增加外延層(epi)厚度。外延增厚不僅可以明顯提高hvpmos b
場，2006年市場規(guī)模達11億美金，而亞太市場(asia-pacific)則因為車輛需求增加而成長速度最快，預估到2009年之前的年復合成長率可達23.5%。預估到2007年底，全球將會有3,500萬臺交通工具加裝商業(yè)車用信息系統(tǒng)服務，而加裝的機種主要是以risc為處理器核心、搭配512mb內存的設備。 目前市場上主要的商業(yè)車載信息系統(tǒng)供貨商包括：airiq、atx group、etas group、 minorplanet systems、onstar corporation、punch telematix、qualcomm、webtech wireless與wireless matrix corporation等。
范 積極評價 · in-stat分析師gerry kaufhold表示，“恩智浦在硅調諧器領域擁有行業(yè)領先的豐富經驗，全面支持全球范圍的所有廣播標準，并擁有特種射頻加工工藝和強大的全球供應鏈，這是電視機制造商的關鍵考慮因素之一，因為他們看重的是高性能和高可靠性。憑借最新款混合型硅調諧器，恩智浦將推動從傳統(tǒng)罐式調諧器向‘板載’硅電視調諧器的重大轉變。硅調諧器尺寸更小、可靠性更高、功耗更低，因而成本效益優(yōu)勢更為突出?！?· 恩智浦半導體電視前端產品線國際產品市場經理fabrice punch說道：“我們的許多客戶已經開始銷售搭載板載硅調諧器芯片的電視機。我們推出tda18274的目的是促進板載硅調諧器在更大范圍內得到大眾的認可。tda18274集眾多優(yōu)勢于一身，其中包括高度集成的設計、支持多調諧器應用的能力以及對lte及其他無線網絡干擾的強大免疫力，是電視制造商的理想選擇，將幫助電視制造商減少必要組件的數量，充分發(fā)揮當今硅調諧器具有的簡單性、高性能、低物料成本等優(yōu)勢。”
宋體一條長長的通道連接著ibm位于紐約州阿蒙克(armonk) 總部大樓的兩翼，而恰恰是這條通道賦予了ibm“創(chuàng)業(yè)及發(fā)展歷程”全新的涵義。在其總部大樓里，ibm展示著百年來該公司生產的一系列產品，從穿孔卡片(punch cards)到錄音磁帶，再從磁盤驅動器到存儲芯片。這些產品或以實物形式展現在人們面前，或以照片形式講述著該公司的百年歷史。在現代計算設備真正問世之前，每一種存儲信息方式的背后都離不開一個響當當的名字：ibm。從紐約市向北驅車一小時就能夠到達ibm的總部大樓。在ibm董事會會議室旁邊的陳列著一臺辦公桌大小的計算設備，上面布滿了上百個按鈕。一個插著一大團各種線纜的鐵質金屬板不禁讓參觀者嘆為觀止：這難道就是“控制面板”的早期模型。 成功孕育于百年歷史 二十年來五大科技公司市值走勢圖 目前還沒有一家it企業(yè)能夠像ibm一樣展示出如此眾多具有歷史意義的系列產品。本月16日，ibm將迎來公司的百年華誕，而缺少ibm的全球計算設備的發(fā)展史也將是不完整的。陳列在總部大樓里的一系列產品彰顯了ibm這位“藍色巨人”為推動20世紀的科技發(fā)展所做出的巨大貢獻。最近，歷經十
quot;以消除干擾的影響。但因板面面積不夠,因此pcb lay-out就將"接地"與"電壓"二功能之大銅面移入內層，造成四層板的瞬間大量興起,也延伸了阻抗控制的要求。而原有四層板則多升級為六層板，當然高層次多層板也因高密度裝配而日見增多.本章將探討多層板之內層制作及注意事宜. 4.2 制作流程 依產品的不同現有三種流程 a. print and etch 發(fā)料→對位孔→銅面處理→影像轉移→蝕刻→剝膜 b. post-etch punch 發(fā)料→銅面處理→影像轉移→蝕刻→剝膜→工具孔 c. drill and panel-plate 發(fā)料→鉆孔→通孔→電鍍→影像轉移→蝕刻→剝膜 4.2.0發(fā)料 發(fā)料就是依制前設計所規(guī)劃的工作尺寸，依bom來裁切基材，是一很單純的步驟，但以下幾點須注意： a. 裁切方式-會影響下料尺寸 b. 磨邊與圓角的考量-影響影像轉移良率制程 c. 方向要一致-即經向對經向，緯向對緯向 d. 下制程前的烘烤-尺寸安定性考量 4.2
子展)進行產品演示（恩智浦展示區(qū)位于wynn hotel and casino）。 in-stat分析師gerry kaufhold表示，“硅調諧器市場將在五年內翻番，2014年預計達到5億美元，并將取代傳統(tǒng)的can調諧器。恩智浦作為硅調諧器全球市場的領導者，能很好滿足電視制造商的設計需求，能夠穩(wěn)定和大量供貨。隨著其最新一代高性能混合型硅調諧器的發(fā)布，在無線網絡抗干擾性能設計等方面，恩智浦為產品性能顯著提升提供了領先方案?！?恩智浦半導體電視前端事業(yè)部國際營銷經理fabrice punch表示，“隨著tda18273的發(fā)布，我們開發(fā)的高性能硅調諧器已經覆蓋全球所有電視標準。我們非常高興地獲悉，在美國占有很大市場份額的日本領先電視機廠商funai electric(船井電機) 已經選擇了tda18273。最新發(fā)布的硅調諧器也表明了我們正繼續(xù)集中20多年的行業(yè)經驗，為改進電視調諧器ic設計而不懈努力?！?tda18273技術亮點： o恩智浦tda18273硅調諧器其他特性包括： ·單一電源供電 ·超高最大輸入電平 ·外形尺寸6x6mm，h
s，使floating gate的那個mos的drain和source兩端不會受到過高的電壓，而容易產生over erase 或over program之類的，而這個對于flash 來說是很麻煩的。所以eerpom不會做大，當array面積占到整個chip的die size 的很大比例的話，成本相對與flash就會沒有優(yōu)勢的。好象在業(yè)界來說，擦和寫在flash和eeprom 中的定義是恰好相反的，是很奇怪。hhnec的eeprom的工作電壓不是很清楚，smic的是16v 左右（最高電壓），高了會punch through 或break down。
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