SI1499DH-T1-GE3
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P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
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MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
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MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
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rds)低至45mω。憑借低閾值電壓以及確保可在1.5v柵極驅(qū)動電壓下運(yùn)行的規(guī)范,這些新型器件使設(shè)計(jì)人員無需使用電平轉(zhuǎn)換電路,并且最大程度地實(shí)現(xiàn)了電池供電系統(tǒng)中低工作電壓的省電優(yōu)勢。 這五款功率mosfet中的兩款采用little foot tsop-6封裝的器件,它們分別具有20v (si3495dv)和-8v(si3499dv)漏極到源極擊穿電壓,在柵極驅(qū)動電壓為1.5v時(shí),導(dǎo)通電阻分別為47mω和45mω。 另外三款器件是-8v的si8419db、si5499dc和si1499dh,它們分別采用micro foot、1206-8 chipfet和sc-70 封裝。如同新型little foot器件一樣,這三款器件的額定柵極電壓均為1.5v,這些器件有助于縮小占位面積,可實(shí)現(xiàn)更靈活的終端系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 上述p通道負(fù)載開關(guān)的樣品和量產(chǎn)批量生產(chǎn)均可提供,大宗訂單的供貨周期為12周。100,000片訂購,美國發(fā)運(yùn)的起始單價(jià)為25美分(僅供參考)。 來源:小草
能高于最低柵源電壓規(guī)格為1.5v的器件中的導(dǎo)通電阻性能:低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。 日前推出的這些器件(以及它們的封裝類型)為n通道sia414dj(powerpak sc-70)、si8424db(micro foot)及sib414dk(powerpak sc75),以及p通道sia417dj(powerpak sc-70)、si8429db(micro foot)及sib417dk(powerpak sc-75)。先前推出的采用sc-70封裝的p通道si1499dh完善了vishay的1.2v功率mosfet產(chǎn)品系列。 這些新型器件的一般應(yīng)用包括手機(jī)、pda、mp3播放器、數(shù)碼相機(jī)及其他便攜式系統(tǒng)中的負(fù)載、功率放大器及電池充電器開關(guān)。除憑借低導(dǎo)通電阻節(jié)省電池電量外,這些新型器件還可憑借1.5mm×1.5mm的小型封裝尺寸節(jié)省空間。 目前,所有七款1.2v器件的樣品及量產(chǎn)批量均可提供,大宗訂單的供貨周期為8~10周。 500){this.width=500}" border=0> 來源:小草
電阻性能高于最低柵源電壓規(guī)格為1.5v的器件中的導(dǎo)通電阻性能:低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。 日前推出的這些器件(以及它們的封裝類型)為n通道sia414dj(powerpak sc-70)、si8424db(micro foot)及sib414dk(powerpak sc75),以及p通道sia417dj(powerpak sc-70)、si8429db(micro foot)及sib417dk(powerpak sc-75)。先前推出的采用sc-70封裝的p通道si1499dh完善了vishay的1.2v功率mosfet產(chǎn)品系列。 這些新型器件的一般應(yīng)用包括手機(jī)、pda、mp3播放器、數(shù)碼相機(jī)及其他便攜式系統(tǒng)中的負(fù)載、功率放大器及電池充電器開關(guān)。除憑借低導(dǎo)通電阻節(jié)省電池電量外,這些新型器件還可憑借1.5mm×1.5mm的小型封裝尺寸節(jié)省空間。 目前,所有七款1.2v器件的樣品及量產(chǎn)批量均可提供,大宗訂單的供貨周期為8~10周。 來源:小草
性能高于最低柵源電壓規(guī)格為1.5v的器件中的導(dǎo)通電阻性能:低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。 日前推出的這些器件(以及它們的封裝類型)為n通道sia414dj(powerpak sc-70)、si8424db(micro foot)及sib414dk(powerpak sc75),以及p通道sia417dj(powerpak sc-70)、si8429db(micro foot)及sib417dk(powerpak sc-75)。先前推出的采用sc-70封裝的p通道si1499dh完善了vishay的1.2v功率mosfet產(chǎn)品系列。 這些新型器件的一般應(yīng)用包括手機(jī)、pda、mp3播放器、數(shù)碼相機(jī)及其他便攜式系統(tǒng)中的負(fù)載、功率放大器及電池充電器開關(guān)。除憑借低導(dǎo)通電阻節(jié)省電池電量外,這些新型器件還可憑借1.5mm×1.5mm的小型封裝尺寸節(jié)省空間。 目前,所有七款1.2v器件的樣品及量產(chǎn)批量均可提供,大宗訂單的供貨周期為8~10周。 500){this.width=500}" border=0> 來源:小草
性能高于最低柵源電壓規(guī)格為1.5v的器件中的導(dǎo)通電阻性能:低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。 日前推出的這些器件(以及它們的封裝類型)為n通道sia414dj(powerpak sc-70)、si8424db(micro foot)及sib414dk(powerpak sc75),以及p通道sia417dj(powerpak sc-70)、si8429db(micro foot)及sib417dk(powerpak sc-75)。先前推出的采用sc-70封裝的p通道si1499dh完善了vishay的1.2v功率mosfet產(chǎn)品系列。 這些新型器件的一般應(yīng)用包括手機(jī)、pda、mp3播放器、數(shù)碼相機(jī)及其他便攜式系統(tǒng)中的負(fù)載、功率放大器及電池充電器開關(guān)。除憑借低導(dǎo)通電阻節(jié)省電池電量外,這些新型器件還可憑借1.5mm×1.5mm的小型封裝尺寸節(jié)省空間。 目前,所有七款1.2v器件的樣品及量產(chǎn)批量均可提供,大宗訂單的供貨周期為8~10周。
于最低柵源電壓規(guī)格為1.5v的器件中的導(dǎo)通電阻性能:低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。 日前推出的這些器件(以及它們的封裝類型)為n通道sia414dj(powerpak sc-70)、si8424db(micro foot)及sib414dk(powerpak sc75),以及p通道sia417dj(powerpak sc-70)、si8429db(micro foot)及sib417dk(powerpak sc-75)。先前推出的采用sc-70封裝的p通道si1499dh完善了vishay的1.2v功率mosfet產(chǎn)品系列。 這些新型器件的一般應(yīng)用包括手機(jī)、pda、mp3播放器、數(shù)碼相機(jī)及其他便攜式系統(tǒng)中的負(fù)載、功率放大器及電池充電器開關(guān)。除憑借低導(dǎo)通電阻節(jié)省電池電量外,這些新型器件還可憑借1.5mm×1.5mm的小型封裝尺寸節(jié)省空間。 目前,所有七款1.2v器件的樣品及量產(chǎn)批量均可提供,大宗訂單的供貨周期為8~10周。
性能高于最低柵源電壓規(guī)格為1.5v的器件中的導(dǎo)通電阻性能:低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。 日前推出的這些器件(以及它們的封裝類型)為n通道sia414dj(powerpak sc-70)、si8424db(micro foot)及sib414dk(powerpak sc75),以及p通道sia417dj(powerpak sc-70)、si8429db(micro foot)及sib417dk(powerpak sc-75)。先前推出的采用sc-70封裝的p通道si1499dh完善了vishay的1.2v功率mosfet產(chǎn)品系列。 這些新型器件的一般應(yīng)用包括手機(jī)、pda、mp3播放器、數(shù)碼相機(jī)及其他便攜式系統(tǒng)中的負(fù)載、功率放大器及電池充電器開關(guān)。除憑借低導(dǎo)通電阻節(jié)省電池電量外,這些新型器件還可憑借1.5mm×1.5mm的小型封裝尺寸節(jié)省空間。 目前,所有七款1.2v器件的樣品及量產(chǎn)批量均可提供,大宗訂單的供貨周期為8~10周。