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一站式配單，只做原裝
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優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品大量庫(kù)存原裝現(xiàn)貨
vishay宣布推出新系列p通道m(xù)osfet，這些器件建立了vishay每單位面積最低導(dǎo)通電阻的新記錄。 基于新一代trenchfet芯片技術(shù)的新型vishay siliconix器件采用powerpak sc-70封裝(2.05mm×2.05mm)時(shí)最大導(dǎo)通電阻額定值為29毫歐，采用標(biāo)準(zhǔn)sc-70封裝(2.0mm×2.1mm)時(shí)為80毫歐，采用sc-89封裝(1.6mm×1.6mm)時(shí)為130毫歐。與市場(chǎng)上的mosfet相比，這些新型vishay siliconix器件的規(guī)格表現(xiàn)了高達(dá)63%的改進(jìn)。 這些新型p通道trenchfet將用于手機(jī)、mp3 播放器、pda及數(shù)碼相機(jī)等便攜式終端產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)關(guān)、pa開(kāi)關(guān)及電池開(kāi)關(guān)，在這些應(yīng)用中，它們的低傳導(dǎo)損失將有助于延長(zhǎng)電池的運(yùn)行時(shí)間，它們的微型封裝將節(jié)省寶貴的板面空間，從而實(shí)現(xiàn)更多功能。 在便攜式電子系統(tǒng)中，通過(guò)在顯示器或功率放大器等功能不用時(shí)關(guān)閉它們，或?qū)⑾到y(tǒng)從活動(dòng)模式切換到睡眠模式，p通道m(xù)osfet執(zhí)行基本功能，從而節(jié)省電池使用時(shí)間。執(zhí)行這些切換任務(wù)時(shí)，這些新型vishay siliconix器件
日前，vishay intertechnology, inc.宣布，該公司旗下子公司vishay siliconix位于加州santa clara的工廠已經(jīng)通過(guò)了dscc的再次認(rèn)證，所生產(chǎn)的模擬開(kāi)關(guān)和復(fù)用器將按照mil-prf-38535標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行篩選。 首先投產(chǎn)的新認(rèn)定產(chǎn)品是dg409的高可靠性版本，即雙線4通道差分模擬復(fù)用器：dg409將4個(gè)差分輸入中的一個(gè)連到一個(gè)共用的雙線輸出上，具有44v的最大供電等級(jí)、100ω的低導(dǎo)通電阻、低至20pc的電荷注入。該器件提供3種軍品級(jí)封裝：16腳的cerdip、20腳的lcc和16腳的flat-pack。在2010年下半年，vishay還將發(fā)布更多高可靠性版本的模擬開(kāi)關(guān)和復(fù)用器產(chǎn)品。 位于santa clara的vishay工廠正在進(jìn)行軍品級(jí)別的mosfet的質(zhì)量認(rèn)證。所有vishay siliconix的高可靠性mosfet和ic產(chǎn)品都在santa clara的工廠里制造，可滿足業(yè)內(nèi)最苛刻的穩(wěn)定性要求。同時(shí)，vishay與幾乎所有服務(wù)于高可靠性市場(chǎng)的分銷商保持著長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系。 除了遵循mil-prf-38535標(biāo)準(zhǔn)，vishay s
vishay的子公司siliconix incorporated推出一系列新型-150v和-200v p溝道功率mosfet，這些器件提供了面向有源鉗位配置的小型解決方案。 這些新型p溝道功率mosfet基于siliconix的先進(jìn)p溝道trenchfet技術(shù)，它們的小型尺寸降低了板級(jí)空間要求，從而可在使性能不變的情況下實(shí)現(xiàn)更小的整體產(chǎn)品設(shè)計(jì)。由于p溝道驅(qū)動(dòng)電路比n溝道解決方案更簡(jiǎn)單，因此，這些新型器件可使設(shè)計(jì)人員在小型及中型電源轉(zhuǎn)換器中實(shí)施成本更低的更小型有源鉗位設(shè)計(jì)。 推出的這些功率mosfet主要面向電信、數(shù)據(jù)通信和工業(yè)產(chǎn)品的dc-dc轉(zhuǎn)換器中的初級(jí)端(primary-side)有源鉗位電路。憑借其所具有的占位面積和1.2ω～2.35ω的導(dǎo)通電阻值，這些功率mosfet在該領(lǐng)域體現(xiàn)了業(yè)界最佳的導(dǎo)通電阻水平。 除采用sc-70和sot-23封裝的器件外，siliconix還正在推出面向同樣應(yīng)用的兩款powerpak so-8器件。-150v si7439dp提供了0.09mω的導(dǎo)通電阻值，而-200v si7431dp的額定電阻值為0.174mω。 來(lái)源:小草
vishay推出新系列 p 溝道 mosfet，這些器件建立了每單位面積最低導(dǎo)通電阻的新記錄?；谛乱淮?trenchfet 芯片技術(shù)的新型 vishay siliconix 器件采用 powerpak sc-70 封裝（2.05 mm×2.05 mm）時(shí)最大導(dǎo)通電阻額定值為 29 毫歐，采用標(biāo)準(zhǔn) sc-70 封裝（2.0 mm×2.1 mm）時(shí)為 80 毫歐，采用 sc-89 封裝（1.6 mm×1.6 mm）時(shí)為 130 毫歐。 與市場(chǎng)上僅次之的 mosfet 相比，這些新型 vishay siliconix 器件的規(guī)格表現(xiàn)了高達(dá) 63% 的改進(jìn)。這些新型 p 溝道 trenchfet 將用于手機(jī)、mp3 播放器、pda 及數(shù)碼相機(jī)等便攜式終端產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)關(guān)、pa 開(kāi)關(guān)及電池開(kāi)關(guān)，在這些應(yīng)用中，它們的低傳導(dǎo)損失將有助于延長(zhǎng)電池的運(yùn)行時(shí)間，它們的微型封裝將節(jié)省寶貴的板面空間，從而實(shí)現(xiàn)更多功能。 在便攜式電子系統(tǒng)中，通過(guò)在顯示器或功率放大器等功能不用時(shí)關(guān)閉它們，或?qū)⑾到y(tǒng)從活動(dòng)模式切換到睡眠模式，p 溝道 mosfet 執(zhí)行基本功能，從而節(jié)省電池使用時(shí)間。執(zhí)行這些切換任務(wù)時(shí)，這些新型 vis
齊備的100v dc/dc脈寬調(diào)制(pwm)控制器。該產(chǎn)品既可在推挽式總線轉(zhuǎn)換器中單獨(dú)使用，也可在半/全橋轉(zhuǎn)換器中與ir的一個(gè)或兩個(gè)lm5100驅(qū)動(dòng)器配合使用。這種靈活性有利于設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)一系列適用于多種電信、汽車及工業(yè)應(yīng)用的低壓總線轉(zhuǎn)換器。 讀者評(píng)論： 極好的封裝形式。 太妙了！在此之前我從未聽(tīng)說(shuō)過(guò)這種產(chǎn)品。其高達(dá)100v的輸入電壓對(duì)汽車工業(yè)設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)非常有用，尤其是那些轉(zhuǎn)換42vdc的應(yīng)用。 有機(jī)會(huì)的話，我愿意使用！ 價(jià)位合理。 可用性排名：4 7、siliconix的功率mosfet整合了兩種先進(jìn)技術(shù) 編輯評(píng)注： siliconix推出的si4368dy和si7668dp是首批整合了該公司wfet與trenchfet gen ii技術(shù)的兩款功率mosfet產(chǎn)品，具有極低的qgd值和rds(on)值。這種n溝道m(xù)osfet適合筆記本電腦、服務(wù)器和vrm模塊中同步降壓(單相或多相配置)dc/dc轉(zhuǎn)換器中的低端應(yīng)用，同時(shí)也適合于固定電信系統(tǒng)(以前推出的si4390dy和si7390dp用于高端配置)中的同步整流低端應(yīng)用。 讀者評(píng)論：
電阻與柵極電荷之乘積。 sir476dp 在 4.5v 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)最大導(dǎo)通電阻為 2.1m?，在10v 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)最大導(dǎo)通電阻為1.7m?。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中針對(duì) mosfet 的關(guān)鍵優(yōu)值 (fom)，在 4.5v 時(shí)為 89.25nc。 與為實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損失及低開(kāi)關(guān)損失而優(yōu)化的最接近的同類競(jìng)爭(zhēng)器件相比，這些規(guī)格意味著在4.5v 及10v 時(shí)導(dǎo)通電阻分別低32% 與15%，fom 低 42%。更低的導(dǎo)通電阻及柵極電荷可轉(zhuǎn)變成更低的傳導(dǎo)損失及開(kāi)關(guān)損失。 siliconix sir476dp 將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級(jí)同步整流及 or-ing 應(yīng)用中作為低端 mosfet。其低導(dǎo)通及低開(kāi)關(guān)損失將使穩(wěn)壓器模塊 (vrm)、服務(wù)器及使用負(fù)載點(diǎn) (pol) 功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計(jì)。 vishay 還推出了新型25v sir892dp 及sir850dp n 通道 mosfet。這些器件在 4.5v 時(shí)提供了 4.2m? 與 9m? 的導(dǎo)通電阻，在 10v 時(shí)為 3.2m? 及 7m?，典型柵極電荷為 20nc 及 8.4nc。所有這三款新
及開(kāi)關(guān)和微電位計(jì)。收購(gòu)mic公司的aeroflex部門，其是一家規(guī)模較小的無(wú)源元件生產(chǎn)商，增強(qiáng)了威世現(xiàn)存的薄膜產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。 其他被動(dòng)元件的收購(gòu)還包括：2008年收購(gòu)kemet的液鉭電容業(yè)務(wù)，2011年收購(gòu)huntington electic，2012年收購(gòu)hirel systems。 1997年威世進(jìn)入了分立半導(dǎo)體領(lǐng)域，并收購(gòu)了lite-on power semiconductor公司65%的股份。1998年，威世收購(gòu)了temic的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門，這部分業(yè)務(wù)包括了telefunken和siliconix 80.4％的股份。telefunken和siliconix過(guò)去曾主要生產(chǎn)mosfet、rf 晶體管、二極管、光電子、電源和模擬開(kāi)關(guān)ic。威世隨后賣掉了它在lite-on的股份，以更專注siliconix和telefunken的成功業(yè)務(wù)。 2001年，vishay收購(gòu)了infineon technologies的紅外元件業(yè)務(wù)和全球二極管和二極管和整流器全球領(lǐng)先制造商general semiconductor。general semiconductorhe infineon的紅外元件業(yè)務(wù)，增
日前，vishay intertechnology, inc.宣布推出兩種新系列四通道spst cmos模擬開(kāi)關(guān)，這些器件將高開(kāi)關(guān)速度與高信號(hào)帶寬進(jìn)行了完美結(jié)合，可用于眾多開(kāi)關(guān)應(yīng)用，其中包括音頻、視頻、數(shù)據(jù)及電源。 vishay siliconix dg451及dg454系列器件具有四個(gè)可獨(dú)立選擇的44v spst開(kāi)關(guān)，每個(gè)均具有4ω的典型導(dǎo)通電阻及0.2ω的典型平坦度，這兩個(gè)參數(shù)是低失真音頻信號(hào)開(kāi)關(guān)的理想?yún)?shù)。 所有這些器件均可與vishay siliconix dg411、dg412及dg413引腳兼容，并且具有極低的導(dǎo)通電阻及超快的開(kāi)關(guān)時(shí)間。此外，dg454系列還提供了無(wú)需使用邏輯電壓引腳的優(yōu)勢(shì)。該功能的優(yōu)點(diǎn)包括無(wú)需5v電源便可運(yùn)行，無(wú)需連接邏輯電壓引腳的pcb跡線，也無(wú)需電源排序。 dg451與dg454在正常情況下為閉合狀態(tài)，而dg452與dg455在正常情況下為斷開(kāi)狀態(tài)。dg453與dg456均具有兩個(gè)在正常情況下為閉合狀態(tài)的開(kāi)關(guān)，以及兩個(gè)在正常情況下為斷開(kāi)狀態(tài)的開(kāi)關(guān)。這些選擇為設(shè)計(jì)人員提供了在啟動(dòng)過(guò)程中的正確開(kāi)關(guān)狀況，以滿足他們特定
vishay宣布推出新系列p通道m(xù)osfet，這些器件建立了vishay每單位面積最低導(dǎo)通電阻的新記錄。 基于新一代trenchfet芯片技術(shù)的新型vishay siliconix器件采用powerpak sc-70封裝(2.05mm×2.05mm)時(shí)最大導(dǎo)通電阻額定值為29毫歐，采用標(biāo)準(zhǔn)sc-70封裝(2.0mm×2.1mm)時(shí)為80毫歐，采用sc-89封裝(1.6mm×1.6mm)時(shí)為130毫歐。與市場(chǎng)上的mosfet相比，這些新型vishay siliconix器件的規(guī)格表現(xiàn)了高達(dá)63%的改進(jìn)。 這些新型p通道trenchfet將用于手機(jī)、mp3 播放器、pda及數(shù)碼相機(jī)等便攜式終端產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)關(guān)、pa開(kāi)關(guān)及電池開(kāi)關(guān)，在這些應(yīng)用中，它們的低傳導(dǎo)損失將有助于延長(zhǎng)電池的運(yùn)行時(shí)間，它們的微型封裝將節(jié)省寶貴的板面空間，從而實(shí)現(xiàn)更多功能。 在便攜式電子系統(tǒng)中，通過(guò)在顯示器或功率放大器等功能不用時(shí)關(guān)閉它們，或?qū)⑾到y(tǒng)從活動(dòng)模式切換到睡眠模式，p通道m(xù)osfet執(zhí)行基本功能，從而節(jié)省電池使用時(shí)間。執(zhí)行這些切換任務(wù)時(shí)，這些新型vishay siliconix器件的功耗很低，因?yàn)樗鼈兂偷膶?dǎo)通
日前，vishay(威世)宣布， vishay siliconix推出新款n溝道功率mosfet通過(guò)jan認(rèn)證的，分別是60v 2n6660jantx/jantxv和90v 2n6661jantx/jantxv。對(duì)于軍工、航天和航空應(yīng)用，這些采用密封to-205ad(to-39)封裝的器件兼具低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)的性能。 vishay siliconix的工廠位于加州santa clara，已被dscc重新認(rèn)證，可采用mil-prf-19500標(biāo)準(zhǔn)對(duì)所生產(chǎn)的mosfet進(jìn)行篩選。在用于軍工和重要航空應(yīng)用的系統(tǒng)中，mil-prf-19500標(biāo)準(zhǔn)樹(shù)立了對(duì)分立器件的性能、質(zhì)量和可靠性要求的準(zhǔn)繩。 今天推出的器件適用于ttl/cmos直接邏輯電平接口，繼電器、螺線管、燈、電錘、顯示器、存儲(chǔ)器和晶體管的驅(qū)動(dòng)，以及電池供電系統(tǒng)和以及固態(tài)繼電器。mosfet的密封to-205ad封裝可承受軍工和航天應(yīng)用中更高的溫度。 60v 2n6660jantx/jantxv在10v下的典型導(dǎo)通電阻低至1.3ω，柵源閾值電壓為1.7v，開(kāi)關(guān)速度為8ns。90v 2n6661jantx/jantxv在10v
該電路利用一個(gè)siliconix公司的vmp-4功率場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)提供11db的增益和26v的電源，或者是14db的增益和36v的供應(yīng)，寬頻帶設(shè)計(jì)使得頻率的范圍寬達(dá)600mhz。射頻功率場(chǎng)效應(yīng)管在160mhz時(shí)的輸出為13w，并附帶有高增益，無(wú)故障。 來(lái)源:zhengyuan
利用電源間180度的相位差和siliconix的場(chǎng)效應(yīng)晶體管ut83的輸出來(lái)將音頻輸入在沒(méi)有變壓器的情況下轉(zhuǎn)換成推挽式輸出。電路的每個(gè)半周期的電壓增益大約是0.8。頻率響應(yīng)指的是1khz的頻率在50hz到50khz的范圍內(nèi)的變化范圍不會(huì)超過(guò)3db。 來(lái)源:zhenglili
對(duì)于高達(dá)15w的功率，從10赫茲到50兆赫的頻率上的響應(yīng)是平坦的。在15兆赫的頻率上，全功率輸出的總諧波失真是0.25％。輸出級(jí)使用連接管在推挽式作為三極管。輸入晶體管可以是任何飛利浦bfq10–16科或者等值的替換，比如siliconix e401。 來(lái)源:zhengyuan
siliconix 公司：dg221是單片四路spst開(kāi)關(guān),dg428/dg528為8-1模擬復(fù)用器，dg485為串行輸入8-1模擬復(fù)用器，dg535/536是一個(gè)16-1模擬復(fù)用器，
轉(zhuǎn)貼貼片三極管/貼片二極管標(biāo)記與型號(hào)對(duì)照1 highway 發(fā)表于 2003-11-1 16:02 器件替換 ←返回版面 the manufacturer abbreviations used include: hp hewlett-packard fch fairchild phi philips sie siemens zet zetex sgs sgs-thompson sil siliconix itt itt semiconductors mot motorola nat national semiconductor roh rohm tem temic semiconductorscode devide manuf. pinout equivalent/info005 sstpad5 sil j pad-5 5pa leakage diode010 sstpad10 sil j
SILICONWARE SILVER SIM100M32-E SIM100S32-E SIM20 SIM300 SIM300C SIM300CZ SIM300D SIM300DZ
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