SIS426DN-T1-GE3
10000
QFN8/23+
原裝現(xiàn)貨 詢價加Q
SIS426DN-T1-GE3
11400
QFN8/0942+
房間原裝現(xiàn)貨可看貨，回收此型號
SIS426DN
30000
DFN33/2022+
進口原裝現(xiàn)貨供應，原裝 假一罰十
SIS426DN
6000
DFN33/23+
終端可以免費供樣，支持BOM配單
SIS426DN
65286
-/21+
全新原裝現(xiàn)貨，長期供應，免費送樣
SIS426DN
154836
DFN33/23+
終端可以免費供樣，支持BOM配單
SIS426DN
71000
AXIAL/24+
原廠原裝現(xiàn)貨
SIS426DN
23000
-/2024+
原廠原裝現(xiàn)貨庫存支持當天發(fā)貨
SIS426DN
62895
DFN33/2022+
原廠代理 終端免費提供樣品
SIS426DN
9200
QFN8/23+
只做原裝更多數量在途訂單
SIS426DN
3515
12128/23+
原裝現(xiàn)貨需要的加QQ3552671880 2987726803
SIS426DN
1054
-/QFN8
代理直銷，公司原裝現(xiàn)貨供應
SIS426DN
50000
QFN8(3X3)/23+
臺產芯片完美替代
SIS426DN
154836
DFN33/2025+
終端可以免費供樣，支持BOM配單
SIS426DN
12700
QFN8/22+
誠信合作 一站配齊
SIS426DN
41101
09+/-
大量現(xiàn)貨，提供一站式配單服務
SIS426DN
17500
QFN8/25+
貨真、價實、城交
SIS426DN
63422
09+/2215+
原裝現(xiàn)貨，可提供一站式配套服務
SIS426DN1-E3
5800
QFN8/23+
進口原裝現(xiàn)貨，杜絕假貨。
SIS426DN-T1
31500
-/22+
別劃了，只做原裝，有貨的
vishay intertechnology, inc.推出兩款20v和兩款30v n通道器件，從而擴展其第三代trenchfet功率mosfet系列。這些器件首次采用 turbofet技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。 這次vishay推出的20v器件包括sis426dn和sir496dp，其中sis426dn器件采用尺寸3mm×3mm的powerpak 1212-8封裝，可為此額定電壓的設備提供業(yè)界最低的導通電阻與柵極電荷乘積。對于sis426dn而言，直流到直流轉換器中針對mosfet的此關鍵優(yōu)值(fom)在4.5v時為76.6mω-nc，而在10v時為117.60mω-nc；它在4.5v柵極驅動時典型柵極電荷低至13.2 nc，在10v柵極驅動時低至28 nc。與最接近的同類競爭器件相比，這些規(guī)格意味著在4.5v及10v時柵極電荷分別降低45%與36%，fom降低50%。更低的柵極電荷意味著在所有頻率時更有效的切換，尤其是可讓設計人員選擇以更高的頻率工作，從而確保在直流到直流轉換器中使用更小的無源元件。 vishay的30v
日前，vishay intertechnology, inc.推出兩款20v和兩款30v n通道器件，從而擴展其第三代trenchfet功率mosfet系列。這些器件首次采用 turbofet技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。 這次vishay推出的20v器件包括sis426dn和sir496dp，其中sis426dn器件采用尺寸3mm×3mm的powerpak 1212-8封裝，可為此額定電壓的設備提供業(yè)界最低的導通電阻與柵極電荷乘積。對于sis426dn而言，直流到直流轉換器中針對mosfet的此關鍵優(yōu)值(fom)在4.5v時為76.6mω-nc，而在10v時為117.60mω-nc；它在4.5v柵極驅動時典型柵極電荷低至13.2 nc，在10v柵極驅動時低至28 nc。與最接近的同類競爭器件相比，這些規(guī)格意味著在4.5v及10v時柵極電荷分別降低45%與36%，fom降低50%。更低的柵極電荷意味著在所有頻率時更有效的切換，尤其是可讓設計人員選擇以更高的頻率工作，從而確保在直流到直流轉換器中使用更小的無源元件。 vishay的
日前，vishay intertechnology推出兩款 20v 和兩款 30v n 通道器件，從而擴展其第三代 trenchfet 功率mosfet 系列。這些器件首次采用turbofet 技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。 這次vishay推出的20v 器件包括sis426dn 和sir496dp，其中sis426dn器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 powerpak 1212-8 封裝，可為此額定電壓的設備提供業(yè)界最低的導通電阻與柵極電荷乘積。對于 sis426dn 而言，直流到直流轉換器中針對 mosfet 的此關鍵優(yōu)值 (fom) 在 4.5v 時為 76.6 m-nc，而在 10 v 時為 117.60 m-nc；它在 4.5v 柵極驅動時典型柵極電荷低至 13.2 nc，在 10v 柵極驅動時低至 28 nc。與最接近的同類競爭器件相比，這些規(guī)格意味著在 4.5v 及 10v 時柵極電荷分別降低 45% 與 36%，fom 降低 50%。更低的柵極電荷意味著在所有頻率時更有效的切換，尤其是可讓設計人員選擇以更高的頻率
vishay intertechnology, inc.（nyse 股市代號：vsh）推出兩款 20v 和兩款 30v n 通道器件，從而擴展其第三代 trenchfet? 功率 mosfet 系列。這些器件首次采用 turbofet? 技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。 這次vishay推出的20v 器件包括sis426dn 和sir496dp，其中sis426dn器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 powerpak? 1212-8 封裝，可為此額定電壓的設備提供業(yè)界最低的導通電阻與柵極電荷乘積。對于 sis426dn 而言，直流到直流轉換器中針對 mosfet 的此關鍵優(yōu)值 (fom) 在 4.5v 時為 76.6 m?-nc，而在 10 v 時為 117.60 m?-nc；它在 4.5v 柵極驅動時典型柵極電荷低至 13.2 nc，在 10v 柵極驅動時低至 28 nc。與最接近的同類競爭器件相比，這些規(guī)格意味著在 4.5v 及 10v 時柵極電 荷分別降低 45% 與 36%，fom 降低 50%。更低的柵極電荷意味
日前，vishay intertechnology, inc.推出兩款 20v 和兩款 30v n 通道器件，從而擴展其第三代 trenchfet® 功率 mosfet 系列。這些器件首次采用 turbofet™ 技術，利用新電荷平衡漏結構將柵極電荷降低多達 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。 這次vishay推出的20v 器件包括sis426dn 和sir496dp，其中sis426dn器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 powerpak® 1212-8 封裝，可為此額定電壓的設備提供業(yè)界最低的導通電阻與柵極電荷乘積。對于 sis426dn 而言，直流到直流轉換器中針對 mosfet 的此關鍵優(yōu)值 (fom) 在 4.5v 時為 76.6 mΩ-nc，而在 10 v 時為 117.60 mΩ-nc；它在 4.5v 柵極驅動時典型柵極電荷低至 13.2 nc，在 10v 柵極驅動時低至 28 nc。與最接近的同類競爭器件相比，這些規(guī)格意味著在 4.5v 及 10v 時柵極電荷分別降低 45% 與 36%，fom 降低 50%。
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