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64-MBIT (8M 8 BITS) CMOS NAND E2PR...
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64-MBIT (8M 8 BITS) CMOS NAND E2PR...
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tc58v64的讀操作如圖1所示。隨著指令,利用節(jié)指定讀出開始地址,開始進行數(shù)據(jù)讀操作,地址及指令在we信號的上升沿被鎖存。 圖1 tc58v64的讀操作 讀操作時地址的指定方法如表1所示。最先給予的數(shù)據(jù)稱為列地址,后面的兩個周期中所給予的數(shù)據(jù)稱為頁地址。tc58v64的存儲器具有1024個塊,由于各個塊又分割成16個頁,所以a22~a13為塊號(塊地址),a12~a19為塊內(nèi)的頁號(塊內(nèi)的nand地址)。 表1 指定地址的方法 讀指令如果是00h,則a8=“0”,如果讀指令為01h,則a8=“1”,所以沒有指定 a8的位。 a22~al13:塊地址 a12~a9:塊內(nèi)nand地址}頁地址 a7~a0:列地址 這里有意思的是a8沒有指定,而1頁的大小為528字節(jié),大于512。這樣a9就成為了頁地址。 在此,將一頁(528字節(jié))分成256+256+16這樣的結(jié)構(gòu)(假設(shè)稱為段)可能更容易理解。根據(jù)從一頁的哪個段開始讀,指令將被分離,讀指令具有3個種類(00h,01h,50h)正是因為這個原因。而從各個段中的什么部位開始讀是由列地址過渡的。當(dāng)
tc58v64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲器的容量增大,則塊數(shù)也將增加,但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒有改變。 圖 tc58v64的內(nèi)部結(jié)構(gòu) nand閃速存儲器的特點 ①按順序存取數(shù)據(jù); ②存儲器內(nèi)部以塊為單元進行分割,而各塊又以頁為單位進行分割; ③以塊為單位進行擦除操作; ④以頁為單位進行編程(寫人); ⑤頁的大小存在尾數(shù)(tc28v64是roodzj字節(jié)); ⑥也存在有壞塊(bad block)的產(chǎn)品。 以nand閃速存儲器為主的用途是類似硅盤那樣的文件保存器件。所謂的528寫入頁大小,就是在512字節(jié)(相當(dāng)于一般的硬盤扇區(qū)大小)上增加了16字節(jié)的冗余數(shù)據(jù)字節(jié),通過在這些冗余字節(jié)上添加糾錯碼,在寫人與擦除的重復(fù)操作中,即使閃速存儲器單元發(fā)生異常,數(shù)據(jù)也可以復(fù)原。 另外,作為擦除的單位,即一塊16頁(轉(zhuǎn)變?yōu)閿?shù)據(jù)大小就是512字節(jié)×16=8k)最好與主機端的文件管理單位一致。 當(dāng)讀者看到特點⑥,即和普通存儲器器件特點相同的最后一條,應(yīng)該稍微有些吃驚吧。在產(chǎn)品供貨期間,所有數(shù)據(jù)未成為ffh的塊都作為壞塊不進行擦除操作,必須做到在主機的文件管理軟件中不利用這些
機自動識別與總線連接的器件的制造商名稱/器件型號而設(shè)置的。id讀指令用于讀取該id代碼。 圖1圖示了id讀操作的流程。圖2圖示了發(fā)送id讀指令的操作。 圖1 id讀指令的躁作流程 圖2 id讀指令的操作 在讀取id時,發(fā)送id讀指令(90h)之后,寫人00h作為地址。由于90h是指令,所以雖然將ole設(shè)為有效(高電平),但由于緊跟著的00h是地址值,所以cle無效(低電平),而ale有效(高電平)。 完成這樣的流程后,通過下面2次的讀取,可以讀出制造商代碼(tc58v64為98h)和器件代碼(tc58v64為e6h)。 歡迎轉(zhuǎn)載,信息來源維庫電子市場網(wǎng)(udpf.com.cn) 來源:ks99