((ilmax·r1)-vbe)/ipmax,即約為11 kω。將560 mv這一電壓值用作vbe,就會(huì)使il和ip之間的關(guān)系最佳。 將晶體管反接(即互換q1的集電極連線和發(fā)射極連線),就會(huì)產(chǎn)生更為陡峭的導(dǎo)通閾值電壓(約為500 mv),但卻使ip對il曲線的斜率降低。在本例中,晶體管反接要求將r2的阻值減小到約7.5 kω。 雖然反接的晶體管電路需對電阻器的阻值進(jìn)行一些試驗(yàn)才能獲得最佳性能,但卻可提供更陡峭的閾值,因此可以進(jìn)行更符合實(shí)際的仿真。幾乎任何一種pnp雙極性結(jié)型晶體管(例如ztx502)都可用作q1,而將r2的阻值減小30%可以使ip保持在所需的ip標(biāo)稱值的±5%以內(nèi)。 要注意的是,即使是同一批的產(chǎn)品,激光二極管的特性也相差很大,因此使用優(yōu)選值電阻器作為r1和r2不會(huì)對性能造成什么實(shí)際的差別。激光二極管的典型正向壓降約為2v,因此在全電流下,仿真器電路不應(yīng)該再降低電壓。此外,仿真器電路的響應(yīng)也比激光二極管慢,不過,如果反饋電路的工作速度更慢(通常就是如此)的話,仿真器的慢速響應(yīng)就不會(huì)有什么問題。 適用于n型激光二極管的仿真器需要一個(gè)npn晶體管,并且要求反接。更復(fù)雜的激光