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ZXM62N03GTA

更新時間:2025-06-14 23:20:45

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詢價

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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

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回收此型號ZXM62N03GTA

深圳市科鑫美電子有限公司
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深圳市金華微盛電子有限公司
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原裝，現(xiàn)貨庫存0755-23947658

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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

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ZXM62N03GTA 概述

ZXM62N03GTA是Diodes公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。該MOSFET的最大漏源電壓為30V，在柵極 - 源極電壓為4.5V時，其連續(xù)漏極電流可達2.8A。其典型應用包括負載開關、電源管理以及電機驅(qū)動等電路中。在電池供電設備中，它可以高效地控制電源通斷，減少能量損耗。在進行電路設計時，應注意其最大工作電壓和電流限制，避免超出額定值造成損壞。在電機驅(qū)動應用中，需合理設計散熱措施以確保穩(wěn)定工作。

ZXM62N03GTA 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
110 毫歐 @ 2.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
9.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
380pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝
SOT-223
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
ZXM62N03GTR

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