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FDD6676AS

更新時間:2025-06-15 09:18:51

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
FDD6676AS
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深圳市南科功率半導體有限公司
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TO252/2025+520
--/專注替代/降本增效-

深圳市中元偉業(yè)電子商行
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優(yōu)勢
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ONSEMI/安森美
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1比1質(zhì)量完美通用/包上機可供更多

深圳市得捷芯城科技有限公司
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NA//23+
優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票

深圳市中元偉業(yè)電子商行
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ONSEMI/安森美
TO252/24+
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深圳市奧利騰科技有限公司
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10000
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TO252(DPAK)/22+
奧利騰只做原裝正品，實單價優(yōu)可談

深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司
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只做原裝進口現(xiàn)貨.假一罰十

深圳市安富世紀電子有限公司
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NEXPERIA/安世
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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7300
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TO252(DPAK)/23+
原裝現(xiàn)貨

海芯未來半導體電子（深圳）有
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7300
FAIRC
TO252(DPAK)/25+
行業(yè)十年，價格超越代理，支持權(quán)威機構(gòu)檢測

深圳市華斯頓科技有限公司
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15500
FSC
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原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道商、原盤原包原盒

深圳市芯齊壹科技有限公司
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20000
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TO252/2022+
只做原裝進口現(xiàn)貨.假一罰十

深圳市萬佳電子貿(mào)易有限公司
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原裝現(xiàn)貨

深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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只做原裝現(xiàn)貨

中科航電（深圳）電子集團有限
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68900
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳中和芯電子有限公司
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只做現(xiàn)貨，一站式配單

杭州芯易購科技有限公司
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1820
UMW(友臺半導體
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原裝現(xiàn)貨，量大可議

深圳市華美銳電子有限公司
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VISHAY/威世
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十年配單，只做原裝

深圳市騰樁電子有限公司
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/25+
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深圳市萊克訊科技有限公司
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原包裝現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道-增值稅票

深圳市納艾斯科技有限公司
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只做自己原裝現(xiàn)貨，10年保證

深圳市南科功率半導體有限公司
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NK/南科功率
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深圳市吉銘貿(mào)易有限公司
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MOSFET NCH 30V 90A DPAK/2020+
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ON Semiconductor(安森美)
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

安富利（深圳）商貿(mào)有限公司
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10000
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TO252/22+
進口原裝現(xiàn)貨假一賠十

深圳市世紀成達電子科技有限公
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Fairchild/ON
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/22+
原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市廣弘電子有限公司
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FAIRCHILD/仙童
2019+/TO252(DPAK)
只做原裝

深圳市星宇佳科技有限公司
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TO252(DPAK)/20+
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深圳市粵東誠信電子有限公司
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深圳市錦泰世紀電子有限公司
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長期回收此型號/回收庫存料

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深圳市金華微盛電子有限公司
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FDD6676AS外觀圖

FDD6676AS

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FDD6676AS 概述

FDD6676AS是由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于高頻開關(guān)應用。其最大漏源電壓為-60V，適用于需要高效功率管理的電路中。典型應用場景包括電源管理、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及各種負載開關(guān)電路。在電源管理系統(tǒng)中，F(xiàn)DD6676AS可以有效降低功耗，提高整體效率。設(shè)計時應注意其最大電流和功率耗散限制，以避免過熱損壞。建議使用適當?shù)纳岽胧缟崞騊CB銅箔面積增加散熱效果，確保器件在安全工作范圍內(nèi)運行。對于高速開關(guān)應用，需優(yōu)化柵極驅(qū)動電路以減少開關(guān)損耗。

FDD6676AS 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
90A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.7 毫歐 @ 16A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
64nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2500pF @ 15V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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