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IXFH10N100

更新時間:2025-07-07 05:15:56

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IXFH10N100外觀圖

IXFH10N100

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD

封裝:TO-247-3

IXFH10N100 概述

IXFH10N100是由IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能MOSFET。這款器件專為高壓應用設計，最大漏源電壓（Vds）可達1000V，連續(xù)漏極電流（Id）為10A。其低導通電阻和快速開關特性使其在效率和熱管理方面表現(xiàn)優(yōu)異。該MOSFET廣泛應用于工業(yè)電源、電機驅動、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、焊接設備以及各種高可靠性電力電子系統(tǒng)中。特別是在需要高效能和緊湊設計的場合，如高頻開關電源和功率因數(shù)校正電路，IXFH10N100是理想選擇。在實際應用中，建議采用適當?shù)纳岽胧┮源_保最佳性能。此外，在布局PCB時應盡量縮短柵極回路，減少寄生電感，從而避免振蕩并提高開關速度。對于驅動電路的設計，推薦使用專用的MOSFET驅動器以實現(xiàn)更穩(wěn)定的控制效果。注意保持柵極信號干凈無干擾，防止誤觸發(fā)。

IXFH10N100 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.2 歐姆 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
155nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4000pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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