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NTLJS3113PT1G

更新時間:2025-05-16 17:45:17

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝正品，提供一站式配套服務(wù)
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深圳市凱鑫躍電子有限公司
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深圳市馳源科技有限公司
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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司
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深圳市百嘉順實實業(yè)有限公司
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百分百原裝環(huán)?，F(xiàn)貨只做原裝

深圳市金勝達微科技有限公司
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深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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支持原廠技術(shù)原裝現(xiàn)貨庫存

深圳市賽美科科技有限公司
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深圳市鑫宇楊電子科技有限責(zé)任
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深圳市正川電子有限公司
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深圳市君云達電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎咨詢

南方富昌（深圳）電子科技有限
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深圳市藍軍科技有限公司
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深圳市米數(shù)科技有限公司
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深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司
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只有原裝原裝，支持BOM配單

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深圳市宏世佳電子科技有限公司
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富昌源電子(深圳)有限公司
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房間原裝現(xiàn)貨可看貨，回收此型號

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NTLJS3113PT1G外觀圖

NTLJS3113PT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WFDN

封裝:6-WDFN 裸露焊盤

NTLJS3113PT1G 概述

NTLJS3113PT1G是一款由安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的P溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的SOT-23封裝，適合空間受限的應(yīng)用場景。其最大漏源電壓（VDS）為-20V，在室溫下連續(xù)漏極電流（ID）可達-2.4A。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），這有助于減少導(dǎo)通損耗，提高效率。此款MOSFET適用于電池供電設(shè)備、負(fù)載開關(guān)和電源管理等應(yīng)用場景。例如在便攜式電子產(chǎn)品中，可用于控制電源通斷或者作為低功耗電路中的開關(guān)元件。由于其快速的開關(guān)特性，也適合用于DC - DC轉(zhuǎn)換器等需要高效能量轉(zhuǎn)換的場合。使用時應(yīng)注意合理選擇柵極驅(qū)動電壓以確?？煽块_啟和關(guān)閉MOSFET，并且要關(guān)注散熱設(shè)計以避免過熱損壞。

NTLJS3113PT1G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
µCool™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫歐 @ 3A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15.7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1329pF @ 16V
功率 - 最大
700mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝
6-WDFN（2x2）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTLJS3113PT1G-NDNTLJS3113PT1GOSTR

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NTLJD3115P
NTLJD3115PT1G
NTLJD3119C
NTLJD3119CTAG
NTLJD3119CTBG
NC7SP125P5X

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