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NTLJS4114NT1G

更新時間:2025-06-22 04:09:04

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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NTLJS4114NT1G外觀圖

NTLJS4114NT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN

封裝:6-WDFN 裸露焊盤

NTLJS4114NT1G 概述

NTLJS4114NT1G是由安森美半導體生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能的電源管理應用。典型應用場景包括負載開關、電池保護電路以及便攜式設備中的DC-DC轉換器。由于其低柵極電荷和低導通電阻特性，在減少功耗方面表現(xiàn)優(yōu)異。在設計中使用時，應注意柵極驅動電壓的選擇以確保完全導通，并根據(jù)實際電流需求合理選擇散熱方式。對于便攜式設備而言，這款MOSFET能夠有效提升設備的整體效率和續(xù)航能力。在電路設計上，可以與相應的控制IC配合使用來實現(xiàn)精確的電源管理功能。

NTLJS4114NT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
µCool™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
35 毫歐 @ 2A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
650pF @ 15V
功率 - 最大
700mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝
6-WDFN（2x2）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTLJS4114NT1G-NDNTLJS4114NT1GOSTR

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