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NTLTD7900ZR2

更新時間:2025-06-13 10:39:26

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NTLTD7900ZR2 規(guī)格參數(shù)

制造商
ON Semiconductor
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
20 V
閘/源擊穿電壓
+/- 12 V
漏極連續(xù)電流
6 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.031 Ohms
配置
Dual Dual Drain
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
Micro-8
封裝
Reel
下降時間
1.17 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
1.5 W
上升時間
1.17 ns
工廠包裝數(shù)量
3000
典型關閉延遲時間
1.87 ns

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