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RFD16N02LSM

更新時間:2025-07-03 13:00:42

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RFD16N02LSM 概述

RFD16N02LSM是Rohm半導體公司生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽柵極技術，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為20V，在室溫下連續(xù)漏極電流可達16A。這種MOSFET通常用于DC-DC轉換器、負載開關以及各種需要高效電源管理的便攜式設備中。在電池供電的應用場景中，如智能手機和平板電腦，它能有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。由于其封裝尺寸?。⊿OT-23），特別適合對空間有嚴格要求的產品設計。使用時應注意控制柵極驅動電壓以確保完全開啟，并且要考慮PCB布局來優(yōu)化熱性能。建議在柵極串聯(lián)一個小電阻以抑制振蕩現(xiàn)象。在電路設計時，要保證源極與地之間有良好的電氣連接以確保穩(wěn)定工作。

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