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STD7ANM60N

更新時間:2025-07-13 23:23:14

供應商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，假一賠十

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深圳市偉科芯電子科技有限公司
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市萬佳電子貿(mào)易有限公司
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深圳市亞泰電子有限公司
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惠州市利灣智能科技有限責任公
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳中和芯電子有限公司
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深圳市偉欣華電子有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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深圳市群川盛達電子有限公司
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深圳市吉銘貿(mào)易有限公司
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STD7ANM60N 概述

STD7ANM60N是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電源管理電路以及電機驅(qū)動控制等。在電源管理系統(tǒng)中，這款MOSFET可以有效降低能量損耗，提升系統(tǒng)效率。由于其良好的熱特性和緊湊的封裝尺寸，非常適合空間受限且要求高可靠性的設(shè)計。使用時應注意確保柵極驅(qū)動電壓在規(guī)定范圍內(nèi)，并適當考慮散熱設(shè)計以維持最佳性能。電路設(shè)計時可參考制造商提供的典型應用電路，通常需要搭配合適的柵極電阻來優(yōu)化開關(guān)速度和EMI性能。

STD7ANM60N 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
2,101現(xiàn)貨
系列
Automotive, AEC-Q101, MDmesh? II
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
900 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
363 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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