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osfet（金屬互補(bǔ)氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用st獨(dú)有的最新版stripfet制造技術(shù)，擁有極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，在一個(gè)典型的穩(wěn)壓模塊內(nèi)，兩種損耗的減少可達(dá)3瓦。在同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品中，新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了最低的品質(zhì)因數(shù)：fom = 導(dǎo)通電阻rds(on) x柵電荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet準(zhǔn)許實(shí)際電路的開關(guān)頻率高于正常開關(guān)頻率，這樣可以縮減電路無(wú)源器件的尺寸。例如，把電路的開關(guān)頻率提高10%，輸出濾波器需要的無(wú)源器件的尺寸就可以縮小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的頭兩款產(chǎn)品，因?yàn)閷?dǎo)通電阻小，柵電荷總量被大幅度降低，新系列產(chǎn)品性能優(yōu)異，能效明顯提高。兩款產(chǎn)品都是30v（bvdss）器件。因?yàn)闁烹姾闪浚╭g）僅為8.8nc（納庫(kù)化），在10v電壓時(shí)，導(dǎo)通電阻rds（on）為7.2毫歐，所以std60n3lh5是非隔離直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器中的控制型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的理想選擇。在10v電壓時(shí)，導(dǎo)通電阻rds（on）為4.2毫歐，柵電荷量為14nc，因此std85n3lh5是同步場(chǎng)效應(yīng)晶體管的最佳選擇。兩款新產(chǎn)品都采用dpak和ipa
（金屬互補(bǔ)氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用st獨(dú)有的最新版stripfet制造技術(shù)，擁有極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，在一個(gè)典型的穩(wěn)壓模塊內(nèi)，兩種損耗的減少可達(dá)3瓦。在同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品中，新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了最低的品質(zhì)因數(shù)：fom = 導(dǎo)通電阻rds(on) x柵電荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet準(zhǔn)許實(shí)際電路的開關(guān)頻率高于正常開關(guān)頻率，這樣可以縮減電路無(wú)源器件的尺寸。例如，把電路的開關(guān)頻率提高10%，輸出濾波器需要的無(wú)源器件的尺寸就可以縮小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的頭兩款產(chǎn)品，因?yàn)閷?dǎo)通電阻小，柵電荷總量被大幅度降低，新系列產(chǎn)品性能優(yōu)異，能效明顯提高。兩款產(chǎn)品都是30v（bvdss）器件。因?yàn)闁烹姾闪浚╭g）僅為8.8nc（納庫(kù)化），在10v電壓時(shí)，導(dǎo)通電阻rds（on）為7.2毫歐，所以std60n3lh5是非隔離直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器中的控制型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的理想選擇。在10v電壓時(shí)，導(dǎo)通電阻rds（on）為4.2毫歐，柵電荷量為14nc，因此std85n3lh5是同步場(chǎng)效應(yīng)晶體管的最佳選擇。兩款新產(chǎn)品都采用dpak和ipa
屬互補(bǔ)氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用st獨(dú)有的最新版stripfet™制造技術(shù)，擁有極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，在一個(gè)典型的穩(wěn)壓模塊內(nèi)，兩種損耗的減少可達(dá)3瓦。在同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品中，新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了最低的品質(zhì)因數(shù)：fom = 導(dǎo)通電阻rds(on) x柵電荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet準(zhǔn)許實(shí)際電路的開關(guān)頻率高于正常開關(guān)頻率，這樣可以縮減電路無(wú)源器件的尺寸。例如，把電路的開關(guān)頻率提高10%，輸出濾波器需要的無(wú)源器件的尺寸就可以縮小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的頭兩款產(chǎn)品，因?yàn)閷?dǎo)通電阻小，柵電荷總量被大幅度降低，新系列產(chǎn)品性能優(yōu)異，能效明顯提高。兩款產(chǎn)品都是30v（bvdss）器件。因?yàn)闁烹姾闪浚╭g）僅為8.8nc（納庫(kù)化），在10v電壓時(shí)，導(dǎo)通電阻rds（on）為7.2毫歐，所以std60n3lh5是非隔離直流—直流降壓轉(zhuǎn)換器中的控制型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的理想選擇。在10v電壓時(shí)，導(dǎo)通電阻rds（on）為4.2毫歐，柵電荷量為14nc，因此std85n3lh5是同步場(chǎng)效應(yīng)晶體管的最佳選擇。兩款新產(chǎn)品都采用dpak和ipa
mosfet（金屬互補(bǔ)氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用st獨(dú)有的最新版stripfet制造技術(shù)，擁有極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，在一個(gè)典型的穩(wěn)壓模塊內(nèi)，兩種損耗的減少可達(dá)3瓦。在同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品中，新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了最低的品質(zhì)因數(shù)：fom = 導(dǎo)通電阻rds(on) x柵電荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet準(zhǔn)許實(shí)際電路的開關(guān)頻率高于正常開關(guān)頻率，這樣可以縮減電路無(wú)源器件的尺寸。例如，把電路的開關(guān)頻率提高10%，輸出濾波器需要的無(wú)源器件的尺寸就可以縮小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的頭兩款產(chǎn)品，因?yàn)閷?dǎo)通電阻小，柵電荷總量被大幅度降低，新系列產(chǎn)品性能優(yōu)異，能效明顯提高。兩款產(chǎn)品都是30v（bvdss）器件。因?yàn)闁烹姾闪浚╭g）僅為8.8nc（納庫(kù)化），在10v電壓時(shí)，導(dǎo)通電阻rds（on）為7.2毫歐，所以std60n3lh5是非隔離直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器中的控制型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的理想選擇。在10v電壓時(shí)，導(dǎo)通電阻rds（on）為4.2毫歐，柵電荷量為14nc，因此std85n3lh5是同步場(chǎng)效應(yīng)晶體管的最佳選擇。兩款新產(chǎn)品都采用dpak和ipa
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