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當前位置：維庫電子市場網(wǎng)>IC>std60n3lh5 更新時間:2025-10-15 23:54:58

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std60n3lh5中文資料

  • ST新推功率MOSFET系列，采用最新版STripFET技術(shù)

    直流轉(zhuǎn)換器的全新功率mosfet（金屬互補氧化物場效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用st獨有的最新版stripfet制造技術(shù)，擁有極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，在一個典型的穩(wěn)壓模塊內(nèi)，兩種損耗的減少可達3瓦。在同類競爭產(chǎn)品中，新產(chǎn)品實現(xiàn)了最低的品質(zhì)因數(shù)：fom = 導(dǎo)通電阻rds(on) x柵電荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet準許實際電路的開關(guān)頻率高于正常開關(guān)頻率，這樣可以縮減電路無源器件的尺寸。例如，把電路的開關(guān)頻率提高10%，輸出濾波器需要的無源器件的尺寸就可以縮小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的頭兩款產(chǎn)品，因為導(dǎo)通電阻小，柵電荷總量被大幅度降低，新系列產(chǎn)品性能優(yōu)異，能效明顯提高。兩款產(chǎn)品都是30v（bvdss）器件。因為柵電荷量（qg）僅為8.8nc（納庫化），在10v電壓時，導(dǎo)通電阻rds（on）為7.2毫歐，所以std60n3lh5是非隔離直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器中的控制型場效應(yīng)晶體管的理想選擇。在10v電壓時，導(dǎo)通電阻rds（on）為4.2毫歐，柵電荷量為14nc，因此std85n3lh5是同步場效應(yīng)晶體管的最佳選擇。兩款新產(chǎn)品

  • ST推出采用新STripFET技術(shù)的功率MOSFET系列產(chǎn)品

    的全新功率mosfet（金屬互補氧化物場效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用st獨有的最新版stripfet制造技術(shù)，擁有極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，在一個典型的穩(wěn)壓模塊內(nèi)，兩種損耗的減少可達3瓦。在同類競爭產(chǎn)品中，新產(chǎn)品實現(xiàn)了最低的品質(zhì)因數(shù)：fom = 導(dǎo)通電阻rds(on) x柵電荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet準許實際電路的開關(guān)頻率高于正常開關(guān)頻率，這樣可以縮減電路無源器件的尺寸。例如，把電路的開關(guān)頻率提高10%，輸出濾波器需要的無源器件的尺寸就可以縮小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的頭兩款產(chǎn)品，因為導(dǎo)通電阻小，柵電荷總量被大幅度降低，新系列產(chǎn)品性能優(yōu)異，能效明顯提高。兩款產(chǎn)品都是30v（bvdss）器件。因為柵電荷量（qg）僅為8.8nc（納庫化），在10v電壓時，導(dǎo)通電阻rds（on）為7.2毫歐，所以std60n3lh5是非隔離直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器中的控制型場效應(yīng)晶體管的理想選擇。在10v電壓時，導(dǎo)通電阻rds（on）為4.2毫歐，柵電荷量為14nc，因此std85n3lh5是同步場效應(yīng)晶體管的最佳選擇。兩款新產(chǎn)品

  • ST推出采用新STripFET技術(shù)的功率MOSFET系列產(chǎn)品

    -直流轉(zhuǎn)換器的全新功率mosfet（金屬互補氧化物場效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用st獨有的最新版stripfet制造技術(shù)，擁有極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，在一個典型的穩(wěn)壓模塊內(nèi)，兩種損耗的減少可達3瓦。在同類競爭產(chǎn)品中，新產(chǎn)品實現(xiàn)了最低的品質(zhì)因數(shù)：fom = 導(dǎo)通電阻rds(on) x柵電荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet準許實際電路的開關(guān)頻率高于正常開關(guān)頻率，這樣可以縮減電路無源器件的尺寸。例如，把電路的開關(guān)頻率提高10%，輸出濾波器需要的無源器件的尺寸就可以縮小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的頭兩款產(chǎn)品，因為導(dǎo)通電阻小，柵電荷總量被大幅度降低，新系列產(chǎn)品性能優(yōu)異，能效明顯提高。兩款產(chǎn)品都是30v（bvdss）器件。因為柵電荷量（qg）僅為8.8nc（納庫化），在10v電壓時，導(dǎo)通電阻rds（on）為7.2毫歐，所以std60n3lh5是非隔離直流-直流降壓轉(zhuǎn)換器中的控制型場效應(yīng)晶體管的理想選擇。在10v電壓時，導(dǎo)通電阻rds（on）為4.2毫歐，柵電荷量為14nc，因此std85n3lh5是同步場效應(yīng)晶體管的最佳選擇。兩款新產(chǎn)品

  • ST采用新STripFET技術(shù)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率MOSFET系列產(chǎn)品

    新功率mosfet（金屬互補氧化物場效應(yīng)晶體管）產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用st獨有的最新版stripfet™制造技術(shù)，擁有極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，在一個典型的穩(wěn)壓模塊內(nèi)，兩種損耗的減少可達3瓦。在同類競爭產(chǎn)品中，新產(chǎn)品實現(xiàn)了最低的品質(zhì)因數(shù)：fom = 導(dǎo)通電阻rds(on) x柵電荷量（qg）。 除高能效外，新款mosfet準許實際電路的開關(guān)頻率高于正常開關(guān)頻率，這樣可以縮減電路無源器件的尺寸。例如，把電路的開關(guān)頻率提高10%，輸出濾波器需要的無源器件的尺寸就可以縮小10%。 std60n3lh5和std85n3lh5是st新系列stripfet v的頭兩款產(chǎn)品，因為導(dǎo)通電阻小，柵電荷總量被大幅度降低，新系列產(chǎn)品性能優(yōu)異，能效明顯提高。兩款產(chǎn)品都是30v（bvdss）器件。因為柵電荷量（qg）僅為8.8nc（納庫化），在10v電壓時，導(dǎo)通電阻rds（on）為7.2毫歐，所以std60n3lh5是非隔離直流—直流降壓轉(zhuǎn)換器中的控制型場效應(yīng)晶體管的理想選擇。在10v電壓時，導(dǎo)通電阻rds（on）為4.2毫歐，柵電荷量為14nc，因此std85n3lh5是同步場效應(yīng)晶體管的最佳選擇。兩款新產(chǎn)品

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STD5NK52ZD STD5N95K3 STD55NH2LL STD4NK50 STD3NK80Z-1 STD32 STD2000 STD18NF03L STD150N3LLH6 STD11NM60ND

STD6N62K3 STD7N52K3 STD85N3LH5 STD95N04 STD95NH02L STDC2150 STDC7150 STDD15-04W STDD15-07P6 STDD15-07S

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