通過UV開發(fā)HDI的導通孔工藝
　　A工藝 B工藝 C工藝
　　A工藝：4步工藝工序，混合了潤濕和激光工序，掩膜公差在50到70im之間，一般的孔尺寸為100到125im.
　　B工藝：2步激光工序，1步潤濕工序，由于CO2在掩膜上的繞射，小孔的直徑約為60im。對經(jīng)過特殊處理的銅材料CO2可提供的銅開口厚度的極限為7im。這種工藝仍需去除鉆污。

　　C工藝：1步激光工序，UV激光對內(nèi)層和外層銅的鉆孔無限制，UV還多了一個清潔工序，從而使去除鉆污工序降到了限度，甚至可取代去鉆污工序。

　　UV激光具有將一個完整孔的工藝步驟減至1種單獨的激光工序的能力，特別是取消了對去鉆污的需求，甚至完全可以不用這一工序，尤其是對于脈沖圖形電鍍。不需要使用侵蝕性去鉆污工序，例如對CO2激光而言，孔的形狀的粗糙度、芯吸和桶形畸變得到了改善。

UV激光的其它應(yīng)用和質(zhì)量結(jié)果

　　●盲孔
　　●雙層導通孔
　　●通孔

采用了柔性

　　新的激光系統(tǒng)除了能夠?qū)嵤┏Ｓ镁劢拐丈洳僮骺變?nèi)，還可進行復雜的繪圖操作，可用它切割出細線圖形或用于埋入掩膜后的阻焊膜去除。幾乎可以對任何形狀的加工區(qū)域進行加工處理。

　　到目前為止，當阻焊膜上的缺陷僅是一些小毛病、無關(guān)緊要時，僅把激光燒蝕阻焊膜用于修復一些被損壞的焊盤，這樣就不會使整個面板廢掉，但是HDI技術(shù)要求開口尺寸和定位更一些，下圖所示是在壓力蒸汽測試和熱循環(huán)后所形成的圓形和方形的阻焊膜開口及橫截面。速度每秒可達100多個焊盤，對于BGA和FC，每個IC上128個焊盤的成本約0.5美分。

　　在繪制細線時，通過激光軌刻劃出圖形，如下圖所示，激光軌的速度可達1000mm/s。激光燒蝕1im厚的錫后，寬度在15~25im之間。在繪制了錫圖形后，對圖形進行蝕刻，并保持激光的軌跡寬度的間距和蝕刻的副作用。對于厚度為12im的銅可以得到低于2mil/2mil的圖形。

　　2mil/2mil 結(jié)構(gòu)的IC和MCM圖形的扇出。直接繪制細線圖形的應(yīng)用受到了繪圖速度的限制，如下圖所示的扇出只需不到1秒，而在40×40mm的面積內(nèi)一個完整圖形的扇出就需要10到15秒。

結(jié) 論

　　UV激光系統(tǒng)為現(xiàn)有的CO2鉆孔工具提供了一個補充解決方案。對于鉆孔而言，短波長和小光點具有更大的柔性和更高的復雜性。UV激光的目標更多是為滿足HDI的需求。與CO2性能相比，尤其是對于大孔，UV在產(chǎn)量上仍存在著差距，但是隨著高功率和高頻率的UV激光的發(fā)展，這種差別將越來越小。用UV激光生成導通孔的加工工序數(shù)將減少到一個單獨的激光工序，并且所需的去鉆污工序降到了限度。

　　UV系統(tǒng)除了主要的鉆孔用途外，還可用來直接繪圖和精密的燒蝕阻焊膜。這就為UV激光提供了附加值。

　　對產(chǎn)量，改善UV激光系統(tǒng)仍有足夠的空間。較小的脈沖寬度，高頻、較高的功率和高速伺服運行都將增加生產(chǎn)率，而且在不久的將來，作為一個完善的工具，市場將會越來越廣泛地接受UV激光系統(tǒng)