適用于中國(guó)超寬帶標(biāo)準(zhǔn)的0. 18 um-CMOS單邊帶混頻器設(shè)計(jì)
出處:sillboy 發(fā)布于:2011-02-11 14:07:06
UWB ( Ultra Wide Band)在短距下可以低功率進(jìn)行高速數(shù)據(jù)傳輸, 被認(rèn)為是有發(fā)展前景的無(wú)線電技術(shù)之一。此外, UWB 作為基礎(chǔ)通信技術(shù), 在目前興起的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用中, 亦將發(fā)揮巨大的作用。
中國(guó)UWB 的頻譜劃分如圖1所示。本文將針對(duì)6~ 9GH z頻段展開(kāi)研究。

圖1 中國(guó)UWB頻譜劃分示意圖
在UWB收發(fā)機(jī)中, SSB混頻器擔(dān)負(fù)著將模擬基帶產(chǎn)生的信號(hào)搬移到規(guī)定高頻頻段并抑制鏡像信號(hào)產(chǎn)生的任務(wù)。由于工作在大信號(hào)、頻率高和超帶寬的情況下, 電路對(duì)帶寬、線性度、增益等性能提出了苛刻的要求。分布式混頻器雖可以使電路的工作頻率提升至晶體管的fT, 但其功耗和面積開(kāi)銷太大; 無(wú)源混頻器因其本振隔離性能較差, 并非; 采用傳統(tǒng)的Gilbert結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)電路, 則需要特殊的工藝, 而這將導(dǎo)致成本急劇上升。為了獲得性能優(yōu)異且成本低的芯片, 需要設(shè)計(jì)新的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
本文提出了折疊PMOS 跨導(dǎo)級(jí)結(jié)構(gòu), 加之并聯(lián)峰化技術(shù), 采用TSMC 0. 18um-CMOS工藝實(shí)現(xiàn)了一款高線性度、增益適中的超寬帶單邊帶( SSB )混頻器。
全文分為四個(gè)部分, 除前面的引言外, 第1部分對(duì)電路進(jìn)行分析設(shè)計(jì), 第2部分介紹仿真結(jié)果和分析, 第3部分給出了結(jié)論。
1 電路分析及設(shè)計(jì)
本部分首先通過(guò)對(duì)電流換向型混頻器進(jìn)行分析, 給出了電路設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵點(diǎn), 而后提出PMOS折疊結(jié)構(gòu)做跨導(dǎo)級(jí)以提高線性度和增益, 并對(duì)并聯(lián)峰化技術(shù)提高帶寬進(jìn)行分析, 闡述單邊帶混頻的實(shí)現(xiàn)并給出完整的電路原理圖。
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