摘要 針對滯環(huán)恒流大功率LED驅(qū)動芯片，提出一款高性能電流采樣電路。該電路采用高壓工藝，可承受達(dá)40 V的輸入電壓。通過分析滯環(huán)控制的特點(diǎn)，采用串聯(lián)電阻采樣技術(shù)，結(jié)合匹配電流源結(jié)構(gòu)，在保證響應(yīng)速度和采樣的同時(shí)，降低了電路的復(fù)雜度。電路中加入輸入電壓補(bǔ)償電路，進(jìn)一步提高了恒流控制的。在Cadence下的仿真結(jié)果表明，電路可在800 kHz的頻率下正常工作，采樣達(dá)99.78%;當(dāng)電壓從15V變化至35V時(shí)平均負(fù)載電流誤差為0.81%;輸出電壓范圍為0~5V.

　　當(dāng)今照明領(lǐng)域，LED憑借其壽命長、功耗低、無污染等優(yōu)點(diǎn)成為未來發(fā)展趨勢。然而，要針對不同的應(yīng)用場合，分別設(shè)計(jì)一個(gè)獨(dú)特的芯片，目前情況是不可行的。因此，能夠使電源與負(fù)載相互獨(dú)立的電源管理芯片被廣泛應(yīng)用。在這些芯片中，無論是電壓還是電流控制模式，都會通過檢測電感電流進(jìn)行過流保護(hù)。在電流模式中，采樣電流還被用作環(huán)路控制。

　　提出的電流采樣技術(shù)用于一種滯環(huán)恒流控制大功率LED驅(qū)動電路中，除具有環(huán)路控制與過流保護(hù)的功能外，還具有電壓補(bǔ)償?shù)墓δ芗敖Y(jié)構(gòu)簡單的特點(diǎn)。

　　1 采樣方式的分析與選擇

　　1.1 現(xiàn)有采樣技術(shù)

　　表1中列出了現(xiàn)有的幾種電流檢測技術(shù)并列舉了其優(yōu)缺點(diǎn)。文獻(xiàn)對其進(jìn)行了詳細(xì)介紹。

表1 現(xiàn)有采樣技術(shù)及其特點(diǎn)

　　1.2 滯環(huán)控制原理分析

　　圖1是滯環(huán)控制電路框圖。LED驅(qū)動電流的變化反映在R_sense兩端的壓差變化上。滯環(huán)電流控制模塊內(nèi)設(shè)兩個(gè)電流閾值I_max和I_min,當(dāng)電路接上電源時(shí)，功率管打開，電源通過R_sense、負(fù)載LED向電感L充電，驅(qū)動電流上升。當(dāng)電流>I_max時(shí)，控制電路輸出低電平關(guān)閉功率開關(guān)管。此時(shí)電感通過負(fù)載LED、R_sense和肖特基二極管放電，電流下降。當(dāng)驅(qū)動電流<I_min時(shí)，控制電路輸出高電平打開功率開關(guān)管，重復(fù)上一個(gè)周期的動作。通過這種方式控制電路將驅(qū)動電流限制在I_max與I_min之間周期性變化，使流過LED的平均驅(qū)動電流值恒定。

圖1 滯環(huán)控制電路框圖

　　可以看到，滯環(huán)控制電路使用的是串聯(lián)電阻采樣技術(shù)。從表1可知，串聯(lián)電阻技術(shù)的功耗很大，同樣具有高且無損耗的Sensfet似乎更勝一籌。不過，Sensfet技術(shù)只能檢測功率管打開時(shí)的電流變化情況，而無法檢測功率管關(guān)斷期間的電流變化。因此無法在需要始終對電流進(jìn)行采樣檢測的滯環(huán)控制電路中使用。同時(shí)，由于輸入電壓較高，串聯(lián)電阻所消耗的功率在整個(gè)電路功率中所占比例也降低了。

　　2 電路設(shè)計(jì)

　　圖2是電路采樣電路結(jié)構(gòu)圖。R_sense為采樣電阻，R1=R2=R;Mp1、Mp2、Mn1、Mn2組成的電壓鏡和Mp9反饋管組成匹配電流源作為電流檢測電路。其中Mp1與Mp2相互匹配并被偏置在飽和區(qū)，Mn1與Mn2是兩個(gè)相同且非常小的電流源，以保證流過Mp1與Mp2的電流相等從而使其具有相等的VSG。

圖2 電路采樣電路結(jié)構(gòu)圖

　　由于V_in>V_csn導(dǎo)致I1與I2不相等。采樣電流Is即為這部分"多余"電流，大小為

　　式（1）中，實(shí)際流過Rsense的電流為IL+I2.因?yàn)镮2的大小低于電感電流的10^-4倍，其影響可以忽略不計(jì)。

　　圖4為實(shí)際電路圖。V_in與V_csn為采樣電阻R_csn兩端電壓，輸入范圍8~40 V;V_cc為芯片內(nèi)部5 V穩(wěn)定電源。

　　在實(shí)際電路中，VA對VB的匹配度直接影響采樣。圖3為簡化的小信號模型。

圖3 簡化的小信號模型

圖4 采樣電路的實(shí)際電路圖

　　應(yīng)用KCL定理，得到

　　其中，ro4、ro3為 VB'、VA'處的等效輸出電阻。設(shè) gm1ro3=gm2ro4=AV,且 Mp5為電流鏡，增益約為1,綜合式（3）到式（5）：

　　δ是一個(gè)分子為的微小值。由式（6）可以看出，當(dāng)gm1ro2或gm2越大，VA與VB的匹配度越高，電流采樣越。值得注意的是，式中出現(xiàn)gm1ro3的平方項(xiàng)，這意味著可以用較小的增益達(dá)到高。但是，耐壓5 V的低壓管無法在高輸入電壓下正常工作，電路中必須使用大量耐壓40 V的高壓管。然而高壓管的增益與等效輸出電阻很低，無法滿足電流采樣電路的要求。

　　為使低壓管能在高壓輸入中也正常工作，電壓鏡采用了高低壓器件混用的共源共柵結(jié)構(gòu)。Mp1、Mp2、Mn1和Mn2為低壓管；Mp3、Mp4、Mn3和Mn4為高壓管。一方面，高壓管作為共源共柵器件增大了輸出電阻；另一方面，它承受了大部分壓降，以保護(hù)低壓管不被擊穿。不過，共源共柵結(jié)構(gòu)帶來另一個(gè)問題。串聯(lián)電阻R2令Mp2和Mp4之間的次極點(diǎn)更靠近原點(diǎn)，使系統(tǒng)變得不穩(wěn)定。為消除該極點(diǎn)帶來的影響，在共源共柵結(jié)構(gòu)的輸出端加入補(bǔ)償電阻R5和電容C,引入一個(gè)零點(diǎn)并使主極點(diǎn)更低。

　　高壓管Mp5~Mp10為匹配電流源的輸出級，主要起隔離緩沖的作用，電流鏡結(jié)構(gòu)避免了增加新的極點(diǎn)。分流結(jié)構(gòu)Mp7、Mp8將Mp5始終偏置在飽和區(qū)，從而允許流過Mp9與Mp10的電流降至0 A,使電路在空載時(shí)可以輸出地電壓，為芯片的進(jìn)一步設(shè)計(jì)提供了方便。

　　P1~P12為保護(hù)管，防止低壓管因漏源或柵源電壓過高而被擊穿。

　　高壓管Mp11、Mp12、Mn7與R4構(gòu)成了電壓補(bǔ)償電路。在前述的工作原理中，電路通過將電流限制在閾值I_max和I_min間周期變化達(dá)到恒流控制的目的。其中電源向電感的充、放電過程中，充電速率與輸入電壓成正比，放電速率和芯片的延遲則與輸入電壓無關(guān)。這一差異導(dǎo)致了在輸入電壓變化時(shí)，電流會因在固定的延遲時(shí)間中具有不同的上升斜率和相同的下降斜率，使實(shí)際電流峰值I'_max升高，影響平均電流值。該補(bǔ)償電路通過將與輸入電壓成正比的電壓Vb2轉(zhuǎn)換為與輸入電壓成正比的電流Ic,使流過R3的采樣電流I_sense對輸入電壓具有正相關(guān)性，從而在輸入電壓升高時(shí)令電流閾值I_max、I_min降低，抵消因電流上升斜率提高對平均電流帶來的影響。

　　3 仿真結(jié)果

　　為驗(yàn)證文中提出的電流采樣電路的功能，結(jié)合滯環(huán)控制電路及外部負(fù)載在Cadence中進(jìn)行了仿真。圖5為輸入電壓20 V時(shí)采樣電流、電壓與負(fù)載電流的關(guān)系。由圖可見，采樣電流與采樣電壓隨負(fù)載電流同相周期性變化，周期約為1.2μs.

圖5 采樣電流、電壓與負(fù)載電流的關(guān)系

　　經(jīng)過測試，當(dāng)負(fù)載電流從0.4 A變化至1 A時(shí)，電路采樣為99.78%,理想的工作電流為0.6~0.8 A,高達(dá)99.96%.

　　表2為不同輸入電壓下負(fù)載電流的峰-峰值。由表中數(shù)據(jù)計(jì)算，在輸入電壓由15V變化至35V的過程中，負(fù)載電流的誤差僅為0.81%.

表2 輸入電壓與平均負(fù)載電流

　　圖6為外接電流源在0~1.2 A之間跳變時(shí)采樣電路輸出電壓的波形。圖中輸出電壓范圍為0~5 V,為整顆芯片設(shè)計(jì)過流保護(hù)、開路保護(hù)等其他電路提供了方便。

圖6 輸出電壓與負(fù)載電流波形圖

　　4 結(jié)束語

　　設(shè)計(jì)了一款適用于滯環(huán)控制結(jié)構(gòu)的電流采樣電路。使用匹配電流源技術(shù)以很少的器件數(shù)量和簡單的結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了耐高壓高的目的。端到端的輸出電壓范圍，則使整顆芯片中其他電路的簡化成為可能。電路中使用的電壓補(bǔ)償技術(shù)，使負(fù)載電流與輸人電壓的相關(guān)性大大降低。