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單片頻率合成器的功能和應用設計方案

出處:現(xiàn)代電子技術 發(fā)布于:2020-08-05 14:45:17

  微波頻率源是微波通信、微波測量及雷達技術中的重要部件,其相噪性能和雜散性能直接影響到系統(tǒng)的性能和可靠性。因此,尋求更低相位噪聲、更高純度頻譜和更高穩(wěn)定度的頻率源成為目前發(fā)展的主要趨勢。

  l 系統(tǒng)主要指標及方案

  1.1 系統(tǒng)的主要指標

  輸出頻率范圍:4 428~5 220 MHz;步進頻率:36 MHz;相位噪聲:≤一100 dBc/

  單片頻率合成器的功能和應用設計方案

 ?。?)由于對輸出在4 000~4 200 MHz帶內的雜散要求比較苛刻,而    輔環(huán)點頻為4 140 MHz,在腔體體積一定下,很難達到一70 dBc指標,故權衡輔環(huán)相噪的惡化程度,選擇4 320 MHz作為輔環(huán)。

 ?。?)為了防止輔環(huán)點頻4 320 MHz作為雜散耦合到輸出端,故采用功分器和將主環(huán)信號4 428~5 220 MHz通過兩級放大作為混頻器的本振,輔環(huán)4 320 MHz點頻作為混頻器的RF端。該方案選用36 MHz的低相噪恒溫晶振作為兩個環(huán)路的參考源,主環(huán)和輔環(huán)均選用HITTTITE公司的超低相噪模擬鎖相環(huán)芯片HMC440,改善系統(tǒng)的相噪性能。輔環(huán)參考頻率為36 MHz,輸出4 320 MHz頻點;主環(huán)參考頻率為36 MHz,輸出頻率為4 428~5 220 MHz。經定向耦合器后再與輔環(huán)輸出的頻點混頻到108~900 MHz,返回到主環(huán)鑒相器與參考頻率做比較。所有的控制都由單片機來完成,根據(jù)外部數(shù)據(jù)的輸入(BCD碼)來進行相應的頻率輸出。

  2 電路實現(xiàn)

  在設計單片頻率合成器的時候,    主要的工作就是設計頻率合成器的環(huán)路帶寬,使得頻率合成器指標在相位噪聲、雜散、調頻速度和穩(wěn)定性上等方面達到兼顧,實現(xiàn)    的綜合性能。

  2.1     環(huán)路帶寬

  由于本項目沒有要求跳頻速度,所以環(huán)路帶寬采用    帶寬設計,使得相位噪聲盡可能的好。頻率合成器的輸出噪聲如下:

  式中Llp(jw)為鎖相環(huán)芯片的噪聲,Lvco(jw)為VCO的相位噪聲,Hn(jw)是被N規(guī)一化的環(huán)路濾波器的傳遞函數(shù)。由上式可以看出環(huán)路對帶內噪聲源呈低通過濾,故希望將環(huán)路帶寬fc越低越好;但環(huán)路對VCO呈高通過濾,又希望環(huán)路越寬越好。為了兼顧這一對矛盾,參考圖2能夠使兩種相位噪聲都得到合理的抑制,可以選擇環(huán)路帶寬fc在兩噪聲源譜密度線的交叉點附近總是比較接近于    狀態(tài)的。但是考慮晶振噪聲要惡化20log(N/R),所以實際帶寬要略小一些。

  2.2 主輔環(huán)電路設計

  理論估算帶內相噪估算公式(不考慮晶振的相噪):

  輔環(huán)的頻率相對要高點,為了使系統(tǒng)混頻后噪聲不惡化,獲得較低的相位噪聲,這里選用HMC440鑒相芯片,該芯片屬于模擬鑒相器,由HMC440技術資料上給出的一153 dBc/

  由HMC440可推出鎖相環(huán)芯片相噪為一233 dBe/Hz,由上面式(2)可推出:

  其中Kd是鑒相器的鑒相靈敏度,這里HMC440的Kd是0.286 V/rad,Kψ是VCO的壓控靈敏度(rad/V),N是鎖相環(huán)的倍頻倍數(shù)。阻尼系數(shù)ξ為兼顧濾波器的過沖和衰減取0.707~1之間的一個值即可。這樣只要C2取定一個值,就可以同時確定R1,R2。C1的引入主要為濾去鑒相器產生的諧波,其引入的極點應遠離主極點,即這樣環(huán)路濾波器就完全確定了。

  3 硬件及實測數(shù)據(jù)

  出于成本方面的考慮,主環(huán)的VCO需要輸出兩個范圍頻率:4 428~4716 MHz和4 752~5 220 MHz,采用兩個VCO用開關進行切換。另外考慮到VCO間的相互影響,可能產生許多雜散,本設計采用VCO斷電方式,保證在任一時間,只有一個VCO工作,這樣避免了他們之間的相互影響。

  混頻采用HMC218LP3無源混頻器,由于是無源的,要求本振功率比較大,所以主環(huán)輸出要經過兩級放大器HMC3llLP3。在調試過程中發(fā)現(xiàn),由于放大器的非線性,使本振的諧波分量增大,所以第二級放大器放大到10 dBm左右驅動HMC218LP3的LO本振端,避免放大器進入飽和狀態(tài)。另外對輔環(huán)的點頻4 320 MHz,通過調試當?shù)竭_HMC218LP3的RF端口信號為一7 dBm左右時取得較佳的雜散和相噪指標。

  相位噪聲,雜散抑制,諧波抑制和輸出功率均采用惠普公司的頻譜分析儀HP8564E測量,在系統(tǒng)切換VCO    差相噪點5 220 MHz處相位噪聲可以達到一104.5 dBc/

  4 結語

  本文給出了C波段寬帶低噪聲頻率源的一種方案,用主環(huán)驅動本振,試驗測試數(shù)據(jù)表明此方案可行。相信經過認真設計,調試,完全可以達到預期目標。


關鍵詞:單片頻率合成器的功能和應用設計方案合成器

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