半導體制造商諫早電子有限公司宣布,開發(fā)高壓 Nch MOSFET「INK013EAP1」。

   本產(chǎn)品是額定VDSS=500V、ID=0.5A、SOT89封裝的Nch MOSFET，為諫早電子的MOSFET產(chǎn)品中具有的VDSS額定值。

   本產(chǎn)品適用于高速開關(guān)和高壓開關(guān)應用，其應用之一是為開關(guān)電源控制IC提供驅(qū)動電源的啟動電路，如下圖所示。如果啟動電路僅由電阻和電容組成，則必須降低電阻值以縮短啟動時間, 但 降低電阻會增加啟動電路中的功率損耗。通過使用 MOSFET 構(gòu)成啟動器電路，可以在不損失啟動時間的情況下抑制啟動器電路的功率損耗。在這種情況下，輸入電壓直接施加在 MOSFET 的漏極和源極之間，因此需要高耐壓 MOSFET。特別是AC 240V開關(guān)電源的情況下，包括紋波在內(nèi)的電壓超過400V，因此VDSS=500V的產(chǎn)品適合這種情況。

    此外，通過工藝優(yōu)化，該產(chǎn)品的抗浪涌性能是其他公司同類產(chǎn)品的3倍左右。