結(jié)型場效應(yīng)晶體管 (JFET) 通常需要向柵極端子施加一些反向偏置電壓。
　　在 HF 和 UHF 應(yīng)用中，通常使用源電阻器 Rs 兩端的電壓提供此偏置（圖 1）。

 　除了明顯缺乏效率之外，這種方法還有其他缺點(diǎn)：

　　漏極電流具有統(tǒng)計(jì)離散性，因此為了獲得電流的目標(biāo)值，需要進(jìn)行一些電路調(diào)整。

　　漏極電流可能取決于溫度或功率波動。

　　為了實(shí)現(xiàn)可接受的低源阻抗，必須使用多個(gè)電容器 Cs。

　　為了保持相同的凈空，需要更高的電源電壓。

　　缺乏與接地層的直接接觸意味著晶體管的冷卻效果較差，這對于電源應(yīng)用至關(guān)重要。

　　圖 2中的電路沒有所有這些。它由一個(gè)控制環(huán)路組成，為n溝道JFET放大器產(chǎn)生負(fù)極性控制電壓。

　　圖 2：為 HF 和 UHF 應(yīng)用中的 n 通道 JFET 放大器產(chǎn)生負(fù)極性控制電壓的控制環(huán)路。

　　該電路使用自制光電耦合器中的兩個(gè)紅外LED IR333C（直徑= 5 mm）。將兩個(gè)這樣的 LED 面對面放置在大約 12 毫米長的適當(dāng) PVC 管中，僅此而已。例如，其中一個(gè)器件可在 I led < 4 mA 時(shí)產(chǎn)生 0.81 V 電壓，這對于 HEMT FHX35LG 來說已經(jīng)足夠了。

　　當(dāng)然，如果需要更高的電壓，可以簡單地級聯(lián)幾個(gè)這樣的設(shè)備。

　　環(huán)路中的主要放大由 JFET 本身執(zhí)行。其值約為gm * R1，其中g(shù)m是Q1的跨導(dǎo)。

　　晶體管對 Q2 和 Q3 比較電阻器 R1 和 R2 上的電壓降，使它們相等。因此，通過改變 R2:R3 的比率，您可以設(shè)置所需的工作點(diǎn)：

　　Id = Vdd * R2 / ((R2 + R3) * R1)

　　我們可以看到，漏極電流 (Id) 仍然取決于電源電壓 (Vdd)。為了避免這種依賴性，我們可以用齊納二極管代替電阻器R2，然后：

　　Id = Vz / R1