PMOS（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）管是一種常見的場效應(yīng)晶體管（FET），其工作原理如下：
　　PMOS管由一個p型的溝道和兩個n型的源極和漏極組成。在溝道和源極之間存在一個絕緣層，稱為氧化層或門絕緣層。在氧化層上方有一個金屬門電極。
　　靜態(tài)工作原理：
　　沒有輸入信號時（靜態(tài)情況），PMOS處于截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)門電極與源極之間施加負(fù)電壓時，溝道中形成一個正電荷區(qū)域，阻止了電流的流動。
　　當(dāng)門電極與源極之間施加高電平（正電壓）時，正電荷區(qū)域被中性化，溝道導(dǎo)通，漏極與源極之間形成電流路徑，PMOS處于導(dǎo)通狀態(tài)。
　　動態(tài)工作原理：
　　當(dāng)輸入信號（稱為控制信號或門電壓）施加到門電極上時，PMOS的溝道電阻會發(fā)生變化，從而調(diào)節(jié)漏極與源極之間的電流。
　　當(dāng)控制信號為低電平（負(fù)電壓）時，溝道電阻較高，漏極與源極之間的電流減小。
　　當(dāng)控制信號為高電平（正電壓）時，溝道電阻較低，漏極與源極之間的電流增大。
　　總結(jié)來說，PMOS管的工作原理是通過調(diào)節(jié)門電極的電壓來控制溝道的導(dǎo)通與截止，從而實現(xiàn)對漏極與源極之間電流的控制。當(dāng)門電極施加高電平時，PMOS導(dǎo)通；當(dāng)門電極施加低電平時，PMOS截止。這使得PMOS在數(shù)字電路、模擬電路和功率管理等應(yīng)用中具有重要地位。