有直流參數(shù)，包括開(kāi)啟電壓、夾斷電壓、飽和漏極電流、輸入電阻；交流參數(shù)，即低頻跨導(dǎo)；極限參數(shù)，包括反向擊穿電壓和漏極功耗。
　　1.開(kāi)啟電壓Ur
　　Ur是增強(qiáng)型MOS管的主要參數(shù)，當(dāng)柵源電壓UGs小于開(kāi)啟電壓的時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。如3C03型P溝道增強(qiáng)型MOS管的開(kāi)啟電壓為—2～—4V，3D06A型N溝道增強(qiáng)型MOS管的開(kāi)啟電壓為2.5～5V。
　　2.夾斷電壓UP
　　UP是耗盡型MOS管的主要參數(shù)，當(dāng)漏源電壓UDs值一定時(shí)，柵源電壓UGs=UP時(shí)，漏極電流為零。如3D01D型N溝道耗盡型MOS管的夾斷電壓為—9V。
　　3.飽和漏極電流/oss
　　Ipss是MOS耗盡型和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，在柵源電壓UGs=0時(shí)，所對(duì)應(yīng)的漏極電流。如3D02D型N溝道耗盡型MOS管的飽和漏極電流為1～25mA，3D03C型N溝道增強(qiáng)型MOS管的飽和漏極電流為2～8mA。
　　4.直流輸入電阻RGs
　　直流輸入電阻RGs是柵源極之間的等效電阻。由于MOS管柵源極間有SiO2絕緣層，所以MOS場(chǎng)效應(yīng)管的RGs可達(dá)109～1015Ω。
　　5.低頻跨導(dǎo)gm
　　跨導(dǎo)gm反映了棚源電壓Us對(duì)漏極電流b的控制作用（相當(dāng)于普通晶體管的hFE），單位是mS（毫西）。如3D02D型N溝道耗盡型MOS管的低頻跨導(dǎo)>4000mS，3D03C型N溝道增強(qiáng)型MOS管的低頻跨導(dǎo)≤1000mS。
　　6.漏極功耗PDM

　　漏極功耗PDM=UDsxID，相當(dāng)于普通三極管的PcM。如3D02D型N溝道耗盡型MO管的漏極功耗為100mW，3D03C型N溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極功耗為150mW。

　　7.極限漏極電流
　　極限漏極電流Ip是漏極能夠輸出的電流，相當(dāng)于普通三極管的Ic，其值與溫度有通常手冊(cè)上標(biāo)注的是溫度為25℃時(shí)的值。一般指的是連續(xù)工作電流，若為瞬時(shí)工作電則標(biāo)注為IDM，這個(gè)值通常大于ID。
　　8.漏源電壓Uoss
　　漏源電壓Uoss是場(chǎng)效應(yīng)管漏源極之間可以承受的電壓（相當(dāng)于普通晶體管的反向工作電壓UcEo），有時(shí)也用UDs表示。如3D02D型N溝道耗盡型MOS管的電壓為25V，3D03C型N溝道增強(qiáng)型MOS管的漏源電壓為150V。