絕緣柵型場效應(yīng)管的主要參數(shù)

有直流參數(shù)，包括開啟電壓、夾斷電壓、飽和漏極電流、輸入電阻；交流參數(shù)，即低頻跨導(dǎo)；極限參數(shù)，包括反向擊穿電壓和最大漏極功耗。　　1.開啟電壓Ur　　Ur是增強(qiáng)型MOS管的主要參數(shù)，當(dāng)柵源電壓UGs小于開啟電壓的絕...

分類：基礎(chǔ)電子 時間：2024-08-02 閱讀：635 關(guān)鍵詞：絕緣柵型場效應(yīng)管

圖解絕緣柵型場效應(yīng)管

本文圖文結(jié)合的解析了絕緣柵型場效應(yīng)管的工作原理，希望對你的學(xué)習(xí)有所幫助。 　　增強(qiáng)型：VGS=0時，漏源之間沒有導(dǎo)電溝道，在VDS作用下無iD。 　　耗盡型：VGS=0時，漏源之間有導(dǎo)電溝道，在VDS作用下iD。 　　1、結(jié)...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2017-01-13 閱讀：2979 關(guān)鍵詞：圖解絕緣柵型場效應(yīng)管

絕緣柵型場效應(yīng)管

場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,...

分類：基礎(chǔ)電子 時間：2008-10-16 閱讀：3671 關(guān)鍵詞：絕緣柵型場效應(yīng)管

絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS管）

1.絕緣柵型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)　　絕緣柵型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)如圖所示。它和結(jié)型場效應(yīng)管在結(jié)構(gòu)上的主要不同之處在于，它的柵極是從SiO2上引出的，柵極與源極和漏極是絕緣的。正因?yàn)槿绱耍^緣柵型場效應(yīng)管的輸入電阻極高，...

分類：元器件應(yīng)用 時間：2008-04-23 閱讀：11429 關(guān)鍵詞：絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS管）