由MOSFET等構(gòu)成的自激式降壓型斬波器電路圖

出處：hzcoffee 發(fā)布于：2009-03-09 00:00:00 | 3578 次閱讀

　　如圖是由MOSFET等構(gòu)成的自激式降壓型斬波器電路。A1加正反饋進(jìn)行振蕩，其振蕩頻率由扼流圈L1和正反饋電阻R1決定。當(dāng)振蕩頻率高到2OOkHZ時(shí)，扼流圈和濾波電容可小型化，輸出變動(dòng)的響應(yīng)特性也可得到改善。開(kāi)關(guān)元件VT1采用功率MOSFET管，當(dāng)VT1截止時(shí)，扼流圈L1感應(yīng)的反向電壓通過(guò)續(xù)流二極管VD5供給負(fù)載。輸出電壓通過(guò)R2加到A1的同相輸入端，并與加在其反相輸大端的5V基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較,A1輸出通過(guò)VT2控制VT1導(dǎo)通或截止。當(dāng)輸出電壓的峰值超過(guò)6V時(shí)，過(guò)電壓檢測(cè)電路動(dòng)作，使VT1可靠截止。

MOSFET降壓型斬波器電路圖

　　VT1導(dǎo)通時(shí)，柵極電壓要比28V電源電壓高1OV。VT1截止時(shí)，28V電源通過(guò)VD4、R3對(duì)電容C1進(jìn)行充電。VT1導(dǎo)通，源極電壓隨之升高，C1釋放的電荷通過(guò)R4對(duì)柵極進(jìn)行充電而得到足夠的柵極電壓。C1的容量要為VT1輸入電容的10倍，這里選用0.1μF。VD4是用于防止C1電荷泄漏到電源端的二極管，由VT3、C2、R5、VD6、VD7和R6構(gòu)成軟啟動(dòng)電路。在VT3的放大期間，VT1柵極電壓逐漸升高而使輸出電壓慢慢上升，上升到額定輸出電壓時(shí)VT3截止，從而達(dá)到軟啟動(dòng)的目的。

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